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Experimental Investigation of the Anisotropic Thermal Conductivity of C/SiC Composite Thin Slab
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作者 毋克凡 张虎 唐桂华 《Chinese Physics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期48-60,共13页
Fiber-reinforced composites possess anisotropic mechanical and heat transfer properties due to their anisotropic fibers and structure distribution.In C/Si C composites,the out-of-plane thermal conductivity has mainly ... Fiber-reinforced composites possess anisotropic mechanical and heat transfer properties due to their anisotropic fibers and structure distribution.In C/Si C composites,the out-of-plane thermal conductivity has mainly been studied,whereas the in-plane thermal conductivity has received less attention due to their limited thickness. 展开更多
关键词 cOMPOsiTES c/si ANISOTROPIc
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CVI制备C/Si_3N_4复合材料及其表征 被引量:6
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作者 刘永胜 成来飞 +2 位作者 张立同 徐永东 刘谊 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期1208-1214,共7页
以SICl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透法CVI)制备C/Si3N4复合材料.渗透产物的能谱和X射线衍射表明渗透产物为非晶态Si3N4,经1350℃真空热处理后,产物仍然为非晶态Si3N4;经1450℃真空热处理后,产物已经发生晶型转变,由非晶态转变... 以SICl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透法CVI)制备C/Si3N4复合材料.渗透产物的能谱和X射线衍射表明渗透产物为非晶态Si3N4,经1350℃真空热处理后,产物仍然为非晶态Si3N4;经1450℃真空热处理后,产物已经发生晶型转变,由非晶态转变为晶态的α-Si3N4和β-Si3N4.渗透温度、渗透时间、气体流量对试样致密化、增重及微观结构的影响研究表明渗透温度为900℃、SiCl4流量为30mL/min、H2流量为100mL/min、NH3流量为80mL/min、渗透时间120h、系统压力1000Pa时,气体渗透进入碳布预制体后,在预制体内反应均匀,制备的复合材料较均匀. 展开更多
关键词 化学气相渗透(cVI) c/si3N4复合材料 微观结构 工艺参数
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C/SiC复合材料钻削工具载荷及磨损研究 被引量:6
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作者 丁凯 傅玉灿 +2 位作者 苏宏华 徐鸿翔 崔方方 《工具技术》 北大核心 2016年第7期15-19,共5页
采用HAM PCD焊刃麻花钻、KENNA CVD涂层麻花钻、金刚石套料钻(普通钻削与超声辅助钻削两种方法)三种工具对C/Si C复合材料进行了钻削试验,并对工具磨损情况、钻削力及扭矩进行了对比分析。结果表明:累计钻削深度lT=160mm后,套料钻普通... 采用HAM PCD焊刃麻花钻、KENNA CVD涂层麻花钻、金刚石套料钻(普通钻削与超声辅助钻削两种方法)三种工具对C/Si C复合材料进行了钻削试验,并对工具磨损情况、钻削力及扭矩进行了对比分析。结果表明:累计钻削深度lT=160mm后,套料钻普通钻削、超声辅助钻削磨损程度较轻,而HAM PCD焊刃麻花钻,KENNA CVD涂层麻花钻磨损严重。不同工具钻削加工时钻削力及扭矩随着工艺条件的变化呈现不同的变化趋势;采用套料钻加工时,与普通钻削相比,超声辅助钻削可有效降低钻削力及扭矩,最大降低幅度分别达到23%、56%。整体而言,套料钻超声辅助钻削加工时钻削力及扭矩较小、工具磨损较轻,是一种适合于C/Si C复合材料制孔的工艺方法。 展开更多
关键词 c/si c复合材料 钻削 超声辅助钻削 工具磨损 钻削力 扭矩
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制备工艺对三维针刺C/SiC层向动态压缩性能的影响 被引量:3
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作者 高晓菊 成来飞 +2 位作者 燕东明 李良军 方志坚 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期95-99,105,共6页
为了研究制备工艺对三维针刺C/Si C复合材料(3N-C/Si C)层向压缩力学性能的影响,对分别采用反应熔体浸渍(RMI)和化学气相浸渍(CVI)2种工艺制备的3N-C/Si C进行了不同应变率下压缩性能研究,并对比了2种工艺试样在破坏前后的显微结构。结... 为了研究制备工艺对三维针刺C/Si C复合材料(3N-C/Si C)层向压缩力学性能的影响,对分别采用反应熔体浸渍(RMI)和化学气相浸渍(CVI)2种工艺制备的3N-C/Si C进行了不同应变率下压缩性能研究,并对比了2种工艺试样在破坏前后的显微结构。结果表明,在高应变率下2种工艺试样的破坏强度分布均遵循Weibull分布,且RMI工艺试样的性能稳定性明显高于CVI工艺试样。2种工艺试样的压缩强度均具有明显的应变率强化效应,且与对数应变率近似呈线性关系。观察断口形貌发现,在静态压缩载荷作用下,2种工艺试样的破坏方式为剪切破坏和分层破坏的叠加,而在动态压缩条件下试样的破坏方式为劈裂破坏。研究发现,CVI工艺试样纤维束断口不平整;RMI工艺试样断口相对平整,纤维束多发生整束剪断,且动态条件下纤维束的束内脱粘现象得到明显的抑制。 展开更多
关键词 三维针刺c/sic复合材料 WEIBULL分布 RMI工艺 cVI工艺 破坏模式
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银基钎料活性钎焊C/SiC-Ti55与Al_2O_3-Ti55接头界面组织 被引量:1
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作者 沈元勋 李正林 +2 位作者 郝传勇 张劲松 龙伟民 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期75-78,共4页
以Ag-28Cu和Ag-9Pd-9Ga两种银基钎料钎焊C/SiC复合材料和Al_2O_3陶瓷与Ti55钛合金接头,考察了钎料和钎焊工艺对接头焊缝组织形貌变化影响.结果表明,采用Ag-28Cu钎料在850~920℃温度区间钎焊C/SiCTi55和Al_2O_3-Ti55接头均在陶瓷基体近... 以Ag-28Cu和Ag-9Pd-9Ga两种银基钎料钎焊C/SiC复合材料和Al_2O_3陶瓷与Ti55钛合金接头,考察了钎料和钎焊工艺对接头焊缝组织形貌变化影响.结果表明,采用Ag-28Cu钎料在850~920℃温度区间钎焊C/SiCTi55和Al_2O_3-Ti55接头均在陶瓷基体近钎焊界面区域开裂,原因为Ti55合金中Ti元素大量溶解扩散并与铜反应生成的大量脆性Cu-Ti化合物恶化焊缝塑性.Ag-9Pd-9Ga钎料则可以获得完整接头,钎焊过程中Pd,Ga元素在Ti55侧钎焊界面富集并与Ti元素反应生成PdTi,Ti2Ga,Ti4Pd化合物的反应层,有效抑制了元素往焊缝中的溶解扩散. 展开更多
关键词 c/si c复合材料 AL2O3陶瓷 钛合金 界面组织 扩散
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C/SiC陶瓷基复合材料表面Si/SiC涂层制备 被引量:1
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作者 张玉娣 张长瑞 李俊生 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期29-31,35,共4页
采用新的泥浆预涂层 -反应烧结工艺在 C/ Si C复合材料表面制备 Si/ Si C致密涂层 ,重点研究了原材料、工艺条件对涂层性能的影响 ;采用 XRD分析涂层的组分及晶体结构 ,采用 SEM分析涂层的断口形貌。结果显示 ,采用 MC为胶粘剂、较低的... 采用新的泥浆预涂层 -反应烧结工艺在 C/ Si C复合材料表面制备 Si/ Si C致密涂层 ,重点研究了原材料、工艺条件对涂层性能的影响 ;采用 XRD分析涂层的组分及晶体结构 ,采用 SEM分析涂层的断口形貌。结果显示 ,采用 MC为胶粘剂、较低的裂解升温速度制备的预涂层性能最好 ;无 Si气氛存在直接高温烧结制备涂层性能差 ,而在真空环境下、 14 5 0~ 16 0 0℃温度范围高温烧结能够制备出致密的 Si/ Si C涂层 。 展开更多
关键词 c/sic陶瓷基复合材料 预涂层 反应烧结 si/sic涂层
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磺酸基功能化C/Si材料催化合成短碳链结构磷脂 被引量:5
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作者 程珂 张江华 +5 位作者 张伟 王巧娥 阴法文 李子轩 王婷 周大勇 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第8期1667-1672,共6页
通过化学活化有机磺酸前驱体,低温下制备了磺酸基功能化碳/硅材料(C/Si-SO_(3)H),并将其用于大豆卵磷脂与丙酸乙酯或丁酸甲酯催化合成短碳链结构磷脂的反应中,考察了反应温度、反应时间、催化剂用量及循环次数对该酯交换反应的影响。采... 通过化学活化有机磺酸前驱体,低温下制备了磺酸基功能化碳/硅材料(C/Si-SO_(3)H),并将其用于大豆卵磷脂与丙酸乙酯或丁酸甲酯催化合成短碳链结构磷脂的反应中,考察了反应温度、反应时间、催化剂用量及循环次数对该酯交换反应的影响。采用FTIR、Raman及Boehm酸含量滴定等手段对C/Si-SO_(3)H进行结构和表面酸性质表征,以建立该催化剂的构效关系。结果表明,C/Si-SO_(3)H表面含有大量Bronsted酸性位点,因而催化性能较为突出;当催化剂用量为反应原料总质量的7%、40℃反应6 h,短碳链结构磷脂中丙酸或丁酸的接入率高达18.33%或16.23%,且C/Si-SO_(3)H循环利用4次而无明显失活。 展开更多
关键词 结构磷脂 短碳链脂肪酸 c/si材料 固体酸 酯交换反应 食品与饲料添加剂
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C/Si-C-N复合材料的制备及其氧化行为研究 被引量:5
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作者 卢国锋 乔生儒 +2 位作者 弓满锋 侯军涛 焦更生 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期13-17,共5页
采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体以热解炭为界面的炭纤维增强陶瓷基复合材料(C/Si-C-N)。采用热重法研究了C/Si-C-N复合材料在空气中的氧化行为,并探讨了基体制备温度对复合材料抗氧化性能的影响。研究表明:不同温度下制备的... 采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体以热解炭为界面的炭纤维增强陶瓷基复合材料(C/Si-C-N)。采用热重法研究了C/Si-C-N复合材料在空气中的氧化行为,并探讨了基体制备温度对复合材料抗氧化性能的影响。研究表明:不同温度下制备的复合材料,其氧化行为完全不同。高温下制备的C/Si-C-N复合材料其氧化失重随氧化温度的升高而持续增加;低温下制备的C/Si-C-N复合材料则其氧化失重先随温度的升高而增加,随后在800-1000℃之间随温度的升高而减小,接着又随温度的升高而增加。较高的制备温度可使复合材料在900℃以下温度区间的抗氧化性能得到提高,但却使900℃以上温度区间的抗氧化性能降低。 展开更多
关键词 复合材料 抗氧化性能 sic—N 裂纹 热膨胀系数
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优化主氢流量及C/Si比提高76.2 mm 4H-SiC同质外延浓度均匀性 被引量:1
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作者 李赟 孙永强 +1 位作者 高汉超 许晓军 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期218-222,共5页
源在外延片直径方向上的耗尽导致了外延片上局部各点的生长速率及掺杂浓度是个随位置变化的量,因此造成了外延片厚度及浓度的不均匀性。通过引入基座气浮旋转可以有效降低这种不均匀性,在典型工艺条件下,采用基座旋转,76.2 mm 4H-SiC外... 源在外延片直径方向上的耗尽导致了外延片上局部各点的生长速率及掺杂浓度是个随位置变化的量,因此造成了外延片厚度及浓度的不均匀性。通过引入基座气浮旋转可以有效降低这种不均匀性,在典型工艺条件下,采用基座旋转,76.2 mm 4H-SiC外延片厚度不均匀性、p型掺杂浓度不均匀性和n型掺杂不均匀性分别为0.21%、1.13%和6.96%。基座旋转并不能完全消除外延片n型掺杂浓度不均匀性。优化主氢流量及C/Si比能够改变掺杂源的耗尽曲线,将76.2 mm SiC外延片n型掺浓度不均匀性优化至2.096%(σ/mean)。 展开更多
关键词 同质外延 碳化硅 均匀性 主氢流量 碳硅比
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锂离子电池负极材料Si@C/SiO_x的制备及其电化学性能 被引量:5
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作者 杨桃 李肖 +3 位作者 田晓冬 宋燕 刘占军 郭全贵 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期699-704,共6页
硅理论比容量高,放电平台低,是商业化锂离子电池石墨负极的替代材料之一,但是其充放电循环中体积变化大,容量衰减迅速,制约了其商业化使用。本研究通过一步法制备了具有核壳结构的硅@碳/硅氧化物(Si@C/SiO_x),将其作为锂离子电池负极材... 硅理论比容量高,放电平台低,是商业化锂离子电池石墨负极的替代材料之一,但是其充放电循环中体积变化大,容量衰减迅速,制约了其商业化使用。本研究通过一步法制备了具有核壳结构的硅@碳/硅氧化物(Si@C/SiO_x),将其作为锂离子电池负极材料。采用SEM、TEM、XRD、XPS等手段对所制备材料的微观形貌、结构以及组分进行了分析,并对其进行了相关的电化学测试。结果表明,Si@C/SiO_x核壳材料比Si@C核壳材料具备更优良的电化学性能。在200 mA/g电流密度下,循环45次后,Si@C的容量保持率为60.2%;而当C/SiO_x作为Si核外壳时,200 mA/g电流密度下,循环45次后,Si@C/SiO_x比容量值为787.2 mAh/g,容量保持率提高到87.3%。这主要是由于C与SiO_x复合后,外壳的机械强度大于碳壳,能够较好地缓冲Si体积膨胀产生的巨大应力,从而保证结构的完整性,提高了硅基负极材料的商业化应用的可能性。 展开更多
关键词 锂离子电池 硅@碳/硅氧化物复合材料 核壳结构 循环稳定性
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CVI法制备的C/PyC/Si-C-N复合材料弯曲行为研究 被引量:1
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作者 卢国锋 乔生儒 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第24期27-30,48,共5页
采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体、以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N)。用扫描电子显微镜(SEM)分析了C/PyC/Si-C-N的断口形貌,用三点弯曲法测试了C/PyC/Si-C-N的弯曲行为。研究结果表明:在1600℃以下,C/Py... 采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体、以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N)。用扫描电子显微镜(SEM)分析了C/PyC/Si-C-N的断口形貌,用三点弯曲法测试了C/PyC/Si-C-N的弯曲行为。研究结果表明:在1600℃以下,C/PyC/Si-C-N的弯曲强度随温度的升高而增加,弹性模量基本保持不变并略有增加;随温度的升高,PyC界面层较厚的区域其界面结合会逐渐变强,而界面层厚度非常小或无界面层的区域其界面结合会逐渐变弱。 展开更多
关键词 复合材料 弯曲强度 模量 si-c-N陶瓷
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C/PyC/Si-C-N复合材料的热物理性能研究 被引量:1
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作者 卢国锋 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期1015-1019,1027,共6页
本研究采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N)。用热膨胀仪和激光导热仪分别测试了C/PyC/Si-C-N的热膨胀性能和热扩散性能。研究结果表明:在25~1200℃范围内,C/PyC/Si-C-N复合... 本研究采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N)。用热膨胀仪和激光导热仪分别测试了C/PyC/Si-C-N的热膨胀性能和热扩散性能。研究结果表明:在25~1200℃范围内,C/PyC/Si-C-N复合材料的平均热膨胀系数为0.638×10^(-6)K^(-1);而热扩散率则随温度的升高而减小,并与温度呈一种指数关系,常温下的热扩散率约为0.00925cm^2·s^(-1)。 展开更多
关键词 复合材料 热膨胀 热扩散 si-c-N陶瓷
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C/PyC/Si-C-N复合材料的热膨胀行为
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作者 卢国锋 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2016年第1期432-435,共4页
采用CVI方法制备出了具有热解碳界面层的碳纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N)和无界面层的碳纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料(C/Si-C-N)。用热膨胀仪分别测试了C/PyC/Si-C-N和C/Si-C-N的热膨胀性能,研究了碳界面对复合材料... 采用CVI方法制备出了具有热解碳界面层的碳纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N)和无界面层的碳纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料(C/Si-C-N)。用热膨胀仪分别测试了C/PyC/Si-C-N和C/Si-C-N的热膨胀性能,研究了碳界面对复合材料热膨胀性能的影响。研究结果表明:在25~1200℃范围内,C/PyC/Si-C-N复合材料的平均热膨胀系数为0.638×10-6 K-1,线膨胀率为0.0752%;在780℃以上,碳界面的存在使碳纤维增强SiC-N基复合材料的热膨胀系数降低,在780℃以下时则对复合材料的热膨胀系数基本无影响。 展开更多
关键词 平均热膨胀系数 线膨胀率 si-c-N陶瓷 复合材料
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Si-O-C界面层对C/SiC-N复合材料力学性能和热膨胀性能的影响 被引量:6
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作者 卢国锋 乔生儒 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期83-87,共5页
以CVI方法制备基体、以PIP工艺制备界面层成功制备出了具有Si-O-C界面层的碳纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料(C/Si-O-C/Si-C-N),研究了Si-O-C界面层对C/Si-C-N复合材料力学性能和热膨胀性能的影响。结果表明:C/SiO-C/Si-C-N的抗弯强度与C/... 以CVI方法制备基体、以PIP工艺制备界面层成功制备出了具有Si-O-C界面层的碳纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料(C/Si-O-C/Si-C-N),研究了Si-O-C界面层对C/Si-C-N复合材料力学性能和热膨胀性能的影响。结果表明:C/SiO-C/Si-C-N的抗弯强度与C/PyC/Si-C-N基本相当,Si-O-C界面层在C/Si-C-N中可起到与PyC界面层基本相同的作用;在实验温度区间内,C/Si-O-C/Si-C-N平均热膨胀系数比C/PyC/Si-C-N略有升高。 展开更多
关键词 si-O-c陶瓷 界面层 抗弯强度 热膨胀 陶瓷基复合材料
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SiC纳米线对大气等离子喷涂硅涂层性能的影响
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作者 王博 庄辛鹏 +4 位作者 李归 王宇龙 李媛琪 施伟 李佳艳 《耐火材料》 CAS 北大核心 2024年第5期369-375,共7页
为提升C/SiC复合材料表面Si涂层的韧性及其与C/SiC复合材料的结合强度,首先以10 mm×10 mm×10 mm的C/SiC复合材料作为基体,在基体表面生成约20μm厚的SiC纳米线(SiCnws)多孔层;再用大气等离子体喷涂法分别将生长SiCnws的基体... 为提升C/SiC复合材料表面Si涂层的韧性及其与C/SiC复合材料的结合强度,首先以10 mm×10 mm×10 mm的C/SiC复合材料作为基体,在基体表面生成约20μm厚的SiC纳米线(SiCnws)多孔层;再用大气等离子体喷涂法分别将生长SiCnws的基体和未生长SiCnws的基体喷涂约30、60、90μm厚的Si涂层。研究SiCnws对涂层试样的结合强度和抗氧化性的影响,并借助XRD、SEM、TEM和EDS对所制备的SiCnws和SiCnws/Si涂层进行物相组成、显微结构的分析。结果表明:1)制备的SiCnws形状平直,表面光滑,取向随机,直径为100~200 nm,是沿[111]晶向择优生长的β-SiC;2)SiCnws引入到Si涂层后,SiCnws/Si涂层试样的结合强度均比相应的Si涂层试样的高,说明SiCnws增强了Si涂层与C/SiC复合材料的结合;3)从室温至1400℃经历12次热震循环后,SiCnws/Si涂层试样的质量损失率比相应Si涂层试样的低20.7%~37.2%,说明SiCnws能有效缓解热应力,抑制裂纹的形成和扩展,降低裂纹尺寸和数量,提高涂层的抗氧化性。 展开更多
关键词 c/sic复合材料 sic纳米线 si涂层 抗氧化性能 结合强度
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Fe-C-Mn-Si-Al双相钢两相区加热过程中的奥氏体相变行为研究 被引量:1
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作者 谢钊远 林关强 +1 位作者 王定峰 蓝慧芳 《热加工工艺》 北大核心 2024年第17期127-130,共4页
采用Dictra软件模拟与实验验证相结合,研究了不同加热条件下铁素体+渗碳体向奥氏体的相变过程,重点分析了渗碳体溶解规律及其对奥氏体相变动力学的影响规律,借助场发射电子探针对不同加热路径下的铁素体及马氏体组织形貌及元素分布进行... 采用Dictra软件模拟与实验验证相结合,研究了不同加热条件下铁素体+渗碳体向奥氏体的相变过程,重点分析了渗碳体溶解规律及其对奥氏体相变动力学的影响规律,借助场发射电子探针对不同加热路径下的铁素体及马氏体组织形貌及元素分布进行观测,使用透射电镜对渗碳体和残余奥氏体进行了表征。结果表明,慢速加热至740℃长时间等温与加热至780℃较短时间等温对比发现,虽然渗碳体刚溶解完全时的奥氏体分数相差不大,但在渗碳体溶解的过程中,奥氏体相变的方式不尽相同。在慢速加热条件下,铁素体晶界处为奥氏体优先形核地点;快速加热条件下,由于形核驱动力提高,铁素体晶粒内部的渗碳体处同样可以形核。740℃等温结合快速加热,获得了马氏体与残余奥氏体的“壳-核”组织结构。 展开更多
关键词 Fe-c-Mn-si-Al钢 渗碳体溶解 奥氏体相变 残余奥氏体
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粉末级配对非晶Fe-Cr-Si-B-C软磁粉心的性能影响
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作者 周章桥 李奇 +3 位作者 周瑞霖 王韬 聂彦 王鲜 《磁性材料及器件》 CAS 2024年第6期18-23,共6页
以非晶Fe-Cr-Si-B-C雾化合金粉末为原料,改变粗粉(−250~+400目)和细粉(−600目)质量比(粉末级配)分别制备软磁粉心,考察了有效磁导率、直流偏置性能和功率损耗。结果表明,软磁粉心的有效磁导率与其密度正相关,适当的级配可有效提升密度... 以非晶Fe-Cr-Si-B-C雾化合金粉末为原料,改变粗粉(−250~+400目)和细粉(−600目)质量比(粉末级配)分别制备软磁粉心,考察了有效磁导率、直流偏置性能和功率损耗。结果表明,软磁粉心的有效磁导率与其密度正相关,适当的级配可有效提升密度。在同一磁导率水平下,适当增加细粉比例可提高磁心内部的气隙分布均匀性,进而提升其偏置性能,并降低高频(MHz)损耗。当粗细合金粉末按40:60质量比混合时,粉心在1 MHz处的有效磁导率为19.52,且直流偏置场为100 Oe时,磁导率百分比为83.04%;1 MHz/20 mT下的损耗为1467.5 mW/cm^(3)。40:60样品相对原始雾化粉样品密度提高2.4%,孔隙率降低5.8%,有效磁导率(1 MHz)提高5.9%。 展开更多
关键词 非晶Fe-cr-si-B-c合金粉末 软磁粉心 粉末级配 直流偏置性能
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高质量6英寸4H-SiC同质外延层快速生长 被引量:4
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作者 薛宏伟 袁肇耿 +1 位作者 吴会旺 杨龙 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第5期446-451,共6页
采用化学气相沉积法在6英寸(1英寸=2.54 cm)4°偏角4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长,通过研究Si/H_(2)比(所用气源摩尔比)与生长速率的相互关系,使4H-SiC同质外延层生长速率达到101μm/h。同时,系统研究了C/Si比对4H-SiC同质外延... 采用化学气相沉积法在6英寸(1英寸=2.54 cm)4°偏角4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长,通过研究Si/H_(2)比(所用气源摩尔比)与生长速率的相互关系,使4H-SiC同质外延层生长速率达到101μm/h。同时,系统研究了C/Si比对4H-SiC同质外延层生长速率、表面缺陷密度和基面位错密度的影响。采用光学显微镜和表面缺陷测试仪对同质外延层缺陷形貌以及缺陷数量进行表征。结果表明,当C/Si比不小于0.75时,4H-SiC同质外延层生长速率趋于稳定,约为101μm/h,这是沉积表面硅源受限导致的。此外,随着C/Si比增加,4H-SiC同质外延层表面缺陷密度明显增多,而衬底基面位错(BPD)向刃位错(TED)转化率几乎接近100%。因此,当生长速率约为101μm/h、C/Si比为0.77时能够获得高质量、高一致性的4H-SiC同质外延片,其外延层表面缺陷和基面位错密度分别为0.39 cm^(-2)和0.14 cm^(-2),外延层厚度和掺杂浓度一致性分别为0.86%和1.80%。 展开更多
关键词 4H-sic 同质外延片 c/si 表面缺陷密度 基面位错(BPD)密度
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C/Mullite/Si-C-N复合材料的组织结构及其弯曲行为研究 被引量:4
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作者 卢国锋 乔生儒 +1 位作者 焦更生 徐浩龙 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期82-86,91,共6页
本研究制备出了以莫来石为界面层的炭纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料(C/Mullite/Si-C-N)。使用三点弯曲法研究了复合材料在室温、1300℃和1600℃时的弯曲断裂行为,利用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察了复合材料的组织和弯曲断口形貌... 本研究制备出了以莫来石为界面层的炭纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料(C/Mullite/Si-C-N)。使用三点弯曲法研究了复合材料在室温、1300℃和1600℃时的弯曲断裂行为,利用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察了复合材料的组织和弯曲断口形貌。结果表明:在室温和1300℃时,C/Mullite/Si-C-N复合材料的断口呈现出明显的脆性断裂特征;而在1600℃时,则呈现出韧性断裂特征。1300℃时的弯曲强度高于室温强度,模量则与室温下的基本相等。1600℃时,复合材料的弯曲强度和模量都明显下降。与具有热解炭界面层的C/Si-C-N复合材料相比,采用莫来石界面后,C/Si-C-N复合材料的强度明显下降。 展开更多
关键词 弯曲强度 c/si-c-N复合材料 莫来石 界面层
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激光气相法实验参数对Fe/C/Si超微粒子性能的影响 被引量:1
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作者 郭广生 万开颜 +3 位作者 高晓云 张敬畅 王伟洁 杨福明 《应用激光》 CSCD 北大核心 1993年第3期125-128,共4页
本文较为详细地研究了实验参数对激光气相法制备Fe/C/Si超微粒子的化学成份、粒径、形貌及结构等方面的影响规律。采用X-射线衍射、电子衍射、透射电镜、热分析等先进手段对超微粒子的性能进行了分析。
关键词 超微粒子 激光气相法 Fe/c/si粒子
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