3dB带宽达80nm的双包层掺镱超荧光光纤光源

采用大模面积双包层掺镱光纤作为增益介质搭建了一台双程前向超荧光光纤光源,该光源的输出功率随泵浦源注入电流的增加基本呈线性增加,最大输出功率为341mW。其独特的优势是现实了掺镱光纤最宽的超荧光输出,在输出功率从201～341mW之间,超荧光光谱的3dB带宽超过80nm。其输出功率虽然不是很高,但是在一般情况下能够满足人们对超荧光的需求。从镱离子的能级结构和镱离子在石英基质中的吸收截面与发射截面出发,分析了能够得到最宽超荧光输出的物理原因。这台双包层掺镱超荧光光纤光源由于充分利用了镱离子在1 025和1 075nm附近的超荧光辐射,因而能够得到3dB带宽为80nm的超荧光输出。

Er^(3+)/Tm^(3+)共掺光纤放大器的模型和增益特性

基于Er/Tm共掺石英光纤的能级跃迁及能量转移特性,建立了Er3+/Tm3+共掺石英光纤放大器的理论模型。采用离散算法,计算了自发辐射输出功率谱和放大器的信号增益。结果表明,依据模型计算的正向自发辐射输出功率谱与实验结果基本一致;输出信号的3dB增益带宽随不同的光纤长度和泵浦功率而变化;当输入的泵浦功率为0.2W,信号功率为1μW时,Er3+/Tm3+共掺石英光纤放大器的3dB带宽可达到110nm。

PID算法对星间光通信ATP子系统跟踪控制带宽的影响研究

研究了PID算法对星间光通信ATP子系统跟踪控制带宽的影响,以尽可能的优化系统结构提高系统的跟踪性能,对实际ATP系统的工程化提供必要的理论依据。

大带宽半导体光学放大器的理论分析

提出一种新型的半导体光学放大器结构 ,并从增益谱和能带结构等角度分析其特征 ,得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律 .通过剖析该结构中有源区各部分的作用 ,得出大的张应变的引入主要是用于提高 TM模的材料增益 ,获得偏振不灵敏和大的 TE模带宽 ,减小制备难度 .厚的无应变层的引入主要是为了改善有源层晶体质量 ,获得大的偏振不灵敏模式增益 .

反常大带宽声光偏转器

该文介绍了一种利用反常声光互作用原理制作的大带宽声光偏转器。该器件使用的声光互作用介质是磷化镓晶体,声波模式是横波,采用单片换能器结构,实现了带宽与衍射效率的合理兼顾。制作的大带宽声光偏转器样品的3dB带宽达1 040MHz,峰值衍射效率达20.4%@1W,这时中心频率为1.62GHz,光波长是633nm。

FSAV430：四通道单刀双掷SPDT视频开关

许多视频开关都利用充电泵来降低电容和提高带宽，但大多数充电泵会消耗平均250μA静态电流。FSAV430不使用充电泵，所以只消耗1μA静态电流，同时提供1．1GHz的-3db带宽。FSAV430提供TSSOP、QSOP和DQFN封装选择。FSAV430的DQFN封装不但提供1．1GHz-3db带宽以及低至。12pf典型值的导通电容．同时其小型封装(2．5×3．5mm)在便携式环境中(比如便携式DVD)至关重要，

1．8GHz／1．3GHz、低失真、双路ADC驱动器

LTC6420-20和LTC6421-20是高速双路差分ADC驱动器，它们无须任何外部输出阻抗匹配就可以直接驱动ADC，还可以将单端输入转换成差分输出。性能特点：±0．25dB的增益匹配；±0．1°的相位匹配；1．8GHz-3dB带宽（LTC642020），1．3GHz-3dB带宽（LTC6421—20）；

如何提高数字电位器的带宽

数字电位器可广泛用于控制或调整电路参数。由于数字电位器本身带宽的限制，只能用于直流或低频应用。其典型-3dB带宽在100kHz至几MHz内，具体数值与型号有关。然而．通过采用下面介绍的简单方法，可以将电位器的信号带宽从10倍提高到100倍，可以获得4MHz的0．1dB带宽以及25MHz以上的-3dB带宽。这样可使数字电位器用于视频或其他高速应用领域。

ADG1233/4:SPDT模拟开关

美国模拟器件公司推出两种工作在±12V或±15V的单刀双掷（SPDT）模拟开关ADG1233和ADG1234，提供较低的电容和电荷注入。这两种器件的关态电容为1．5pF，电荷注入小于1pC，适合需要低的尖峰和快速设定时间的高端数据采集以及取样保持应用，器件的快速开／关速度（120／40ns）以及-3dB带宽使它们也适合用在视频开关中（可能需要外接视频缓冲器）。开关的导通电阻为120Ω，通道间电阻匹配为3．5Ω，而在0V到VDD信号范围内的电阻变化为20Ω。

高探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件

基于标准0.35μm CMOS工艺设计了一种单光子雪崩二极管器件.采用p＋n阱型二极管结构,同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管性能;研究了扩散n阱保护环宽度对雪崩击穿特性的影响;对器件的电场分布、击穿特性、光子探测效率、频率响应等特性进行了分析.仿真结果表明：所设计的单光子雪崩二极管器件结构直径为10μm,扩散n阱保护环宽度为1μm时,雪崩击穿电压为13.2 V,3 dB带宽可达1.6 GHz;过偏压为1 V、2 V时最大探测效率分别高达52%和55%;在波长500~800 nm之间器件响应度较好,波长为680 nm时单位响应度峰值高达0.45 A/W.

单向载流子传输光电探测器模拟

用Atlas软件对单向载流子传输光电探测器(uni-traveling-carrier photodetector,UTC-PD)进行了模拟,研究了器件的基本工作原理,着重讨论了器件性能与外延层结构的关系.设计出的UTC-PD可同时具有高的响应度(≥0.18A/W)和宽的3dB带宽(≥100GHz).与传统的pin光电探测器相比简化了前端电路结构,降低了噪声,节约了成本,可以应用于超高速光互联.

SOI环形光波导谐振腔双层石墨烯调制器(英文)

在片上光互连系统中,电光调制器起到将电信号调制为光信号的作用,是光互联系统中的核心部件之一。调制器的3dB带宽决定着载波所能携带的最大信息量,是衡量调制器性能的核心参数。利用石墨烯和高Q环形谐振腔设计成具有CMOS结构的新型调制器,其集成了石墨烯的宽带吸收、载流子迁移率高等材料优势和高Q值环形光学谐振腔的光程放大的结构优势,通过理论计算,其3dB调制带宽可以达到100GHz。同时,基于微环谐振腔的石墨烯电光调制器结构可以方便的与光互联系统中的波分复用器相集成,从而提升片上光互联系统的集成度和降低技术复杂性。

常用光纤Bragg光栅特性分析

结合光纤Bragg光栅在通信与传感领域应用的特性,利用传输矩阵法分析了均匀光栅、啁啾光栅、切趾光栅的反射率、时延特性、边模抑制比和反射带宽示意图。分析得到了不同光栅的特性规律,这些规律对光栅在通信与传感领域应用具有参考的价值。

光纤光栅应变时特性的研究

研究光栅的中心波长、带宽、时延在外界应力作用发生的变化 ,实验中发现光栅的中心波长、带宽随应力改变而线性变化 ,时延的线性度在光栅拉伸时变得更好 ,时延波动 (Delay ripple)减小 ,补偿量也减小 。

甚低频发射天线动态调谐控制技术研究

分析一种目前发达国家在甚低频发射天线上所采用的新型调谐电路,此电路包括开关控制模块和固定调谐模块。在以降低系统损耗为目的的前提下,通过自绕电感、选取低导通电阻开关等方法实现调谐电路来确保甚低频通信的技术要求。依次进行调谐模型的建立、模型电路的仿真、实际测量方案的讨论、硬件电路的设计和系统的测试。实验表明:提出的新型调谐技术可有效降低系统损耗,采用动态调谐方式的天线带宽约为采用固定调谐方式带宽的4倍。

强迫振动方法确定黏弹性细棒的复杨氏模量

提出了一种方法一强迫纵振动法(该计算方法不同于以前的梁振动法)来确定黏弹性样品细棒的杨氏模量。在室温下,对长度分别为108 mm,100 mm,90 mm,83.5 mm,80 mm,74.5 mm,70 mm的聚碳酸酯细棒,实验测试得到了棒两端的振幅比与激励频率之间的关系曲线,并由曲线的3 dB带宽计算得到损耗因子,进一步得到棒的储能和耗能杨氏模量。依照这种方法,只要能得到足够多的数据,用最小二乘算法,可得到在感兴趣的频段内该材料相应的杨氏模量随频率变化的曲线。若测试频率步长减小到5 Hz,则测试最大误差可小于6%。与现有测试方法相比较,本方法计算简单,物理意义清晰。

实用化静磁表面波带通滤波器研究

根据静磁表面波的基本理论建立了静磁表面波带通滤波器的设计模型 ,以实用化的静磁表面波带通滤波器为目标 ,重点考虑了静磁表面波带通滤波器的中心频率与带宽控制问题 .依据模型对滤波器进行了设计、制作和测试 .实际制作的滤波器性能指标为 :中心频率调谐范围为 4 .2～ 5 .2GHz、3dB带宽 180MHz± 6MHz、插损 11dB左右、带外抑制大于 30dB ,与理论设计结果基本一致 ,从而得到了实用化静磁表面波静磁波带通滤波器的原形 .进一步提高器件的中心调谐频率 ,在毫米波段将有广阔的发展前景 .

螺旋振子谐振腔滤波器的设计与应用

简要介绍了螺旋振子式腔体滤波器的原理及设计方法 ,给出了一个1 0 0MHz滤波器实例和在频标比对器中具体应用电路。

分布式反馈激光器调制特性研究

为了深入了解分布式反馈激光器(DFB)的发光机理与调制特性,通过理论分析和实验对DFB的调谐特性进行了研究。得到FITEL和JDS Uniphase两款激光器调制电流与输出中心波长的对应关系和两种确定系数不同的拟合方程,证明了这两款DFB激光器在实际应用中存在非线性关系。结果表明,FITELFRL15DCWD-A82激光器的3d B带宽与驱动电流幅值关系为3.715pm/m A;该调制结果优化了该激光器的可用相干长度,并验证了驱动信号频率变化不影响3d B光谱宽度。对DFB激光器低频调制特性的定量分析结果可为相干检测系统驱动电路设计提供实验依据。