一种紧凑的射频CMOS放大器LC输出匹配电路

提出了一种紧凑的射频互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)放大器LC输出匹配电路,利用放大器漏极偏置电感、输出端隔直电容与放大器输出端并联电感电容形成高阶LC谐振网络,可在占用较小芯片面积的条件下实现较传统L型匹配电路更宽频率范围的输出阻抗匹配。推导了该LC输出匹配电路元件值的计算式,并根据提出的设计方法,采用65 nm CMOS工艺设计了一款K频段放大器,其输出匹配电路尺寸仅98μm×150μm。仿真结果表明,在16.5~22.1 GHz频率范围内放大器的S 22<-10 dB,阻抗匹配带宽相比L型匹配电路增加166%。放大器实测S参数和仿真结果相符,验证了该LC匹配电路可实现紧凑的宽带阻抗匹配。

用于低频小信号检测的CMOS放大器设计

给出了一种用于低频小信号检测的放大器的设计,从分析性能要求出发,放大器采用了二级放大结构,差分输入,实现了较高的电压增益和较好的噪声性能。设计基于无锡上华CSMC 0.6μm CMOS工艺,使用HSpice进行了仿真,仿真结果表明,在5 V的工作电压下,放大器的开环直流增益为79 dB,相位裕度为65°,单位增益带宽为80 MHz(CL=5 pF),共模抑制比为108 dB,功耗为2 mW。

凌特公司推出低噪声低失调18MHz CMOS放大器

近日，凌特公司推出一系列具有像双极型放大器那样低的电压噪声的新型CMOS放大器。CMOS放大器通常以低输入偏置电流而闻名，但本身比双极型设计的噪声高。

高电压CMOS放大器利用单个IC实现高阻抗检测设计要点513

引言 电压的准确测量需要尽量减小至被测试电路之仪器接线的影响。典型的数字电压表（DVM）采用IOM电阻器网络以把负载效应保持在不显眼的水平，即使这会引起显著的误差，尤其是在包含高电阻的较高电压电路中。

LTC6081/82：3．5MHz CMOS放大器

Uneor推出CMOS运算放大器LTC6081和LTC6082，这两款器件在-40℃至＋125℃的整个温度范围内具有3．5MHz的增益带宽和低于90μV的偏移。双路LTC6081和四路LTC6082具有轨至轨输入和输出级，实现了仅为1．3μVp-p的低频噪声以及在25℃时最大为1pA的低输入偏置电流，非常适用于精密仪器。

50uA CMOS放大器可与具有0.7uV/（C漂移特性的最佳双极运放相媲美）

2005年9月12日，凌特公司推出在最低的可能电源电流上提供卓越DC精确度的新型CMOS放大器系列——LTC6078双路和LTC6079四路运算放大器。这两款器件完全被规定用于商用，工业和汽车温度范围。

凌特推出50 μA CMOS放大器

凌特公司（Linear Technology）目前推出可在极低电源电流上提供卓越DC精确度的新型CMOS放大器系列。凭借与精准双极放大器相似的输入DC特性，LTC6078双路和LTC6079四路运算放大器实现了规格的突破性组合。

TI高精度CMOS放大器采用e-trim专利技术设计

德州仪器(TI)推出的高精度、高速12VCMOS运算放大器—OPA727，带宽为20MHz、压摆率为30V／μs、建立时间为600ns、噪声为6nV／rtHz，谐波失真只有0．0003％。由于采用e-trim技术而设计，所以该新品能够在制造的最终阶段对失调电压及温度漂移进行校准。非常适用于有源滤波器、互阻抗放大器、音频、测试设备以及过程控制等要求出色动态特性的应用领域。www．ti．

OPA727：CMOS放大器

德州仪器公司推出高性能12V CMOS高精度运算放大器OPA727，采用e-Trim技术，适合用在需要较好动态范围的地方，如有源滤波器、跨导放大器、音频、测试设备和过程控制。

凌特推出低噪声18MHz CMOS放大器

凌特公司（Linear Technology）日前推出一系列低电压噪声CMOS放大器。CMOS放大器通常比双极型设计噪声高，LTC624l双路和LTC6242四路放大器消除了这一基本性能缺陷，在0．1Hz_10Hz区域具有550nVp-p。低噪声，电压噪声比现有CMOS放大器小3倍，能实现高信号分辨率。

凌力尔特推出漂移低于微伏级的CMOS放大器

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出CMOS运算放大器LTC6081和LTC6082．

基于低频小信号检测的 CMOS 放大器设计

本文介绍了一个基于低频小信号检测应用的CMOS放大器的设计.设计基于中芯国际(SMIC)0.18μm CMOS工艺,使用Cadence Spectre进行仿真,结果表明该放大器在3.3V工作电压下实现开环直流增益95dB,单位增益带宽40MHZ,相位裕度670,100kHz工作频率时噪声系数17dB,总谐波失真(THD)-92 dB,功耗为4mW.

CMOS运算放大器的辐照和退火行为

介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后 ,在不同偏置及不同退火温度下 ,运放整体性能参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律 ,分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因 .结果显示 ,运放电路辐照后的退火行为与偏置及温度均有较大的依赖关系 ,而这种关系与辐照感生的氧化物电荷和Si/SiO2

高性能Rail-to-Rail恒定跨导CMOS运算放大器

基于UMC的0.6μm BCD 2P2M工艺,探讨了一种高性能Rail-to-Rail恒定跨导CMOS运算放大器.该运算放大器的输入级采用互补差分对,其尾电流由共模输入信号来控制,以此来保证输入级的总跨导在整个共模范围内保持恒定.输出级采用ClassAB类控制电路,并且将其嵌入到求和电路中,以此减少控制电路电流源引起的噪声和失调.为了优化运算放大器低频增益、频率补偿、功耗及谐波失真,求和电路采用了浮动电流源来偏置.该运算放大器采用米勒补偿实现了18MHz的带宽,低频增益约为110dB,Rail-to-Rail引起的跨导变化约为15%,功耗约为10mW.

栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系

介绍了在干氧和氢氧合成两种不同工艺和不同栅氧层厚度情况下,CMOS 运算放大器电路的电离辐照响应规律。并通过对其单管特性及内部单元电路辐照变化的分析比较,探讨了栅氧层厚度的变化与运放电路辐照损伤之间的相互依赖关系。结果显示,适当地减薄栅氧层厚度,可相应地减少辐照感生氧化物电荷和界面态引起的跨导衰降,从而使 CMOS 运放电路的抗辐射特性得到明显的改善。

一种恒跨导轨对轨CMOS运算放大器的设计

设计了一种新颖的恒跨导轨对轨CMOS运算放大器结构。输入级采用轨对轨的结构,在输入级采用4个虚拟差分对管来对输入差分对的电流进行限制,使运放的输入级跨导在工作范围内保持恒定。输出级采用前馈式AB类输出结构,以使输出达到全摆幅。仿真结果显示,在5 V电源电压和带有10 pF电容与10 kΩ电阻并联的负载下,该运放在共模输入范围内实现了恒跨导,在整个共模输入范围内跨导变化率仅为3%,输出摆幅也达到了轨对轨全摆幅,运放的开环增益为108.5 dB,增益带宽积为26.7 MHz,相位裕度为76.3°。

深亚微米CMOS运算放大器的综合

利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能要求 大量的实验结果表明 :文中方法可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS运算放大器。