高灵敏度500A,2000V光控晶闸管的研制

本文介绍一种高灵敏度光触发晶闸管的结构特点及关键的生产工艺,并对该器件进行了理论分析和主要参数的计算机辅助设计,提出了带有薄n层的台阶形光敏门极结构可使器件获得较高的光触发灵敏度和较好的触发灵敏度与dv/dt耐量间的协调关系。研制成功的直径为45mm、容量为500A、耐压为2000V的器件的最小光触发功率小于3mW,dv/dt耐量大于1000V/μs,di/dt耐量大于100A/μs通态峰值压降小于2V。

500A、1200V光控双向晶闸管的研制

本文具体描述了中心锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的结构特点，介绍了该新型结构器件的关键生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究，研制成功的直径为４０ｍｍ，电流容量为５００Ａ，耐压为１２００Ｖ的光控双向晶闸管的最小光触发功率小于１５ｍＷ，动态峰值压降小于１．６Ｖ，换向ｄｖ／ｄｔ耐量大于１００Ｖ／μｓ，换向ｄｉ／ｄｔ耐量大于５０Ａ／μｓ．

受光区具有薄n层结构的光控晶闸管的研究

本文研讨了具有薄n层结构的受光区,对提高光控晶闸管的光触发灵敏度的作用及触发灵敏度与dV/dt耐量间的协调关系,结果表明,这种结构可使其具有较高的触发灵敏度,可较好的协调灵敏度与dV/dt耐量间的关系。并利用这一结构,研制出了高灵敏度的500A,2000V直接光触发晶闸管。

一种针对中压三电平IGCT输出滤波器拓扑的死区补偿方法

提出一种针对中压三电平集成门极换向晶体管(IGCT)输出滤波拓扑下的精细化死区补偿方法,实现逆变器输出死区效应的实时计算和补偿。由输出滤波器拓扑建立传递函数,进而得到器件侧输出电流随输出电压和负载电流变化的时域解析式。将滤波器阻抗参数代入时域解析式,依据开关变化时刻的器件侧电流初值进行分段处理,计算补偿时间。该方法定量分析了含输出dv/dt滤波器拓扑应用中不同初值电流对滤波器后端电压非线性变化的影响规律,可以更加精细地补偿电流过零点处的死区效应。