有源层厚度对Li-ZTO TFT电学性能的影响

本研究旨在制备Li-ZTO单有源层薄膜晶体管,并研究有源层厚度对其性能的影响。该研究采用磁控溅射方法,使用Li-ZTO靶材制备出了有源层厚度分别为70 nm,90 nm,110 nm的器件。采用了X射线光电子能谱(XPS)、原子粒显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)等设备对制备出的Li-ZTO薄膜进行测试分析。通过对不同有源层厚度的薄膜物质组成、表面形貌、晶粒生长情况的测试分析,进一步研究了有源层厚度对Li-ZTO薄膜性能的影响。除此之外,我们还利用半导体参数仪对Li-ZTO的电学性能进行了测试。结果表明,过厚的有源层将影响电荷传输,增加散射中心,影响器件性能。因此,有源层厚度为70 nm的Li-ZTO具有最好的性能,包括12.33 cm^(2)/vs的饱和迁移率、0.66 V的阈值电压、2.12 V/dec的亚阈值摆幅以及>10~8的开关比。