期刊文献+
共找到880篇文章
< 1 2 44 >
每页显示 20 50 100
染料敏化太阳能电池中PEDOT/PSS-CuI复合电解质的研究 被引量:4
1
作者 胡志强 许芳怡 +2 位作者 周红茹 王仁博 高宏 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第S1期42-44,114,共4页
以实验室自制的无机P型半导体CuI纳米粉体、导电聚合物PEDOT/PSS及乙腈为原料,制备了PEDOT/PSS-CuI复合电解质及纯CuI固体电解质进行对比。通过X射线衍射(XRD)对CuI粉体的晶形进行了分析,用四探针电阻仪测定了电解质薄膜的电阻率,测试... 以实验室自制的无机P型半导体CuI纳米粉体、导电聚合物PEDOT/PSS及乙腈为原料,制备了PEDOT/PSS-CuI复合电解质及纯CuI固体电解质进行对比。通过X射线衍射(XRD)对CuI粉体的晶形进行了分析,用四探针电阻仪测定了电解质薄膜的电阻率,测试了染料敏化太阳能电池的性能。结果表明:当CuI在PEDOT/PSS中添加量为20%时,PEDOT/PSS-CuI复合电解质组装电池的性能最好。且PEDOT/PSS-CuI复合电解质的性能稳定性要优于纯CuI固体电解质。 展开更多
关键词 cui固体电解质 PEDOT/PSS-cui复合电解质 染料敏化太阳能电池
下载PDF
具有内孔道的层状超分子化合物[(CuI)_2(o-phen)_2]的水热合成与晶体结构 被引量:4
2
作者 王树涛 王恩波 +4 位作者 李阳光 王力 胡长文 胡宁海 贾恒庆 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期1241-1242,共2页
A layered inner tunnel supramolecular compound 1, [(CuI) 2( o phen) 2], was hydrothermally synthesized and structurally characterized by X ray crystal diffraction. It crystallizes in triclinic system, space group P 1 ... A layered inner tunnel supramolecular compound 1, [(CuI) 2( o phen) 2], was hydrothermally synthesized and structurally characterized by X ray crystal diffraction. It crystallizes in triclinic system, space group P 1 with a =0.775 9(2) nm, b =0.907 0(2) nm, c =0.918 94(10) nm, α =96 306(14)°, β = 104.567(16)°, γ =109.421(19)°, V =0.576 8(2) nm 3, Z=1, R=0.034 8, wR =0.092 0. 展开更多
关键词 层状超分子化合物 [(cui)2(o-phen)2] 氢键水热合成 晶体结构 双核铜卤化合物
下载PDF
微乳液法制备六边形薄片状γ-CuI晶体的研究 被引量:3
3
作者 刘飞 祝博 +1 位作者 王晓丹 曹建新 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期5-7,15,共4页
以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用微乳液法合成了六边形薄片状γ-CuI晶体。采用XRD和SEM手段研究了微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI晶相组成和微观形貌的影响。结果表明,表面活性剂CTAB用量、水含量和反应物浓度对微乳液法制... 以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用微乳液法合成了六边形薄片状γ-CuI晶体。采用XRD和SEM手段研究了微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI晶相组成和微观形貌的影响。结果表明,表面活性剂CTAB用量、水含量和反应物浓度对微乳液法制备的γ-CuI晶相组成和晶体形状没有太大影响,但对晶体尺寸具有较大影响。适宜的微乳液制备工艺条件能产生适当的界面膜强度,有效控制碘化压铜晶体尺寸。CTAB-正戊醇-环己烷-水体积比为3∶3∶7∶10,硫酸铜溶液0.1mol/L和碘化铵溶液0.2mol/L,常温下500r/min搅拌2h合成产物为六边形薄片状γ-CuI。 展开更多
关键词 γ-cui 微乳液法 六边形薄片状 晶体尺寸 微观形貌
下载PDF
六边形纳米CuI及其超疏水性 被引量:1
4
作者 高书燕 李政道 +1 位作者 贾晓霞 陈艳丽 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1035-1037,共3页
采用一步液相反应法,在常温常压下,制得六边形纳米CuI。无需任何低表面能物质(硫醇或氟烷基)修饰,该样品就表现出超疏水性,接触角达到157°。最为重要的是样品的超疏水性很稳定,在空气中放置半年后,其接触角无明显变化,具有潜在的... 采用一步液相反应法,在常温常压下,制得六边形纳米CuI。无需任何低表面能物质(硫醇或氟烷基)修饰,该样品就表现出超疏水性,接触角达到157°。最为重要的是样品的超疏水性很稳定,在空气中放置半年后,其接触角无明显变化,具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 超疏水 六边形纳米cui 表面修饰 低表面能
下载PDF
CuI-Cu_2O-MoO_3-P_2O_5四元系快Cu^+离子玻璃的形成范围和性质 被引量:1
5
作者 张家权 李法科 +1 位作者 韩崇家 贺猛震 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期278-282,共5页
本文研究了四元系CuI-Cu_2O-MoO_3-P_2O_5快Cu^+离子玻璃的性质。包括玻璃形成范围、离子输运、热稳定性、离子电导率以及取代量(MoO_3)和掺杂盐(CuI)的影响。实验指出,用MoO_3取代P_2O_5的办法可以得到性能优良的玻璃导体。
关键词 离子玻璃 快离子导体 cui CU2O
下载PDF
n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究 被引量:1
6
作者 熊超 朱锡芳 +5 位作者 陈磊 陆兴中 袁洪春 肖进 丁丽华 徐安成 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期787-790,803,共5页
采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流... 采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流特性,由于在CuI/nSi异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大,在正向电压、无光照下,导电机理为空间电荷限制电流导电,此时空穴电流主导;在光照下,异质结表现出良好的光电响应,因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。 展开更多
关键词 p-cui/n-Si异质结 I-V特性 C-V特性 内建电势 界面态
下载PDF
CuI半导体膜的电化学制备与性质 被引量:1
7
作者 王钦忠 汪正浩 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1161-1165,共5页
用简单的电化学方法制备出了机械性能较强的CuI半导体膜,这种半导体膜是由大量的三角形片状微粒组成的。利用交流阻抗方法在pH值分别为0、2、4和7的0.5 mol/L Na2SO4溶液中研究了这种膜电极的电化学性质。研究发现,溶液pH值对CuI半导体... 用简单的电化学方法制备出了机械性能较强的CuI半导体膜,这种半导体膜是由大量的三角形片状微粒组成的。利用交流阻抗方法在pH值分别为0、2、4和7的0.5 mol/L Na2SO4溶液中研究了这种膜电极的电化学性质。研究发现,溶液pH值对CuI半导体膜的阻抗有较大的影响,pH值越小则电化学反应电阻就越大;同时,溶液的pH值也对CuI半导体膜电极的表面态有着较大的影响,pH值越大表面态密度越大。在pH值为0的Na2SO4溶液中测得CuI半导体的Efb为0.023 V(vs.SCE)。 展开更多
关键词 cui半导体 交流阻抗 平带电位
下载PDF
Growth of CuI buffer layer prepared by spraying method
8
作者 阎有花 刘迎春 +3 位作者 方玲 卢志超 李正邦 周少雄 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第2期359-363,共5页
CuI thin films with nano-scale grains of about 35nm were deposited via spraying method with using acetonitrile as solvent. The influence of iodine doping concentration in acetonitrile solution on the structure, topogr... CuI thin films with nano-scale grains of about 35nm were deposited via spraying method with using acetonitrile as solvent. The influence of iodine doping concentration in acetonitrile solution on the structure, topographic and optical properties of CuI thin films was investigated. X-ray diffraction results showed that CuI iodine-doped films doped CuI:I2 were in γ-phase of zinc blende structure with (111) preferential plane. Scanning electron microscopy revealed that the microstructure of CuI films depended on the relative amount of doping iodine in the solution. When the iodine doping amount in acetonitrile solution was 0.025 g, the film was uniform and compact, the optical transmittance was 75.4% in the part of visible region and the energy band gap was close to 2.96 eV. 展开更多
关键词 cui thin film buffer layer spraying method iodine doping
下载PDF
CuI-pyridine-β-CD包合物的合成、表征及应用
9
作者 董瑞风 乔洁 +3 位作者 唐胜男 李笃信 双少敏 董川 《应用化工》 CAS CSCD 2010年第5期637-640,644,共5页
为了改善CuI-pyridine配合物的物理性质,采用溶液搅拌法合成了CuI-pyridine配合物与β-CD的包合物,用IR、1HNMR、荧光光谱等分析方法对其进行了表征,并用电分析方法初步研究了各种气体对包合物修饰膜电极的响应。结果表明,CuI-pyridine-... 为了改善CuI-pyridine配合物的物理性质,采用溶液搅拌法合成了CuI-pyridine配合物与β-CD的包合物,用IR、1HNMR、荧光光谱等分析方法对其进行了表征,并用电分析方法初步研究了各种气体对包合物修饰膜电极的响应。结果表明,CuI-pyridine-β-CD包合物为水溶性的荧光化合物(固体状态时EMmax=563 nm),荧光发射稳定;随着甲烷气体不断通入,包合物荧光强度逐渐降低,且甲烷气体对CuI-pyridine-β-CD包合物膜有显著的响应。 展开更多
关键词 cui 吡啶 -βCD 包合物 合成
下载PDF
衬底温度对CuI薄膜微结构与性能的影响
10
作者 赵海花 方玲 +3 位作者 卢志超 阎有花 赵栋梁 王先友 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A04期1505-1507,共3页
采用喷射沉积技术,探讨不同的衬底温度对CuI薄膜的微结构与性能的影响。通过x射线衍射谱,场发射扫描电子显微镜,霍尔测试仪和紫外.可见光分光光度计等测试了CuI薄膜的微结构、表面形貌和光电性能。研究结果表明,衬底温度为120℃时... 采用喷射沉积技术,探讨不同的衬底温度对CuI薄膜的微结构与性能的影响。通过x射线衍射谱,场发射扫描电子显微镜,霍尔测试仪和紫外.可见光分光光度计等测试了CuI薄膜的微结构、表面形貌和光电性能。研究结果表明,衬底温度为120℃时CuI薄膜的结晶性较好,薄膜表面相对均匀致密。可见光透过率随着衬底温度升高先增大后减小,在衬底温度为120℃时最高,近76%,适合作Al:ZnO/p-CuI/n-CIS薄膜太阳能电池的缓冲层。 展开更多
关键词 cui薄膜 衬底温度 缓冲层 太阳能电池
下载PDF
CuI晶体及其缺陷态电子结构的模拟
11
作者 顾牡 刘峰松 张睿 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期339-343,共5页
利用相对论密度泛函理论和嵌入分子团簇方法 ,模拟计算了具有闪锌矿结构的γ态CuI晶体及其缺陷态的电子结构。结果显示晶体的本征能级结构 :价带顶主要由I5p和Cu3d轨道杂化组成 ,导带底由Cu4s轨道组成 ,禁带宽度为 3.1eV ,该结果与实验... 利用相对论密度泛函理论和嵌入分子团簇方法 ,模拟计算了具有闪锌矿结构的γ态CuI晶体及其缺陷态的电子结构。结果显示晶体的本征能级结构 :价带顶主要由I5p和Cu3d轨道杂化组成 ,导带底由Cu4s轨道组成 ,禁带宽度为 3.1eV ,该结果与实验相符。在不同缺陷态的计算中 ,四面体间隙铜缺陷相对其他间隙缺陷更易于在晶体中形成 ,其中Cu3d→ 4s跃迁能量为 3.2eV 。 展开更多
关键词 cui晶体 密度泛函理论 电子结构 发光机理
下载PDF
CuI促进下乙羧氟草醚的合成
12
作者 王保安 闫月荣 +2 位作者 闫金龙 李伟 李俊 《化学工程师》 CAS 2012年第9期55-56,62,共3页
以间羟基苯甲酸和3-氯-4-碘三氟甲苯为原料,在CuI促进下,温度在120℃时高收率地合成了二芳基醚化合物,经过成盐、醚化、硝化、缩合4步反应得到乙羧氟草醚,所得产物化学结构经红外光谱、核磁共振谱及质谱等确证。乙羧氟草醚的合成总收率... 以间羟基苯甲酸和3-氯-4-碘三氟甲苯为原料,在CuI促进下,温度在120℃时高收率地合成了二芳基醚化合物,经过成盐、醚化、硝化、缩合4步反应得到乙羧氟草醚,所得产物化学结构经红外光谱、核磁共振谱及质谱等确证。乙羧氟草醚的合成总收率为72%。 展开更多
关键词 乙羧氟草醚 除草剂 cui 偶联反应
下载PDF
多晶形γ-CuI晶体的制备与导电性能表征
13
作者 刘飞 祝博 +1 位作者 王晓丹 曹建新 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期461-467,共7页
以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用液相法和微乳液法合成了不同晶形γ-CuI晶体。采用XRD和SEM研究了液相法和微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI微观结构的影响,分析了具有不同微观结构γ-CuI对其导电性能的影响。结果表明,分别以... 以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用液相法和微乳液法合成了不同晶形γ-CuI晶体。采用XRD和SEM研究了液相法和微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI微观结构的影响,分析了具有不同微观结构γ-CuI对其导电性能的影响。结果表明,分别以聚乙二醇(PEG-6000)和柠檬酸为表面活性剂,采用液相法常温下500 r/min反应30 min可制备出纳米球形和三角锥形γ-CuI。按CTAB-正戊醇-环己烷-水配比3∶3∶7∶10分别配制硫酸铜和碘化铵微乳液,常温下500 r/min反应2 h可制备出六边形薄片状γ-CuI。不同微观形貌和粒径分布对γ-CuI产品电导率具有较大的影响。纳米球形γ-CuI电导率最小,为4.9Ω.cm。 展开更多
关键词 γ-cui晶体 电导率 液相法 微乳液法
下载PDF
Cl掺杂γ-CuI晶体生长及闪烁性能的研究
14
作者 张蕾 刘小林 +4 位作者 郝书童 顾牡 李乾利 黄世明 张娟楠 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第8期1405-1411,1429,共8页
采用溶剂蒸发技术,辅以氩保护气氛,成功获得厘米级氯掺杂γ-CuI透明单晶。研究了氯掺杂对晶体生长溶液的稳定性、晶体结构及发光性能的影响。通过引入氩气氛,掺氯生长液及晶体的氧化问题得到了极大改善。X射线激发发射光谱表明,γ-CuI:C... 采用溶剂蒸发技术,辅以氩保护气氛,成功获得厘米级氯掺杂γ-CuI透明单晶。研究了氯掺杂对晶体生长溶液的稳定性、晶体结构及发光性能的影响。通过引入氩气氛,掺氯生长液及晶体的氧化问题得到了极大改善。X射线激发发射光谱表明,γ-CuI:Cl晶体的超快近带边发射得到显著增强,光输出约为PbWO4晶体的89%,深能级发射强度也受到极大抑制。并且快成分的衰减时间达到亚纳秒量级。实验结果均表明γ-CuI:Cl单晶具有较好的结晶性和光学性能,有望应用于超高辐射检测和超快计数率成像领域。 展开更多
关键词 γ-cui单晶 氯掺杂 溶剂蒸发法 X射线激发发光 超快衰减时间
下载PDF
CuI/TMEDA催化合成芳基葡萄糖碳苷化合物
15
作者 毛泽伟 饶高雄 《合成化学》 CAS CSCD 2016年第3期250-252,共3页
以THF为溶剂,Cu I/TMEDA为催化剂,四乙酰溴代葡萄糖与芳基溴化镁经取代反应合成了芳基葡萄糖碳苷(2a^2c),其结构经1H NMR和13C NMR确证。在最佳反应条件(THF为溶剂,10%Cu I和10%TMEDA为催化剂,于0℃反应至终点)下,2a^2c的收率为58%~71%,... 以THF为溶剂,Cu I/TMEDA为催化剂,四乙酰溴代葡萄糖与芳基溴化镁经取代反应合成了芳基葡萄糖碳苷(2a^2c),其结构经1H NMR和13C NMR确证。在最佳反应条件(THF为溶剂,10%Cu I和10%TMEDA为催化剂,于0℃反应至终点)下,2a^2c的收率为58%~71%,α/β为1/6.5~1/7.1。 展开更多
关键词 cui 催化 芳基碳苷 合成
下载PDF
单轴取向p型半导体CuI薄膜的制备与表征
16
作者 于庆先 孙四通 《新技术新工艺》 2010年第5期110-112,共3页
在室温下用反应沉淀制取了CuI粉体,用溶液生长法在玻璃载体上制备了单轴取向p型半导体CuI薄膜。用XRD、SEM对样品进行了分析,结果表明,CuI粉体为片状结构;晶体薄膜是(111)晶面沿玻璃平行生长的单轴取向马赛克CuI薄膜。阐明了单轴取向Cu... 在室温下用反应沉淀制取了CuI粉体,用溶液生长法在玻璃载体上制备了单轴取向p型半导体CuI薄膜。用XRD、SEM对样品进行了分析,结果表明,CuI粉体为片状结构;晶体薄膜是(111)晶面沿玻璃平行生长的单轴取向马赛克CuI薄膜。阐明了单轴取向CuI薄膜形成的机理。 展开更多
关键词 cui薄膜 片状结构 单轴趋向
下载PDF
对流占优问题的一种修正CUI格式
17
作者 吕娜 谢桃枫 高巍 《应用数学进展》 2016年第4期716-727,共12页
对流扩散方程是一类重要的模型方程,构造对流项的高分辨率离散格式是数值计算的关键,本文基于CBC (Convection Boundedness Criterion)准则和TVD (Total Variational Diminishing Constraint)准则,利用Hermite插值,构造一种改进的CUI格... 对流扩散方程是一类重要的模型方程,构造对流项的高分辨率离散格式是数值计算的关键,本文基于CBC (Convection Boundedness Criterion)准则和TVD (Total Variational Diminishing Constraint)准则,利用Hermite插值,构造一种改进的CUI格式。经典的算例表明,此数值方法不仅能很好的抑制线性对流离散格式的数值振荡,也表现出良好的数值计算精度。 展开更多
关键词 cui格式 HERMITE插值 CBC/TVD mcui格式
下载PDF
纳米导电粉体CuI的制备及其结构性能研究 被引量:3
18
作者 宋森 杨胜林 +1 位作者 李光 江建明 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期97-101,共5页
在非水溶剂中以CuSO_4和KI为反应试剂制备了纳米导电粉体,采用正交试验设计方法,结合产物的SEM分析,研究了反应温度、反应试剂浓度、滴加速度、搅拌速度、表面处理剂种类及其含量等因素对纳米CuI结晶形态及粒径的影响,得出了合成球形纳... 在非水溶剂中以CuSO_4和KI为反应试剂制备了纳米导电粉体,采用正交试验设计方法,结合产物的SEM分析,研究了反应温度、反应试剂浓度、滴加速度、搅拌速度、表面处理剂种类及其含量等因素对纳米CuI结晶形态及粒径的影响,得出了合成球形纳米级CuI的优化条件。另外,通过与市售产品对比,分析了产物的结晶性能和导电性能。 展开更多
关键词 正交试验设计 纳米cui 分散性 电导率
下载PDF
γ-CuI晶体的发光衰减时间和对X射线的能量响应 被引量:2
19
作者 李锋锐 顾牡 +10 位作者 何徽 畅里华 温伟峰 李泽仁 陈亮 刘金良 欧阳晓平 刘小林 刘波 黄世明 倪晨 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期163-168,共6页
采用溶剂蒸发法生长出透明的带隙宽度为2.96 e V的γ-CuI晶体。在紫外光激发下,该晶体在410、430 nm处分别呈现有近带边发射峰,另在720 nm附近还出现一个与样品碘缺陷有关的宽发射带。经碘退火后,样品720 nm发射带被基本抑制,而在420 n... 采用溶剂蒸发法生长出透明的带隙宽度为2.96 e V的γ-CuI晶体。在紫外光激发下,该晶体在410、430 nm处分别呈现有近带边发射峰,另在720 nm附近还出现一个与样品碘缺陷有关的宽发射带。经碘退火后,样品720 nm发射带被基本抑制,而在420 nm处出现了一个更强的近带边发射峰。使用扫描相机分别测量了γ-CuI晶体各发射峰(带)的衰减时间谱,其中近带边发射峰的发光衰减时间常数均在数十皮秒量级,表明γ-CuI晶体具有极快的时间响应特性;而720 nm发射带的发光衰减时间常数主要在数十纳秒量级。X射线激发下,γ-CuI晶体具有435 nm近带边发射峰和680 nm发射带,其近带边发射对X射线能量响应的测量结果表明,当EX<49.1 ke V时,γ-CuI晶体闪烁光快分量对X射线的探测效率相对较高。 展开更多
关键词 γ-cui晶体 超快闪烁体 衰减时间 能量响应
下载PDF
聚乙二醇支持的CuI催化Huisgen环加成反应合成三氮唑(英文) 被引量:1
20
作者 郑彩云 胡劲松 +1 位作者 余述燕 商永嘉 《安徽师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2011年第3期244-249,共6页
我们发展了聚乙二醇(PEG4000)支持的CuI催化的Huisgen环加成反应合成三氮唑衍生物的新颖方法.在聚乙二醇(PEG4000)支持的CuI的催化下,芳基叠氮和末端炔的Huisgen环加成反应以较高的收率得到三氮唑衍生物.初步研究负载催化剂的回收使用情况.
关键词 1 3-偶极环加成反应 三氮唑 聚乙二醇支持的cui
下载PDF
上一页 1 2 44 下一页 到第
使用帮助 返回顶部