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DUV光致抗蚀剂的研究进展(Ⅰ)——主体成膜高分子部分 被引量:2
1
作者 杨凌露 张改莲 余尚先 《信息记录材料》 2003年第1期16-19,共4页
综述了近十年来DUV抗蚀剂体系的进展 ,特别对DUV区化学增幅抗蚀剂的矩阵树脂、产酸源、阻溶剂作了详细的阐述。并指出 ,通过改进感光高分子的结构与组成 。
关键词 duv光致抗蚀剂 矩阵树脂 产酸源 阻溶剂 化学增幅
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DUV光致抗蚀剂的研究进展Ⅱ——光产酸源、阻溶剂等添加剂部分 被引量:1
2
作者 杨凌露 张改莲 余尚先 《信息记录材料》 2003年第2期23-26,共4页
关键词 duv光致抗蚀剂 研究进展 光产酸源 阻溶剂 添加剂
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用于AlGaN基DUV LED封装的高反射镀铝DPC陶瓷基板 被引量:4
3
作者 杨宇铭 李燕 +5 位作者 郑怀文 于飞 杨华 伊晓燕 王军喜 李晋闽 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2020年第10期991-999,共9页
传统的直接镀铜(DPC)陶瓷基板的焊盘上镀有Ni/Au金属覆盖层,它会强烈吸收紫外(UV)光。为了提高深紫外发光二极管(DUV LED)的光提取效率(LEE),设计并制备了镀Al的双层金属镀层DPC陶瓷基板。这种基板拥有一层完全覆盖基板焊盘的Ni/Au镀层... 传统的直接镀铜(DPC)陶瓷基板的焊盘上镀有Ni/Au金属覆盖层,它会强烈吸收紫外(UV)光。为了提高深紫外发光二极管(DUV LED)的光提取效率(LEE),设计并制备了镀Al的双层金属镀层DPC陶瓷基板。这种基板拥有一层完全覆盖基板焊盘的Ni/Au镀层为LED提供电互连,以及一层部分覆盖Ni/Au镀层的高反射Al镀层为UV光提供优异的反射。测量了分别由镀Al的DPC陶瓷基板和仅有一层Ni/Au镀层的传统DPC陶瓷基板所封装的DUV LED的光学、电学和热学性质,并建立了LED封装体的模型并进行了分析。结果表明,通过使用镀Al的DPC陶瓷基板,DUV LED的光输出功率(LOP)提高了19.2%,功率效率(WPE)和外量子效率(EQE)则分别提高为传统封装的1.20和1.19倍。此外,经过160 h的老化测试,使用镀Al的DPC陶瓷基板封装的LED表现出了更好的可靠性。这种镀Al的双层金属镀层DPC陶瓷基板为通过封装改善DUV LED的LEE提供了可行的方法。 展开更多
关键词 duv LED封装 DPC陶瓷基板 光学特性 热阻
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DUV投影光刻制作T型栅
4
作者 杨中月 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第5期311-313,318,共4页
描述了一种采用化学方法的分辨率增强技术制作深亚微米T型栅的技术。该技术采用DUV投影光刻机和化学放大正性光刻胶(CAR)以及分辨率增强技术,在完成源漏制作等工艺的严重不平坦的GaAs衬底上,采用0.25μm设计的光刻版制作出0.18μmT型栅... 描述了一种采用化学方法的分辨率增强技术制作深亚微米T型栅的技术。该技术采用DUV投影光刻机和化学放大正性光刻胶(CAR)以及分辨率增强技术,在完成源漏制作等工艺的严重不平坦的GaAs衬底上,采用0.25μm设计的光刻版制作出0.18μmT型栅,突破了采用常规光学光刻时栅长的制作限制。介绍了GaAs器件在栅光刻时遇到的困难,描述了工艺制作过程,并讨论了该工艺技术中每步工艺的思路和采用的工艺原理。通过在6~18GHz GaAsP HEMT功率放大器制作中的应用,提高了器件性能及成品率,并给出了测试结果以及0.18μmT型栅的电镜图片。 展开更多
关键词 T型栅 深紫外 化学放大胶 分辨率增强技术 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路
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一种新型的I线和DUV线步进机的设计思路
5
作者 Unge.,R 《LSI制造与测试》 1995年第2期27-37,共11页
本文讨论了新生产线上一种步进机,它是由美国半导体制造技术联合体和它的几个子公司联合开发的。它应用i线(365nm)和深紫外(DUV248nm)波长,具有高数值孔径、大视场精缩镜头特点,适用的工作焦深,i线机实用分辨率... 本文讨论了新生产线上一种步进机,它是由美国半导体制造技术联合体和它的几个子公司联合开发的。它应用i线(365nm)和深紫外(DUV248nm)波长,具有高数值孔径、大视场精缩镜头特点,适用的工作焦深,i线机实用分辨率可达0.5μm,而DUV机实用分辨率为0.35μm。结合这些设备的设计,特别是从对准区域、调焦、INSITU计量、自动校准和诊断效用方面,简述了步进机的曝光技术。该设备新添的特点。 展开更多
关键词 I线 duv线 步进机 微细曝光设备 设计
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DUV 光子创可贴联合康复新液治疗口腔黏膜炎的效果 被引量:2
6
作者 孙爱莲 陈蕾 赵春玲 《中华现代护理杂志》 2014年第22期2856-2858,共3页
目的:探讨DUV光子创可贴联合康复新液治疗口腔黏膜炎的效果。方法选择小儿血液科恶性肿瘤疾病患儿化疗后并发口腔黏膜炎患儿120例。将120例患儿按照随机数字表发分为对照组和试验组各60例。对照组:使用康复新液、1.4%碳酸氢钠溶液... 目的:探讨DUV光子创可贴联合康复新液治疗口腔黏膜炎的效果。方法选择小儿血液科恶性肿瘤疾病患儿化疗后并发口腔黏膜炎患儿120例。将120例患儿按照随机数字表发分为对照组和试验组各60例。对照组:使用康复新液、1.4%碳酸氢钠溶液、甲硝唑溶液及复方硼砂溶液4种,每种溶液3次/d,4种溶液交替含漱,康复新液含漱后口服。试验组在使用原有的漱口液康复新液的基础上,联合DUV光子创可贴进行治疗。康复新液3次/d含漱后口服;DUV光子创可贴2次/d,1次120 s,贴近患处进行照射。结果两组患儿口腔黏膜炎在不同部位的愈合时间比较,试验组患儿面颊、腭、齿龈、舌、唇愈合时间分别为(6.87±2.12),(8.03±1.73),(6.42±1.46),(6.24±1.45),(5.00±1.19)d,均优于对照组的(8.28±2.65),(9.46±2.05),(8.13±1.45),(7.38±1.44),(6.20±1.86)d,差异有统计学意义(t值分别为2.64,2.94,3.44,2.82,2.25;P<0.05)。试验组患儿Ⅰ~Ⅱ度愈合时间为(5.00±1.24)d,Ⅲ~Ⅳ度愈合时间为(9.76±1.49)d,均优于对照组的(5.87±1.42),(11.14±2.05)d,差异有统计学意义(t值分别为2.78,2.72;P<0.05)。结论康复新液与DUV光子创可贴联合应用于口腔黏膜炎,可产生协同作用,明显缩短溃疡愈合时间。 展开更多
关键词 口炎 duv光子创可贴 康复新液
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Recent advances of inorganic phosphates with UV/DUV cutoff edge and large second harmonic response
7
作者 Boxuan Zhang Zhaohui Chen 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2023年第3期35-46,共12页
Phosphates are important candidates for ultraviolet/deep-ultraviolet(UV/DUV)nonlinear optical(NLO)materials by good transparency ability and variability of anion species as well as different coordinated cations.Phosph... Phosphates are important candidates for ultraviolet/deep-ultraviolet(UV/DUV)nonlinear optical(NLO)materials by good transparency ability and variability of anion species as well as different coordinated cations.Phosphates have been reported as minerals or NLO materials with abundant condensed anionic framework.For phosphate-based NLO materials,how to improve the second harmonic generation(SHG)response and birefringence re-mains a great challenge.Herein,this review analyzes the structure-property relationship of the representative UV/DUV phosphates,and the microscopic mechanism to achieve a balance between the short absorption edge and large SHG response is summarized.It provides a new idea to study the UV/DUV phosphate NLO materials. 展开更多
关键词 PHOSPHATE NLO properties UV/duv STRUCTURE-PROPERTY
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Al组分三角形渐变P-EBL结构AlGaN基DUV LED数值分析
8
作者 赵志斌 曲轶 +4 位作者 陈浩 乔忠良 李林 李再金 刘国军 《光学与光电技术》 2021年第3期20-24,共5页
效率陡降严重影响AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED)的输出性能,也是近年来DUV LED的一个瓶颈性问题。对常规电子阻挡层(P-EBL)和Al组分三角形渐变P-EBL两种结构DUV LED进行了数值分析。研究了能带、电子电流、空穴浓度、电场、内量子... 效率陡降严重影响AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED)的输出性能,也是近年来DUV LED的一个瓶颈性问题。对常规电子阻挡层(P-EBL)和Al组分三角形渐变P-EBL两种结构DUV LED进行了数值分析。研究了能带、电子电流、空穴浓度、电场、内量子效率、输出功率和自发辐射光谱的分布特性。模拟结果表明,在260 mA电流注入时,相比常规PEBL结构,Al组分三角形渐变P-EBL结构DUV LED的效率陡降减小了5.85%,改善了DUV LED输出性能。根据数值模拟和分析,器件输出性能改善的原因是Al组分三角形渐变P-EBL结构提高导带势垒高度和增强空穴在P型区域获得的动能,从而减小电子泄漏,并提高了空穴注入效率。 展开更多
关键词 紫外发光二极管 Al组分三角形渐变P-EBL 电子泄漏 效率陡降
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深紫外LED散热性能的改善研究
9
作者 赵见国 杨佳楠 +4 位作者 徐儒 李佳芮 王书昶 张惠国 常建华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1707-1715,共9页
深紫外发光二极管(DUV-LED)可广泛应用在杀菌消毒、生化检测、医疗健康和紫外通信等诸多领域。目前商用DUV-LED的电光转换效率通常不足5%,从而使LED发热严重、结温升高,进而导致LED出现峰值波长红移、光衰加剧、寿命缩短等一系列问题。... 深紫外发光二极管(DUV-LED)可广泛应用在杀菌消毒、生化检测、医疗健康和紫外通信等诸多领域。目前商用DUV-LED的电光转换效率通常不足5%,从而使LED发热严重、结温升高,进而导致LED出现峰值波长红移、光衰加剧、寿命缩短等一系列问题。在电光转换效率难以提高的背景下,提升DUV-LED的散热性能以降低其工作结温是十分必要的。热阻是反映LED散热性能的直接参数,其通常受导热面积、材料厚度、材料热导率等因素影响。本文系统研究了DUV-LED的芯片尺寸、焊接层填隙、导热硅脂和基板材质等因素对LED热阻的影响,并对固晶区和焊接层的厚度进行了仿真研究。研究结果表明,增大LED芯片尺寸、对焊接层进行填隙、基板与热沉间涂覆导热硅脂或者将Al基板更换为Cu基板等可以减小LED的热阻。针对商用20 mil×20 mil的275 nm DUV-LED,本研究将其热阻从22.19℃/W降低至12.83℃/W,在25℃环境下,电功率为0.669 W时芯片升温从14.69℃降低至8.49℃。仿真结果表明,LED工作结温随着固晶区或焊接层厚度的减小而线性降低,其中固晶区厚度每增加1 mm,芯片升温将提高44.82℃,因此可以通过适当减薄固晶区厚度来实现热阻的降低。 展开更多
关键词 深紫外发光二极管 散热性能 热阻 结温
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基于248 nm光刻机工艺的高性能0.15μm GaAs LN pHEMT 被引量:1
10
作者 章军云 王溯源 +1 位作者 林罡 黄念宁 《电子与封装》 2018年第11期36-39,47,共5页
报道了一种0.15μm GaAs pHEMT的制作工艺,该工艺使用248 nm DUV光刻机和烘胶工艺方案。利用成熟的Ka波段宽带低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在26.5~40 GHz频段内,电路增益大于17.5 dB,在29.5 GHz处增益达19... 报道了一种0.15μm GaAs pHEMT的制作工艺,该工艺使用248 nm DUV光刻机和烘胶工艺方案。利用成熟的Ka波段宽带低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在26.5~40 GHz频段内,电路增益大于17.5 dB,在29.5 GHz处增益达19.9 dB;噪声系数小于2.4 dB,在33.1 GHz处,最小噪声1.96 dB;输入输出驻波比小于1.36,1 dB压缩点输出功率大于6.4 dBm,直流功耗为142.5mW。和基于同样电路的电子束直写裸栅工艺相比,关键指标及生产效率都有明显提升。 展开更多
关键词 248 ninduv光刻机 烘胶工艺 GaAspHEMT KA波段 低噪声放大器
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高数值孔径投影光刻物镜的光学设计 被引量:10
11
作者 徐明飞 庞武斌 +2 位作者 徐象如 王新华 黄玮 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期740-746,共7页
针对45nm节点投影光刻物镜的应用,开展了工作波长为193nm的深紫外浸没式高数值孔径(NA)投影光刻物镜的研究和研制。设计了数值孔径(NA)为1.30的离轴三反射镜投影光刻物镜和NA为1.35的同轴两反射镜投影光刻物镜,并对两个设计方案的... 针对45nm节点投影光刻物镜的应用,开展了工作波长为193nm的深紫外浸没式高数值孔径(NA)投影光刻物镜的研究和研制。设计了数值孔径(NA)为1.30的离轴三反射镜投影光刻物镜和NA为1.35的同轴两反射镜投影光刻物镜,并对两个设计方案的优劣进行对比分析,选择了同轴式结构作为最终的设计方案。分析了系统在不同NA情况下可变光阑与其远心度之间的关系,提出了用双可变曲面光阑的设计方案来优化系统的远心度。实验表明,应用本文设计方案,光刻物镜的波像差小于1nm,畸变小于1nm;新型的可变光阑使系统NA在0.85~1.35变化时的最大远心度由5.83~17.57mrad降低至0.26~3.21mrad。本文提出的设计方案为45nm节点高数值孔径投影光刻物镜的研制提供了有益的理论依据和指导。 展开更多
关键词 光学设计 高数值孔径(NA)投影光刻物镜 深紫外投影光刻物镜 远心度 曲面光阑
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长春光机所深紫外光学薄膜技术研究进展 被引量:17
12
作者 张立超 高劲松 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期2395-2401,共7页
综述了深紫外光学薄膜技术在中科院长春光学精密机械与物理研究所的研究进展。为满足高性能深紫外光学系统对薄膜光学元件的需求,在以下方面开展了系统研究:定制了两台深紫外光学薄膜专用沉积设备,分别用于高性能深紫外光学薄膜的热蒸... 综述了深紫外光学薄膜技术在中科院长春光学精密机械与物理研究所的研究进展。为满足高性能深紫外光学系统对薄膜光学元件的需求,在以下方面开展了系统研究:定制了两台深紫外光学薄膜专用沉积设备,分别用于高性能深紫外光学薄膜的热蒸发与离子束溅射沉积工艺,实现了φ410mm光学元件的镀膜;通过优化薄膜沉积工艺,双面镀膜样品在193nm处典型透过率为98.5%~99%;对影响光学元件面形精度的因素进行了考察,可实现的膜厚均匀性为0.1%(rms),能够满足高质量深紫外光学系统的容差要求;采用X射线衍射方法对薄膜应力进行了测量,并采用有限元方法分析了应力对元件面形的影响;针对影响薄膜实用性能的因素,提出了针对性的解决方法,采用紫外辐照方法恢复了环境污染引起的透过率下降,发展了基于晶振监控法的膜厚精确控制方法。基于这些研究的阶段性成果,明确了下一步的研究方向。 展开更多
关键词 深紫外光学 光学薄膜 薄膜沉积 薄膜测量 透过率 面形精度
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深紫外光刻光学薄膜 被引量:5
13
作者 张立超 才玺坤 时光 《中国光学》 EI CAS CSCD 2015年第2期169-181,共13页
深紫外波段是目前常规光学技术的短波极限,随着波长的缩短,深紫外光学薄膜开发面临一系列特殊的问题;而对于深紫外光刻系统这样的典型超精密光学系统来说,对薄膜光学元件提出的要求则更加苛刻。本文主要介绍了适用于深紫外光刻系统的薄... 深紫外波段是目前常规光学技术的短波极限,随着波长的缩短,深紫外光学薄膜开发面临一系列特殊的问题;而对于深紫外光刻系统这样的典型超精密光学系统来说,对薄膜光学元件提出的要求则更加苛刻。本文主要介绍了适用于深紫外光刻系统的薄膜材料及膜系设计;对薄膜沉积工艺、元件面形保障、大口径曲面均匀性等超精密光学元件的指标保障关键问题进行了讨论;对环境污染与激光辐照特性等光刻系统中薄膜元件环境适应性的重要因素进行了深入分析。以上分析为突破高性能深紫外光刻光学薄膜开发瓶颈,更好地满足深紫外光刻等极高精度光学系统的应用需求指明了方向。 展开更多
关键词 深紫外光刻 超精密光学 膜系设计 光学性能保障 环境适应性
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汽车前雾灯起雾原因分析和整改 被引量:2
14
作者 杨青 《汽车电器》 2011年第3期16-17,共2页
YZK6482系列DUV车市场反馈车辆在下雨后,前雾灯内部起雾或积水,点亮后长时间不能消失,影响车辆行驶。鉴于此,针对前雾灯的结构和工作原理,分析和验证其起雾原因,制定整改方案并实施,整改后的产品符合相关法规要求,投入市场使用反响良好。
关键词 YZK6482系列duv 前雾灯 起雾 密封性 防水性 整改
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Rapid inactivation of human respiratory RNA viruses by deep ultraviolet irradiation from light-emitting diodes on a high-temperatureannealed AlN/Sapphire template 被引量:2
15
作者 Ke Jiang Simeng Liang +8 位作者 Xiaojuan Sun Jianwei Ben Liang Qu Shanli Zhang Yang Chen Yucheng Zheng Ke Lan Dabing Li Ke Xu 《Opto-Electronic Advances》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第9期31-43,共13页
Efficient and eco-friendly disinfection of air-borne human respiratory RNA viruses is pursued in both public environment and portable usage.The AlGaN-based deep ultraviolet(DUV)light-emission diode(LED)has high practi... Efficient and eco-friendly disinfection of air-borne human respiratory RNA viruses is pursued in both public environment and portable usage.The AlGaN-based deep ultraviolet(DUV)light-emission diode(LED)has high practical potentials because of its advantages of variable wavelength,rapid sterilization,environmental protection,and miniaturization.Therefore,whether the emission wavelength has effects on the disinfection as well as whether the device is feasible to sterilize various respiratory RNA viruses under portable conditions is crucial.Here,we fabricate AlGaN-based DUV LEDs with different wavelength on high-temperature-annealed(HTA)AlN/Sapphire templates and investigate the inactivation effects for several respiratory RNA viruses.The AlN/AlGaN superlattices are employed between the template and upper n-AlGaN to release the strong compressive stress(SCS),improving the crystal quality and interface roughness.DUV LEDs with the wavelength of 256,265,and 278 nm,corresponding to the light output power of 6.8,9.6,and 12.5 mW,are realized,among which the 256 nm-LED shows the most potent inactivation effect in human respiratory RNA viruses,including SARS-CoV-2,influenza A virus(IAV),and human parainfluenza virus(HPIV),at a similar light power density(LPD)of~0.8 mW/cm2 for 10 s.These results will contribute to the advanced DUV LED application of disinfecting viruses with high potency and broad spectrum in a portable and eco-friendly use. 展开更多
关键词 ALGAN duv LED SUPERLATTICE SARS-CoV-2 influenza A virus
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Al和N极性AlN生长特性的第一性原理 被引量:1
16
作者 庄芹芹 林伟 +1 位作者 王元樟 张小英 《厦门理工学院学报》 2013年第3期30-34,共5页
使用第一性原理计算方法对Al和N极性AlN表面和生长特性的差异开展了研究.构建未吸附和吸附一个原子或原子层的Al和N极性AlN表面结构进行模拟和理论计算.结果表明:Al极性AlN比N极性AlN更稳定,并且在生长时将具有更高的生长速率;在富N的... 使用第一性原理计算方法对Al和N极性AlN表面和生长特性的差异开展了研究.构建未吸附和吸附一个原子或原子层的Al和N极性AlN表面结构进行模拟和理论计算.结果表明:Al极性AlN比N极性AlN更稳定,并且在生长时将具有更高的生长速率;在富N的生长环境下,N极性AlN的生长容易在表面形成双N原子层而出现反型畴;Al和N原子在Al极性表面上更容易扩散,所以外延生长的Al极性面AlN将会具有更加平整的表面形貌. 展开更多
关键词 深紫外LED ALN 极性可控生长 第一性原理计算
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Oneε-Ga_(2)O_(3)-based solar-blind Schottky photodetector emphasizing high photocurrent gain and photocurrent-intensity linearity 被引量:1
17
作者 安跃华 高震森 +3 位作者 郭雨 张少辉 刘增 唐为华 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第5期158-163,共6页
Theε-Ga_(2)O_(3) thin film was grown on sapphire substrate by using metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)method,and then was used to fabricate a deep-ultraviolet(DUV)photodetector(PD).Theε-Ga_(2)O_(3) thin f... Theε-Ga_(2)O_(3) thin film was grown on sapphire substrate by using metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)method,and then was used to fabricate a deep-ultraviolet(DUV)photodetector(PD).Theε-Ga_(2)O_(3) thin film shown good crystal quality and decent surface morphology.Irradiated by a 254-nm DUV light,the photodetector displayed good optoelectronic performance and high wavelength selectivity,such as photoresponsivity(R)of 175.69 A/W,detectivity(D*)of 2.46×10^(15) Jones,external quantum efficiency(EQE)of 8.6×10^(4)%and good photocurrent-intensity linearity,suggesting decent DUV photosensing performance.At 5 V and under illumination with light intensity of 800μW/cm2,the photocurrent gain is as high as 859 owing to the recycling gain mechanism and delayed carrier recombination;and the photocurrent gain decreases as the incident light intensity increases because of the recombination of photogenerated carriers by the large photon flux. 展开更多
关键词 metastable Ga_(2)O_(3) photocurrent gain LINEARITY duv detection
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High-Sensitivity Ozone Sensing Using 280 nm Deep Ultraviolet Light-Emitting Diode for Detection of Natural Hazard Ozone 被引量:1
18
作者 Yoshinobu Aoyagi Misaichi Takeuchi +6 位作者 Kaoru Yoshida Masahito Kurouchi Tsutomu Araki Yasushi Nanishi Hiroyasi Sugano Yumi Ahiko Hirotaka Nakamura 《Journal of Environmental Protection》 2012年第8期695-699,共5页
Recently ozone is one of natural hazards which comes from cars, industry using ozone for sterilization of organic and inorganic materials and for water purification. So, ozone sensing becomes very important, and conve... Recently ozone is one of natural hazards which comes from cars, industry using ozone for sterilization of organic and inorganic materials and for water purification. So, ozone sensing becomes very important, and convenient and accurate ozone sensor is required. A new high sensitivity ozone sensing system using an deep ultra-violet light emitting diode (DUV-LED) operated at the wavelength of 280 nm has been successfully constructed. The fabrication of diode operated at 280 nm is much easier than that of DUV-LED operated at Hg lamp wavelength of 254 nm. The system is compact and possible to sense the ozone concentration less than 0.1 ppm with an accuracy of 0.5% easily with low power DUV-LED of around 200 micro Watts operated at 280 nm without any data processing circuit. 展开更多
关键词 OZONE SENSING Deep Ultra VIOLET Light EMITTING Diode duv-LED High Sensitivity Long Life Compact
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光刻技术的发展 被引量:1
19
作者 李亚明 张飞 《电子世界》 2014年第24期464-465,共2页
简述目前微电子及半导体领域主流的光刻技术及其发展,介绍了目前主流的光刻技术有是紫外(UV)光刻技术、深紫外(DUV)光刻技术、极紫外(EUV)光刻技术和X射线(X-ray)光刻技术及它们的应用领域。同时探讨了光刻技术的发展和覆盖的... 简述目前微电子及半导体领域主流的光刻技术及其发展,介绍了目前主流的光刻技术有是紫外(UV)光刻技术、深紫外(DUV)光刻技术、极紫外(EUV)光刻技术和X射线(X-ray)光刻技术及它们的应用领域。同时探讨了光刻技术的发展和覆盖的范畴。 展开更多
关键词 光刻技术 UV duv EUV
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采用移相掩模技术制作深亚微米“T”型栅
20
作者 杨中月 付兴昌 +1 位作者 宋洁晶 孙希国 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第6期372-375,共4页
介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅光刻工艺采用了分辨率增强移相掩模技术... 介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅光刻工艺采用了分辨率增强移相掩模技术。根据曝光工具简单介绍了当前GaAs器件中"T"型栅主要制作方法,讨论了"T"型栅制作中所使用的移相掩模原理以及该技术应用于GaAs器件制作的优势,并介绍了工艺制作过程。给出了所制作的"T"型栅扫描电镜剖面照片,并进一步试验、讨论和分析了采用该种移相掩模版进行光刻时所遇到的主要困难及解决方向。 展开更多
关键词 深紫外光刻 负性化学放大胶 “T”型栅 移相掩模技术 分辨率增强技术 砷化镓PHEMT
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