基于CMOS技术的I^2C总线接口实现方法

研究了I2C总线协议内容,设计了基于CMOS技术的I2C总线接口的系统结构及实现方法。目前对于I2C总线的设计一般基于FPGA和单片机编程,文中采用CMOS技术设计和实现,具有结构简单、使用灵活、成本低、速度快的特点,在实际应用中可以满足3 MHz/s以下的传输速率,具有一定实用价值。

基于数码相机的CCD与CMOS技术

数码相机的应用为今天的出版印刷带来了更多的方便,其主要技术是CCD技术与CMOS技术,本文对这两种技术作了简要介绍。

光通信高速电路中CMOS技术研究进展

本文从光接收机的原理、结构和集成;CMOS技术发展和器件性能;CMOS高速电路技术三个不同的角度分析和展望了CMOS技术在高速光通信电路中的应用前景。

欧盟为5G打造Ⅲ-Ⅴ族CMOS技术

欧盟（E．U．）最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOS SoC技术整合Ⅲ-Ⅴ族纳米半导体”（INSIGHT）研发计划，这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体（CMOS）上整合Ⅲ-Ⅴ族电晶体通道。其最终目的则在于符合未来的5G规格要求，以及瞄准频宽更广、影像解析度更高的雷达系统。

飞利浦在IMEC上发布最新90纳米工艺RF CMOS技术

飞利浦半导体日前在IEEE举办的国际电子器件会议(IEDM)上，发布了超过17篇的半导体研究论文。这些论文介绍了飞利浦与比利时微电子研究中心(IMEC)以及Crolles2 Alliance的研发成果，内容涵盖65及45纳米节点CMOS工艺、90纳米节点RF CMOS性能等。

标准CMOS技术实现场氧微桥、悬浮薄膜

我们发现在标准CMOS工艺中有许多工艺可应用到微机械结构的制造中去.仅仅增加一步无需掩膜的KOH腐蚀工艺,用工业化3微米CMOS工艺(加拿大北方电讯电子有限公司提供)实现了许多微型桥、悬浮薄膜和螺旋弹簧微机械结构.

CMOS技术成就未来消费和工业设备的视觉

优质、准确的成像正成为越来越多不同应用中的一个重要要求.从弱光到高亮等光照条件下捕捉动态场景是此扩张市场的最大的挑战.最新的典型应用包括无人机、增强现实（AR）和虚拟现实（VR）.

Icera将收购专注于射频CMOS技术的Sirific Wireless 收购增强了Icera在无线芯片集市场的竞争优势

软件定义无线调制解调器芯片集领域的领导者Icera Inc．在2008年4月7日宣布，该公司已经与专注于先进CMOS射频（RF）收发器的无晶圆厂半导体公司Sirific Wireless签署了一项最终合并协议。这将使Icera能够为移动宽带市场提供一套完善的芯片集解决方案。行业分析师预计到2012年移动宽带用户将从目前的9000万增至13亿。

Atmel面向高速低功耗RF器件发布0．18μm CMOS技术

Atmel公司近日推出0．18μm的AT58900RFCMOS工艺技术，主要面向需要高速低功耗RF器件（如WLAN、WiMAX及ZigBee等应用）的ASIC代工用户。这种新工艺在200mm的晶圆上进行制造，可实现1．8VCMOS晶体管和大量阵列的无源元件，包括低容差的模拟聚乙烯电阻、N＋和P＋S／D电阻以及多达4层的金属层，其RF焊盘有助于降低接口阻抗。

荷兰特温特大开发出与CMOS技术兼容的纯硅光源

对于硅光子而言，硅基全光集成电路需要光源。目前，混合光源可选用III—V半导体作为光源，但是将III—V半导体光源与硅基电路集成需要复杂的键合工艺、或生长工艺。当前研究人员还开展硅一锗片上光源的研究，通过对锗进行应力一应变工程调控，使其辐射出激光。

CMOS技术中的光集成电路

鉴于CD-ROM更大存贮电容和更高的数据速率,数字视盘(DVD)更长播放时间和这些光存储系统的更低价恪的不断增长要求,单片光集成电路(PIC),又称作含集成光探测器红光光电集成电路,成为新的光存储系统的关键电路。ULSI(甚大规模集成电路)CPU的时钟频率正在不断增长。

后摩尔时代的基于一维纳米材料的CMOS技术

基于碳纳米管的场效应晶体管技术源于1998年,在随后的近10年间p型(空穴型)场效应晶体管的制备技术日趋完善,其性能全面超过相对应的硅基场效应晶体管.最近北京大学研究组关于高性能室温弹道n型(电子型)碳纳米管场效应晶体管的研究为基于碳纳米管的CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)技术的腾飞装上了另一个翅膀.特别是这种技术无需掺杂,加上碳纳米管特殊的几何和电子结构使得基于碳纳米管的CMOS技术有望突破传统微电子工艺所面临的一些根本性的困难,为下一步实现基于碳纳米管的纳电子电路的规模集成奠定了基础.