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AZO靶材热压致密化及Al元素扩散研究 被引量:5
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作者 白雪 王星明 +5 位作者 储茂友 张碧田 段华英 石志霞 孙静 韩沧 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期420-427,439,共9页
以98∶2(质量比)的ZnO-Al2O3混合粉体为原料热压制备AZO靶材。通过阿基米德排水法测定试样密度,XRD分析物相组成,TEM观察靶材的微观结构,研究靶材热压致密化和Al元素扩散的规律。结果表明:Al元素在未经煅烧的原料粉中以Al2O3的形式存在... 以98∶2(质量比)的ZnO-Al2O3混合粉体为原料热压制备AZO靶材。通过阿基米德排水法测定试样密度,XRD分析物相组成,TEM观察靶材的微观结构,研究靶材热压致密化和Al元素扩散的规律。结果表明:Al元素在未经煅烧的原料粉中以Al2O3的形式存在;而在煅烧处理后的粉末中,Al元素部分扩散进入了ZnO的晶格中,导致其层状属性c/a值的减小,另一部分Al元素由于固溶度的限制形成ZnAl2O4尖晶石。在热压温度为1 000℃时,未经煅烧的原料粉中Al2O3与ZnO发生反应生成ZnAl2O4;而煅烧处理后的粉末在1 000℃热压时,尖晶石含量最高为3.41%(质量分数,下同),温度升至1 150℃,ZnAl2O4的含量下降至2.64%,延长保温时间,ZnAl2O4含量逐渐减少。由此说明,热压温度为1 000℃时,易于形成ZnAl2O4相,在升温过程中,ZnAl2O4与ZnO中的Al元素存在互扩散。通过靶材的微观结构分析发现,ZnO晶粒中夹杂着ZnAl2O4,Al元素含量在ZnO晶粒中呈梯度分布。在热压过程中插入合适的保温保压点能改进热压工艺,有效提高靶材的致密度。 展开更多
关键词 azo靶材 热压 密度 ZNAL2O4
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AZO靶材的制备与镀膜应用研究 被引量:5
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作者 王星明 白雪 +4 位作者 段华英 石志霞 孙静 卢世刚 黄松涛 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2011年第2期326-330,共5页
以ZnO和Al2O3粉体为原料,在不同的热压温度下制备AZO靶材。通过阿基米德法测量靶材的密度,压汞法测量靶材的孔径分布,扫描电镜观察靶材的断面形貌。将所制备的靶材作为溅射源,进行射频磁控镀膜测试。采用台阶仪测量膜厚,紫外分光光度计... 以ZnO和Al2O3粉体为原料,在不同的热压温度下制备AZO靶材。通过阿基米德法测量靶材的密度,压汞法测量靶材的孔径分布,扫描电镜观察靶材的断面形貌。将所制备的靶材作为溅射源,进行射频磁控镀膜测试。采用台阶仪测量膜厚,紫外分光光度计测量薄膜透光率,四探针电阻图谱仪测量薄膜电阻率,XRD分析薄膜结构,研究靶材密度及孔径分布与薄膜光电性能的关系。结果表明,经过机械合金化和煅烧处理制备的原料粉(m(ZnO)∶m(Al2O3)=98∶2),Al部分扩散进入ZnO晶格中,另一部分由于固溶度的限制形成了ZnAl2O4尖晶石。在相同的溅射条件下,靶材密度越高,薄膜沉积速率越快,所得薄膜电阻率越低,但溅射功率较高时薄膜透光率明显减小。平均孔径较小且孔径分布集中的靶材,溅射所得薄膜电阻率较低。在溅射功率密度为3.9W/cm2下,相对密度高于80%的AZO靶材,靶材寿命大于150W.h。相对密度为94.79%的靶材在溅射功率30W下沉积20min得到薄膜的电阻率为3.14×10-4Ω.cm,平均透过率大于85%,具有(002)择优取向,满足薄膜太阳能对透明导电薄膜性能的要求。 展开更多
关键词 azo靶材 热压 薄膜 溅射
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辉光放电质谱法检测AZO靶材中痕量元素及深度分布 被引量:4
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作者 黄瑾 潘丹梅 郑清洪 《中国测试》 北大核心 2017年第4期33-37,共5页
利用辉光放电质谱仪(GDMS)对铝掺杂的氧化锌(AZO)靶材中的常微量元素及其深度分布进行分析。首先考察AZO样品中的元素和Ar、H、O、N等气体元素形成的多原子离子干扰。其次利用GDMS和台阶仪对已经进行磁控溅射过的AZO靶材表面进行深度剖... 利用辉光放电质谱仪(GDMS)对铝掺杂的氧化锌(AZO)靶材中的常微量元素及其深度分布进行分析。首先考察AZO样品中的元素和Ar、H、O、N等气体元素形成的多原子离子干扰。其次利用GDMS和台阶仪对已经进行磁控溅射过的AZO靶材表面进行深度剖析,考察靶材上的主要污染元素随深度的纵向分布,最后利用GDMS对预溅射完后的AZO靶材内部杂质元素进行质谱分析。利用XPS进行验证,两种方法测试得到的Zn和Al的含量相近。分析结果表明GDMS是分析AZO等半导体靶材的有效方法,该方法可以对靶材造成的污染进行预判,避免溅射过程中造成的污染。 展开更多
关键词 辉光放电质谱法 azo靶材 磁控溅射 深度分析
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有机粘结剂对AZO靶材致密化的影响
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作者 童义平 《广州化工》 CAS 2013年第14期60-61,共2页
以氧化锌及氧化铝为原料,以羧甲基纤维素和聚乙烯醇为粘结剂,制备了氧化锌铝靶材。探讨了粘结剂对靶材致密化过程的影响。实验结果表明:羧甲基纤维素是比聚乙烯醇更好的制作AZO靶材的粘结剂。制备的AZO靶材致密化效果良好,最大相对密度... 以氧化锌及氧化铝为原料,以羧甲基纤维素和聚乙烯醇为粘结剂,制备了氧化锌铝靶材。探讨了粘结剂对靶材致密化过程的影响。实验结果表明:羧甲基纤维素是比聚乙烯醇更好的制作AZO靶材的粘结剂。制备的AZO靶材致密化效果良好,最大相对密度达99%以上。 展开更多
关键词 azo靶材 致密化 烧结 粘结剂
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不同烧结气氛制备AZO靶材的实验研究 被引量:1
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作者 张秀勤 王政红 薛建强 《材料开发与应用》 CAS 2012年第2期40-43,58,共5页
采用机械混粉、造粒、模压和冷等静压(CIP)成型相结合的功能陶瓷制备工艺制备了AZO靶材,研究了空气、真空及惰性气氛对AZO靶材性能的影响。结果发现,氩气保护烧结法制备的AZO靶材不仅密度高,电阻率达10-4Ω.cm量级,而且该方法还可明显... 采用机械混粉、造粒、模压和冷等静压(CIP)成型相结合的功能陶瓷制备工艺制备了AZO靶材,研究了空气、真空及惰性气氛对AZO靶材性能的影响。结果发现,氩气保护烧结法制备的AZO靶材不仅密度高,电阻率达10-4Ω.cm量级,而且该方法还可明显抑制氧化锌的挥发,降低烧结温度,在1320℃的温度下便可制得相对密度为99%、晶粒度在4μm左右的靶材。 展开更多
关键词 azo靶材 azo薄膜 冷等静压 惰性气体
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氧化锌铝陶瓷(AZO)靶材的制备及其电阻性能的测定 被引量:5
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作者 王志勇 彭超群 +2 位作者 王日初 王小锋 刘兵 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期3341-3347,共7页
采用二步烧结技术制备AZO陶瓷靶材,并采用XRD、SEM和EDS对AZO陶瓷靶材进行表征,研究AZO靶材的电阻性能。结果表明:当Al的掺杂量w(Al2O3)为0.5%时,AZO靶材出现第二相ZnAl2O4;随Al掺杂浓度增加,ZnAl2O4的衍射峰强度逐渐增强,ZnO晶粒尺寸... 采用二步烧结技术制备AZO陶瓷靶材,并采用XRD、SEM和EDS对AZO陶瓷靶材进行表征,研究AZO靶材的电阻性能。结果表明:当Al的掺杂量w(Al2O3)为0.5%时,AZO靶材出现第二相ZnAl2O4;随Al掺杂浓度增加,ZnAl2O4的衍射峰强度逐渐增强,ZnO晶粒尺寸逐渐减小;随着第二步烧结温度θnd的升高,AZO靶材的晶粒尺寸逐渐增大,相对密度也随之增加。靶材的电阻率随θnd增加而降低,且随掺杂浓度升高而增加;在第一步烧结温度θst=1 400℃,升温速率vst=10℃/min,第二步烧结温度θnd=1 350℃和t nd=16 h烧结条件下,AZO陶瓷靶材(w(Al2O3)=1.5%)的电阻率仅为2.9×10-2Ω·cm。 展开更多
关键词 azo靶材 二步烧结 保温温度 相对密度 电阻率
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AZO陶瓷靶材粉体冷压-烧结致密化研究 被引量:3
7
作者 童义平 黄秀娟 何午琳 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期22-25,共4页
采用冷压-烧结法制备氧化锌铝陶瓷靶材(ZnO:Al,简称AZO靶材)。用正交实验法设计实验,探讨氧化铝质量分数、压制靶材的压力、烧结温度和烧结时间对靶材致密度的影响,确定最佳制备工艺参数。研究结果表明最佳制备工艺参数是:氧化铝质量分... 采用冷压-烧结法制备氧化锌铝陶瓷靶材(ZnO:Al,简称AZO靶材)。用正交实验法设计实验,探讨氧化铝质量分数、压制靶材的压力、烧结温度和烧结时间对靶材致密度的影响,确定最佳制备工艺参数。研究结果表明最佳制备工艺参数是:氧化铝质量分数为4%,压制靶材的压力为11 MPa,烧结温度为1300℃,烧结时间为2 h。在此条件下,靶材的相对密度可达98%以上,即可实现AZO靶材的超高致密度化。 展开更多
关键词 azo靶材 相对致密度 冷压-烧结法 氧化锌铝
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铝掺杂氧化锌(AZO)废弃靶材回收再利用的研究(英文) 被引量:2
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作者 董雪振 吴任平 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期105-109,共5页
将AZO原料粉末和AZO残靶研磨后的粉末混合,采用注浆成型和常压大气烧结工艺制备靶材,实验主要测试了相对密度、吸水率、线收缩率和电阻率等性能,并通过XRD和SEM表征AZO靶材的晶体形态和微观结构,与新靶材进行性能对比,研究残靶粉末回收... 将AZO原料粉末和AZO残靶研磨后的粉末混合,采用注浆成型和常压大气烧结工艺制备靶材,实验主要测试了相对密度、吸水率、线收缩率和电阻率等性能,并通过XRD和SEM表征AZO靶材的晶体形态和微观结构,与新靶材进行性能对比,研究残靶粉末回收利用对靶材性能的影响。残靶粉末的加入对AZO靶材有轻微影响,测试结果显示烧结温度1450℃、保温5h、AZO残靶加入量为10%时有较好的性能:相对密度高达99.24%,吸水率和收缩率分别为17.96%和15.70%,电阻率为2.12×10-3Ω·cm。含有残靶的AZO靶材稍差的性能可能归结于AZO粉末和残靶粉末的兼容性。 展开更多
关键词 azo靶材 azo 回收利用
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sol-gel法制备氧化锌铝陶瓷靶材及其性能研究 被引量:3
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作者 刘磊 张勤勇 +2 位作者 陈建文 金应荣 王鹏飞 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期4-7,共4页
为提高常压烧结法制备的掺铝氧化锌(AZO)靶材性能,以sol-gel法制备的Al-ZnO复合纳米粉末为原料,对制备工艺参数进行了优化。结果表明:湿法球磨对生坯的密度均匀性有利;随成型压力提高靶材致密度先升后降,电阻率呈相反趋势;增加烧结保温... 为提高常压烧结法制备的掺铝氧化锌(AZO)靶材性能,以sol-gel法制备的Al-ZnO复合纳米粉末为原料,对制备工艺参数进行了优化。结果表明:湿法球磨对生坯的密度均匀性有利;随成型压力提高靶材致密度先升后降,电阻率呈相反趋势;增加烧结保温时间,晶粒尺寸变大,致密度与电阻率改善不明显;采用2MPa成型压力,在1250℃烧结1.0h,所得到的掺杂质量分数为2%的Al的ZnO靶材致密度达99.2%,电阻率约为2×10-2?·cm。 展开更多
关键词 azo靶材 SOL-GEL法 致密度 电阻率
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掺铝氧化锌陶瓷靶材的制备及其薄膜的光学性能 被引量:1
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作者 翟旺建 傅刚 +1 位作者 刘志宇 杨小妮 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期31-34,共4页
以Al(NO3)3.9H2O和ZnO粉体为原料,采用常压烧结方法制备了高致密度和高导电性的ZnO:Al(AZO)陶瓷靶材。研究了烧结温度对AZO靶材微观结构、相对密度和电性能的影响。当Al和Zn的摩尔比为3:100,烧结温度为1 400℃时,所制AZO靶材的致密度达9... 以Al(NO3)3.9H2O和ZnO粉体为原料,采用常压烧结方法制备了高致密度和高导电性的ZnO:Al(AZO)陶瓷靶材。研究了烧结温度对AZO靶材微观结构、相对密度和电性能的影响。当Al和Zn的摩尔比为3:100,烧结温度为1 400℃时,所制AZO靶材的致密度达96%,电阻率为2.5×10–2.cm。以烧结温度为1400℃的AZO陶瓷靶为靶材并通过直流磁控溅射在玻璃基片上制备出了高度c轴择优取向的AZO薄膜,其可见光透过率为90%,禁带宽度为3.63 eV,电阻率为1.7×10–3.cm。 展开更多
关键词 azo靶材 烧结温度 直流磁控溅射 薄膜
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掺铝氧化锌复合粉体制备工艺对靶材性能的影响
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作者 刘磊 张勤勇 +1 位作者 金应荣 王鹏飞 《西华大学学报(自然科学版)》 CAS 2011年第3期53-56,共4页
以Zn(NO3)2.6H2O、Al(NO3)3.9H2O为前驱体,柠檬酸为络合剂,采用溶胶-凝胶法制备了掺铝氧化锌复合粉体,并通过普通烧结制备出掺铝氧化锌靶材,对制备的靶材进行测试试验,结果表明:采用两倍于金属离子摩尔浓度的柠檬酸为络合剂、pH为7.2、... 以Zn(NO3)2.6H2O、Al(NO3)3.9H2O为前驱体,柠檬酸为络合剂,采用溶胶-凝胶法制备了掺铝氧化锌复合粉体,并通过普通烧结制备出掺铝氧化锌靶材,对制备的靶材进行测试试验,结果表明:采用两倍于金属离子摩尔浓度的柠檬酸为络合剂、pH为7.2、干燥温度为90℃时,所制备靶材的致密度及电学性能有较优值,与固相反应法相比,该靶材的性能更好,成分更均匀。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 azo陶瓷 合成工艺
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烧结温度对AZO热压靶材性能影响研究 被引量:5
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作者 白雪 王星明 +3 位作者 韩仓 储茂友 段华英 孙静 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期892-898,共7页
以ZnO和Al2O3粉体为原料,采用热压烧结制备AZO靶材。通过阿基米德法测量靶材的密度,压汞法测量靶材的孔径分布,扫描电镜观察靶材的断面形貌,研究了热压温度对AZO靶材密度、气孔演化和显微结构的影响。结果表明:根据烧结温度的不同,AZO... 以ZnO和Al2O3粉体为原料,采用热压烧结制备AZO靶材。通过阿基米德法测量靶材的密度,压汞法测量靶材的孔径分布,扫描电镜观察靶材的断面形貌,研究了热压温度对AZO靶材密度、气孔演化和显微结构的影响。结果表明:根据烧结温度的不同,AZO靶材热压致密化过程分为两个阶段:850~1050℃,随着温度的升高,连通气孔发生合并与收缩,孔径分布逐渐集中化,同时闭孔率逐渐减小,在1050℃具有最低值0.104%。这一阶段的主要特征是致密化速率较快,存在相互连通的气孔。当温度升至1150℃,颗粒之间结合紧密,孔隙率降至5.21%。这一阶段的主要特征是气孔全部闭合。将所制备的靶材作为溅射源,进行射频磁控镀膜测试。采用台阶仪测量膜厚,紫外分光光度计测量薄膜透光率,四探针电阻图谱仪测量薄膜电阻率,XRD分析物相的结构。镀膜测试结果显示,在相同的溅射条件下,靶材孔隙率越低,沉积速率越快,所得薄膜电阻率越低,但溅射功率较高时薄膜透光率明显减小。平均孔径较小且孔径分布集中的靶材,溅射所得薄膜电阻率较低。在溅射功率密度为3.9 W.cm-2下,相对密度高于80%的AZO靶材,靶材寿命大于150 W.h。相对密度为94.79%的靶材在溅射功率30 W下沉积20 min得到薄膜的电阻率为3.14×10-4Ω.cm,平均透过率大于85%,具有002择优取向,满足薄膜太阳能对透明导电薄膜性能的要求。 展开更多
关键词 azo靶材 热压 薄膜 溅射
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氧化锌铝陶瓷靶材制备工艺研究
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作者 唐培新 吕周晋 +1 位作者 车立达 吴战芳 《粉末冶金工业》 CAS 北大核心 2023年第4期22-26,共5页
AZO靶材是一种透明导电氧化锌合金靶材,具有优异的导电性和透明度,广泛应用于太阳能电池、液晶显示器、光电器件等领域。实验采用喷雾干燥工艺制备粉末+冷等静压成形+常压烧结法制备了掺铝氧化锌AZO陶瓷靶材。研究了不同烧结温度对氧化... AZO靶材是一种透明导电氧化锌合金靶材,具有优异的导电性和透明度,广泛应用于太阳能电池、液晶显示器、光电器件等领域。实验采用喷雾干燥工艺制备粉末+冷等静压成形+常压烧结法制备了掺铝氧化锌AZO陶瓷靶材。研究了不同烧结温度对氧化锌铝陶瓷靶材性能的影响,确定了最佳的工艺参数。研究结果表明,采用喷雾干燥制粉+冷等静压成形+1 300℃无压烧结,可以制备致密度达到99%,平均晶粒尺寸为20μm左右,电阻率为10-3Ω·cm,含有少量ZnAl2O4物相的AZO靶材。热等静压实验发现,热等静压可以将烧坯密度从97.2%提升至100%,达到理论密度。超高致密靶材可以承受更高功率、长时间溅射而不开裂,可以大幅提高溅射效率。 展开更多
关键词 azo陶瓷 烧结 电阻率 喷雾干燥 热等静压
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Preparation of Al-doped ZnO sputter target by hot pressing 被引量:6
14
作者 王星明 白雪 +4 位作者 段华英 石志霞 孙静 卢世刚 黄松涛 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第7期1550-1556,共7页
Al-doped ZnO (AZO) target was prepared by hot pressing using ZnO and Al2O3 powder in mass ratio of 98:2.The effects of hot pressing conditions including temperature,pressure and preserving time on relative density ... Al-doped ZnO (AZO) target was prepared by hot pressing using ZnO and Al2O3 powder in mass ratio of 98:2.The effects of hot pressing conditions including temperature,pressure and preserving time on relative density were investigated.Pore evolution and phase structure change during densification process were studied.The results show that AZO target with super high relative density of 99% was prepared by two-stage hot pressing method under pressure of 35MPa,temperature of 1 050℃ and 1 150℃ with preserving time of 1 h,respectively.At temperature around 1 050℃,the number of isolated pore wasminimum.At temperature lower than 900℃,there existed Al2O3 phase.At temperature higher than 1 000℃,ZnAl2O4 phase was generated and its content was increased with temperature increasing.Hot pressing method had the advantage over pressureless sintering that the content of ZnAl2O4 was lower and sintering temperature could be also lower.With increasing the hot pressing temperature and preserving time,the electric resistivity of AZO target decreased greatly.A low resistivity of 3 10-3 cm was achieved under the temperature of 1 100℃,pressure of 35MPa and preserving time of 10 h. 展开更多
关键词 aluminum-doped ZnO azo sputter target hot pressing PORE phase structure
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