以超纯磁铁精矿为原料通过H?gan?s工艺制备高纯还原铁粉

在本研究中,以铁品位为68.38%、硅含量为2.33%的优质磁铁精矿为原料通过反浮选获得了铁品位为72.12%、硅含量为0.09%的超纯磁铁精矿。以超纯磁铁精矿为原料,在1075℃下煤基还原18 h、850℃下氢气还原50 min制备了铁品位为99.06%的高纯还原铁粉。高纯还原铁粉的松装密度、流动性和压缩性分别为2.34 g/cm^(3),9.01 s/(50 g)和6.55 g/cm^(3),达到了粉末冶金用铁粉企业标准(MHF/QB-2016)中MHF80·235(优等)级。用高纯还原铁粉通过共沉淀法制备磷酸铁锂,其首次充电比容量达168.20 m A·h/g。铁鳞经过1075℃煤基还原36 h、14 m T磁选、850℃氢气还原60 min得到铁品位为98.47%的二次还原铁粉,其松装密度、流动性和压缩性分别为2.30 g/cm^(3),10.39 s/(50 g)和6.41 g/cm^(3)。与铁鳞相比,超纯磁铁精矿不仅可省去赫格纳斯工艺中的磁选环节,而且其煤基还原和氢气还原环节所需的时间更短,得到的还原铁粉铁品位更高、工艺性能更佳。本文提出了还原铁粉工艺性能的改善机理:还原铁粉的粗颗粒占比和铁品位的提高可以明显改善其松装密度和压缩性,粗颗粒占比的增加也会改善还原铁粉的流动性。

碳化硅基片上螺旋电感建模

在射频集成电路设计中,片上螺旋电感应用非常广泛。对于GaN器件,由于其单晶制备困难,无法进行同质外延,选用SiC作为GaN器件衬底是较为理想的选择。本文将针对SiC衬底进行片上螺旋电感建模,基于Enhance 1-p等效电路模型,可缩放模型中所有集总元件均用与电感的物理尺寸相关联的方程表示,并能准确表征使用同一工艺制造但不同尺寸射频螺旋电感的电性能。对一批具有不同电感值、圈数、线宽、间距、内径的方形螺旋电感进行仿真验证,结果表明,在谐振频率或20GHz以下,等效电路模型的S参数计算值可以很好的吻合电磁仿真结果,幅度相对误差小于10%,相位绝对误差小于5度。

应用于相控阵收发组件的射频微波集成电路设计探讨

微波单片集成电路非常重要,目前已经在各类高技术装备中得到了广泛的应用。文章首先对相控阵收发组件射频微波集成电路的设计优点进行了介绍,然后基于Ga N工艺基础进行射频微波集成电路的设计,取得了良好的设计效果,实现了数字电平直接对微波控制器件的控制。

一种工作于Ka频段的GaN单片集成功率放大器

针对Ka频段大功率发射机的要求,设计了一款基于0.15μm GaN工艺的5 W级输出的单片集成功率放大器.功率放大器工作频率为27-31 GHz,工作在AB类偏置条件下,采用3级单端共源结构,在末级使用功率合成结构.仿真结果表明,在20 V的电源电压下,功率放大器的小信号增益为25 dB,饱和输出功率为38dBm,功率附加效率为35%.