AAO模板法制备Pd-Ni合金纳米线

在孔深60gm，直径200nm的通孔氧化铝模板中，用60mmol·dm^-3。Pd（NH3）4Cl2＋40mmol·dm^-3NiSO4·6H2O＋0．2mol·dm^-3NH4Cl，pH8．5和70mmol·dm^-3。Pd（NH3）4Cl2＋30mmol-dm^-3NiSO4·6H2O＋0．2mol·dm^-3NH4Cl，pH8.5的2种电解液，采用直流电沉积的方法制备钯镍合金纳米线阵列。借助扫描电子显微镜（SEM）和X-射线能谱仪（EDX）表征纳米线的形貌和成分。结果表明，用-0．6V～-0．8V（vsSCE）的直流电沉积，在氧化铝（AAO）模板中可以成功地制备出镍含量在8％～15％（质量分数，下同）之间的Pd-Ni合金纳米线有序阵列，其直径和模板的孔径是一致的。沉积电势负移将使得电流密度增加，有利于合金中电势较负金属镍含量的增大。

AAO模板对液相沉积TiO_2纳米阵列结构的影响

采用液相沉积法(LPD),在不同的阳极氧化铝(AAO)模板上原位合成高度有序的TiO2纳米阵列。实验结果表明,经过400℃热处理后,制备出的薄膜是锐钛矿相的TiO2纳米阵列,草酸AAO模板中Al2O3的体积分数大于0.71,薄膜由TiO2纳米棒组成,外径约为100nm左右;而磷酸AAO模板中Al2O3的体积分数小于0.71,液相沉积后获得TiO2纳米管,管外径达200nm左右,内径约为100nm左右。

AAO模板法生长碳纳米管阵列及形成机理研究

采用阳极刻蚀法制备得到多孔氧化铝模板(AAO),通过在二茂铁苯溶液中浸润而后热解的方法,得到内壁附着纳米铁颗粒的AAO模板。用化学气相沉积(CVD)法在AAO模板孔内生长出两端开口的碳纳米管(CNTs)阵列。仅用盐酸浸泡就可除去CNTs表面上的催化剂颗粒,得到高纯的CNTs阵列。高分辨透射电镜(HRTEM)和拉曼图谱(Raman)表明CNTs具有很低的石墨化结构。通过对CNTs形貌和形成过程的剖析,认为AAO模板孔道的导向作用以及模板孔内壁催化剂铁颗粒大小分布不均是形成低石墨化碳纳米管的主要原因。

AAO模板制备中高纯铝电化学抛光工艺的研究

研究了高纯铝片在硫酸-磷酸-乙二醇体系中的电化学抛光工艺。确定了电化学抛光体系的配方。探讨了阳极电流密度、抛光温度、抛光时间和搅拌方式对抛光质量的影响。获得了最佳抛光工艺参数:Ja=25A/dm2,θ=85～93°C,t=10～15min,机械搅拌。新的环保型电化学抛光体系为制备优良的AAO模板奠定了基础。

AAO模板合成法制备金属Ni磁性纳米线阵列的研究

利用电化学沉积法,在AAO模板上制备了铁磁性金属Ni纳米线有序阵列。通过XRD、SEM等分析测试方法研究了制备工艺与Ni纳米线结构的关系,并在此基础上研究了结构对其磁性能的影响。在恒定沉积电压为-2 V时,适当的电流密度(2 mA/cm2)以及较长的沉积时间(9 h),有助于得到沿着[220]方向的高织构性纳米线。另外,相对于多晶结构,单晶或高织构性结构的Ni纳米线具有较高的矫顽力、剩磁及更显著的磁各向异性。

AAO模板快速制备方法探究

为了快速制备出高度有序且孔径可调控的AAO(阳极氧化铝)模板应用于工业生产,通过改进传统的两步阳极氧化法,采用逐步提高电解液浓度的硬氧氧化法制备了AAO模板,并确定了最佳制备工艺为初始电解液浓度0.15mol/L,添加电解液浓度0.40mol/L,温度保持在5℃左右,无水乙醇添加比例为1:1,从而使铝片的击穿电压从40V上升到130V左右(模板面积1.5cm×4.5cm),采用DimensionEdge型号的原子力显微镜(AFM)对多孔氧化铝模板进行了表征。结果表明:未经退火处理的铝片,也可以制备出高度有序的AAO模板,但其粗糙度略有增加,并与在高压条件下二次氧化、三次氧化、四次氧化制备AAO模板进行了比较,发现二次氧化制备的AAO模板有序度、孔径、孔间距均优于三次、四次氧化法。

原位法制备通孔AAO模板的原理和工艺

AAO模板是制备纳米材料常用的模板,然而由于阻挡层的存在,制约了其在很多方面的应用。介绍了在不剥离基体的前提下,采用阶梯降压法和反向电压法在原位除去阻挡层,制备通孔的模板。利用场发射扫描电镜对其形貌进行了表征,分析了这两种方法在原位去除阻挡层的原理,讨论了其工艺条件对制备通孔模板的影响,并对其结果进行了比较。结果表明:阶梯降压法能有效减薄阻挡层厚度,通过后续磷酸浸泡能达到在原位除去阻挡层的目的,但是底部孔道出现分叉现象;而反向降压法能在原位有效除去阻挡层,且不破坏模板。

利用AAO模板电沉积工艺制备ZnS纳米线

以没有去除阻挡层的阳极氧化铝膜作为模板,在溶解有ZnCl2和单质硫的二甲基亚砜溶液中进行直流电沉积,并将电沉积所得的样品在不同气氛下退火.SEM,TEM及拉曼光谱的结果表明,采用上述工艺制备的纳米线长几个微米,直径为30nm左右,为多晶,在N2气氛下退火得到的是立方相ZnS纳米线,空气气氛下退火得到的是六方相ZnO纳米线,由于纳米线的尺寸限制效应及晶格畸变,拉曼谱中的峰位向短波数移动.

AAO模板中AgBr的显影过程探讨

在AAO(Anodic Aluminum Oxide)模板中生长AgBr纳米线,并对其进行化学显影.显影结果表明,D-72显影液和D-76显影液显影后得到的银大部分都在模板的表面,分别呈丝状和颗粒状;而原位显影液得到的银则在孔隙中呈线状分布.文章认为,3种显影液中物质传质过程及显影剂活性的不同造成了显影银存在位置和形貌的差异,并提出用直接电子转移和间接电子转移机理解释银的形貌差异.

用AAO模板制备有序硅纳米线阵列

利用二次氧化法制备了高度有序的多孔阳极氧化铝膜,以此膜为模板通过磁控溅射制备了多孔有序的Pt/Ag双层金属薄膜,将此金属薄膜转移到n型单晶硅片上,通过金属辅助化学刻蚀法刻蚀出有序单晶硅纳米线阵列.原子力显微镜和扫描电子显微镜观察发现,多孔阳极氧化铝膜及后续生长的多孔Pt/Ag双层金属薄膜都具有均匀分布、直径约45nm的纳米孔,以Pt/Ag双层金属薄膜为模板刻蚀得到的单晶硅纳米线具有与纳米孔同样的直径,且垂直硅衬底生长.

真空退火对AAO模板上Ag纳米颗粒膜的结构和光学性质的影响

采用蒸发镀膜方法,在孔径约为200 nm的多孔阳极氧化铝(AAO)模板上室温沉积名义厚度为300 nm的银薄膜样品,研究真空退火对AAO模板上Ag纳米颗粒膜的结构和光学性质的影响。微观结构利用X射线衍射仪和扫描电镜观测,光学性质采用分光光度计检测。结果表明,(111)取向的银衍射峰强度随退火温度的升高逐渐增强,当退火温度为250℃时达到最大值;银纳米颗粒平均直经随退火温度的升高呈现先缓慢增大,后迅速增大,再减小的态势,当退火温度为250℃时达到最大值140 nm,比制备态大47 nm;薄膜经真空退火后,漫反射率普遍得到提高,在可见光区域,当退火温度为200℃时,漫反射率达到最大,其值为80%,大约为制备态的3倍左右。

在AAO模板中利用物理显影制备银纳米线

在孔隙中充满明胶的AAO（anodic aluminum oxide）模板中．利用物理显影的方法制备了银纳米线。SEM及TEM照片表明．银纳米线连续致密平滑．并填充了模板的大部分孔隙；SAED衍射图案显示其为多晶。文章研究了制备过程中的微区反应状况．结果表明．明胶能够减缓反应溶液的对流．易于在孔隙中生成连续的银纳米线。

AAO模板中银纳米颗粒的制备及热处理研究

利用乙醇与银离子之间的氧化还原作用，在AAO（anodie aluminum oxide）模板上制备了银纳米颗粒。SEM图像表明，银纳米颗粒随着反应时间的延长逐渐增大，数目逐渐增多。然后，对银纳米颗粒进行了热处理，实验结果表明，银纳米颗粒随着热处理温度的升高逐渐长大融合，最终形成致密堆积的银纳米线。

真空退火对AAO模板上Ag纳米颗粒膜SERS光谱的影响

用热蒸发的方法,在孔径约为200nm的多孔阳极氧化铝(AAO)模板上室温沉积厚度为300nm的银薄膜样品,研究真空退火对AAO模板上Ag纳米颗粒膜表面增强拉曼散射(SERS)的影响.结果表明,制备的样品为多晶结构,真空退火后的银薄膜同制备态相比,(111)取向的银衍射峰强度随退火温度升高而逐渐增强;制备态的银纳米颗粒有很好的SERS特性,退火后银纳米颗粒膜对罗丹明6G(R6G)分子的SERS信号强度随退火温度的升高而逐渐减弱.

AAO模板法制备纤维素纳米纤维

研究了以多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,采用抽滤法首次制备直径为35nm的纤维素纳米纤维。孔径为300nm的AAO模板采用二步阳极氧化法制备。纤维素溶解在氯化锂/N,N-二甲基乙酰胺(LiCl/DMAc)溶液中,通过抽滤将纤维素溶液注入AAO模板的纳米孔洞中,除去溶剂和AAO模板后得到纤维素纳米纤维。制得的纤维素纳米纤维呈阵列结构排列,在胶粘剂、疏水材料等领域具有潜在的应用价值。

超薄AAO模板法辅助生长高密度有序金纳米点阵列

在高真空状态下采用孔径为40 nm的超薄阳极氧化铝(AAO)模板作为掩膜进行金的热蒸镀,制备了平均粒径为35.5 nm、填充密度为1.45×1010cm-2的金纳米点阵列.探索了高密度有序纳米点阵列的制备工艺.通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对金纳米点阵列进行表面形貌表征,证明超薄AAO模板法明显改善了金纳米点阵列分布的尺寸均匀度和有序度.

GdBO_3:Tb^(3+)纳米晶在AAO模板上的水热合成及其发光性质

采用水热合成法在AAO模板上制备了GdBO3:Tb3+绿色发光材料薄膜,并研究了退火温度对产物形貌和发光性质的影响.用XRD、SEM、EDS对GdBO3:Tb3+/AAO样品进行了表征.SEM结果表明,经过600℃、800℃高温退火后,在AAO模板上形成了一层方块形的GdBO3:Tb3+/AAO发光薄膜,600℃是得到具有规则方块形的GdBO3:Tb3+/AAO发光材料薄膜的最佳温度.荧光光谱的结果表明:GdBO3:Tb3+/AAO发光材料薄膜的特征发射为Tb3+5 D4→7F5跃迁发射,其发射强度随着温度的升高而增强.

AAO模板法制备的稀土TbFe合金纳米线及其磁学性能

利用二次阳极氧化法制备孔洞分布均匀、孔径基本一致、孔口呈六边形的多孔阳极化氧化铝(AAO)模板。在不剥离膜的条件下,电腐蚀阻挡层,保留原有铝基底,起电极作用。在离子液体中,利用电化学工作站结合不同TbFe配比的电镀液,摸索合适的电镀液配比,成功电沉积制备了TbFe合金纳米线。用SEM、XRD和EDS对纳米线阵列微观形貌和结构进行分析。SEM观测表明,TbFe合金纳米线排列有序,尺寸一致;XRD谱显示所得产物为非晶态的TbFe合金纳米线;EDS测定表明沉积物为TbFe合金纳米线。振动样品磁强计检测表明,所制得的纳米线具有较好的磁学性能。

AAO模板法制备LiAlO_2及复合LiFePO_4/LiAlO_2电化学性能研究

以两步阳极氧化法制备AAO模板,用制备的AAO模板与LiNO_3通过水热反应合成锂快离子导体LiAlO_2。通过溶胶凝胶法制备LiFePO_4前驱体,并与LiAlO_2复合制备LiFePO_4/LiAlO_2正极材料。采用XRD、SEM、电化学性能测试等手段对材料相结构、微观形貌和电化学性能进行测试和表征。结果表明,以复合正极材料放电比容量为目标,确定了AAO水热反应得到前驱体LiAl(OH)_4·H_2O的优化实验工艺:反应温度220℃,反应时间48 h,反应物摩尔比n(Al):n(Li)=1:3。此前驱体经800℃煅烧得到α-LiAlO_2,LiFePO_4/3wt.%LiAlO_2复合正极材料,0.1C倍率10周平均放电比容量达到135 mAh/g左右。

草酸溶液中Al^(3+)对AAO模板有序性影响

采用不同Al^(3+)浓度的草酸溶液,在恒压条件下制备了阳极氧化铝(AAO)模板.通过分析其表面形貌和Al^(3+)浓度的关系,得出Al^(3+)浓度增大时电迁移电流与浓度扩散电流反向相抑制,结合伯努利方程分析出孔洞内产生的Al^(3+)进入溶液中的速度变慢,与反向运动的氧离子在孔洞口形成氧化物.尤其当Al^(3+)趋于饱和时,形成大量氧化物,导致纳米孔被封闭.而孔洞中的Al^(3+)在电压驱动下的迁移导致孔壁受到挤压,从而产生孔洞的破裂.