低功耗CMOS差分环形压控振荡器设计

提出了一个基于0.18μm标准CMOS工艺实现的四级差分环形压控振荡器.全差分环形压控振荡器采用带对称负载的差分延时单元.仿真结果表明,压控振荡器的频率范围在最坏情况为0.21～1.18GHz;偏离中心频率10MHz情况下,压控振荡器的相位噪声为-118.13dB/Hz;1.8V电源电压下,中心频率为600MHz时,压控振荡器的功耗仅有4.16mW;版图面积约为0.006mm2,可应用于锁相环和频率综合器设计中.

带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器设计

基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款应用于锁相环频率综合器中的带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器。环形压控振荡器采用3级交叉耦合延时单元构成。仿真结果表明,压控振荡器输出频率范围为735~845 MHz;在温度补偿下,温度变化从-60~100oC时,振荡器输出频率漂移中心频率790 MHz±10 MHz;当振荡频率为790 MHz时,在偏离其中心频率1 MHz处,压控振荡器的相位噪声为-99 d Bc/Hz;1.2 V电源供电情况下,压控振荡器的功耗为0.96 m W;版图面积约为0.005 mm^2。

低功耗低相位噪声的互补型电流复用Colpitts VCO设计

在本文中,提出了一种基于变压器的电流复用Colpitts压控振荡器(VC0),电路在互补型形式下,采用变压器,将N型Colpitts振荡器和P型Colpitts振荡器联合,为电路提供差分输出。该VC0由于采用了低噪声Colpitts振荡器结构和负跨导增强技术,因而实现了较低的相位噪声,并且由于电流复用技术的采用,所消耗的直流功耗降低了一半。基于0.13 pm CMOS工艺对VC0进行流片实现,芯片面积为0.53 mm×0.56 mm。芯片实测结果表明:该VC0的振荡频率为7.34~8.94 GHz,在8.2 GHz振荡频率下,取得了-115.3 dBc/Hz@l MHz的相位噪声。在1.2 V电压供电下,仅消耗了2.5 mW的功耗。将调谐范围计算在内的品质因数F0M为-195.4 dBc/Hz。