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Au maskless patterning for vacuum packaging using the electrochemical method
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作者 Bo Xie Deyong Chen +2 位作者 Junbo Wang Jian Chen Wen Hong 《Nanotechnology and Precision Engineering》 EI CAS CSCD 2018年第3期191-196,共6页
The interconnection of wires is an important issue in vacuum-packaged microelectromechanical systems devices because of the difficulties of hermetical sealing and electrical insulation.This paper presents an approach ... The interconnection of wires is an important issue in vacuum-packaged microelectromechanical systems devices because of the difficulties of hermetical sealing and electrical insulation.This paper presents an approach of Au film selective patterning on highly uneven surfaces for wire interconnections of devices in which silicon-oninsulator(SOI)wafers are anodically bonded to glass.The Au film on the handle layer,functioned as an anode,was selectively removed with electrochemical dissolution in a chloride solution.The choice of etchant solution and etching conditions were optimized to improve the process efficiency,resulting in a high yield of gold portions within the via holes for wire interconnection.The proposed wire interconnection technology was employed to fabricate a vacuum-packaged resonant pressure sensor as a proof-of-concept demonstration.Reliable wire bonding and vacuum package were achieved as well as a Q factor that does not decrease over a year.As a platform technology,this method provides a new approach of wire interconnection for vacuum-packaged devices based on SOI–glass anodic bonding. 展开更多
关键词 VACUUM packaging Wire INTERCONNECTION Selective gold ETCHING maskless pattern Highly uneven surface ELECTROCHEMICAL ETCHING
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Maskless Microscopic Lithography through Shaping Ultraviolet Laser with Digital Micro-mirror Device
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作者 Xiang-Yu Ding Yu-Xuan Ren Rong-De Lu 《Optics and Photonics Journal》 2013年第2期227-231,共5页
Laser shaping was introduced to maskless projection soft lithography by using digital micro-mirror device (DMD). The predesigned intensity pattern was imprinted onto the DMD and the input laser beam with a Gaussian or... Laser shaping was introduced to maskless projection soft lithography by using digital micro-mirror device (DMD). The predesigned intensity pattern was imprinted onto the DMD and the input laser beam with a Gaussian or quasi-Gaussian distribution will carry the pattern on DMD to etch the resin. It provides a method of precise control of laser beam shapes and?photon-induced curing behavior of resin. This technology provides an accurate micro-fabrication of microstructures used for micro-systems. As a virtual mask generator and a binary-amplitude spatial light modulator, DMD is equivalent to the masks in the conventional exposure system. As the virtual masks and shaped laser beam can be achieved flexibly, it is a good method of precision soft lithography for 2D/3D microstructures. 展开更多
关键词 DIGITAL Micro-mirror DEVICE (DMD) Laser SHAPING maskless Projection Soft LITHOGRAPHY
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磁场对无掩模定域性电沉积-增材制造三维微结构生长模式的影响
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作者 吴蒙华 姜炳春 +1 位作者 肖雨晴 贾卫平 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期2035-2042,共8页
为研究磁场对无掩模定域性电沉积增材制造(MLED-AM)金属三维微结构生长模式的作用,以制备直径为50μm、长径比为10∶1的微镍柱为例,在MLED-AM过程中分别施加一定强度且与电场作用方向相同的顺向磁场和与电场作用方向相反的逆向磁场,通... 为研究磁场对无掩模定域性电沉积增材制造(MLED-AM)金属三维微结构生长模式的作用,以制备直径为50μm、长径比为10∶1的微镍柱为例,在MLED-AM过程中分别施加一定强度且与电场作用方向相同的顺向磁场和与电场作用方向相反的逆向磁场,通过对比实验探讨磁场对微镍柱平均体积沉积速率、表面形貌及晶粒尺寸的影响规律。实验结果表明,相较于无磁场作用,磁场作用可提高MLED-AM的平均体积沉积速率、细化沉积体的平均晶粒尺寸,且逆向磁场的作用更加显著(平均体积沉积速率提高25%~50%,平均晶粒尺寸达31.52 nm);同时,磁场作用可在一定程度上改善微镍柱的表面形貌,且顺向磁场作用的效果更好。根据实验结果及分析,逆向磁场作用对MLED-AM效率与质量的影响更大。 展开更多
关键词 磁场 无掩模定域性电沉积 增材制造 三维微结构 生长模式
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基于卷积神经网络判定方法的激光微透镜阵列微米级加工工艺
4
作者 姚宇超 周锐 +2 位作者 严星 王振忠 高娜 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期43-52,共10页
在MLA曝光工艺中,曝光点的数量庞大,通过高倍率显微镜配合人工目检来判定曝光质量耗时耗力,造成工艺成本偏高。为了解决这个问题,设计了一种便于检测的圆环形图案并引入深度学习中的目标检测Yolov5模型,一定程度上能够取代人工目检,完... 在MLA曝光工艺中,曝光点的数量庞大,通过高倍率显微镜配合人工目检来判定曝光质量耗时耗力,造成工艺成本偏高。为了解决这个问题,设计了一种便于检测的圆环形图案并引入深度学习中的目标检测Yolov5模型,一定程度上能够取代人工目检,完成对曝光质量的快速判定。基于上述方法,分析了不同光刻胶厚度之下,线能量密度的最优区间与光刻胶的剖面倾角。并在同等线能量密度下通过圆度判定曝光图案失真情况。在本研究的MLA曝光工艺中,选取光刻胶厚度、激光曝光功率以及加工平台移动速度作为自变量,评价曝光合格率、光刻胶剖面倾角以及曝光圆度等加工质量参数具有重要的工程意义。 展开更多
关键词 无掩膜光刻 微透镜阵列 曝光合格率 目标检测
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基于无掩膜光刻法的纸基微流控芯片制备与验证研究 被引量:1
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作者 张严 朴林华 +2 位作者 佟嘉程 马炫霖 刘珺宇 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期1163-1167,共5页
为了开发新的纸芯片制备技术制作高精度的纸基微流控芯片,该文提出了一种基于无掩膜光刻技术的新制备方法。以疏水图案的表面接触角和液体在微流控通道内的流动情况为评价标准,研究了曝光、显影等关键工艺对疏水区域疏水强度以及液体流... 为了开发新的纸芯片制备技术制作高精度的纸基微流控芯片,该文提出了一种基于无掩膜光刻技术的新制备方法。以疏水图案的表面接触角和液体在微流控通道内的流动情况为评价标准,研究了曝光、显影等关键工艺对疏水区域疏水强度以及液体流动情况的影响。研究结果表明,仅需2 s曝光时间制备的纸芯片疏水区域的接触角可达100.56°,亲疏水区域具有明显的区分,最小可实现的亲水通道和疏水屏障分别为(68±5)μm和(104±9)μm。将纸基芯片用于亚硝酸盐的检测,溶液浓度与显色区颜色强度之间呈良好的相关性,线性方程为Y=3.450X+34.83,r^(2)=0.9770。无掩模光刻法制备纸芯片无需制作掩膜版,减少了芯片制作的成本和时间,工艺简便,芯片精度高,为纸芯片制备和应用提供了有效手段。 展开更多
关键词 无掩膜光刻 纸基微流控 微流控芯片 亚硝酸盐检测
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电子束光刻制备In-Ga-Zn-O场效应晶体管
6
作者 杜晓松 王宇 孔祥兔 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第11期991-994,1019,共5页
无掩模直写技术制备半导体器件的方法在微电子学领域受到了广泛关注。提出了采用电子束直写技术对SnO_(2)薄膜进行图形化并辐照改性的方法,成功制备了以SnO_(2)为源/漏电极的底栅型铟镓锌氧化物(IGZO)场效应晶体管(FET)并对其进行了测... 无掩模直写技术制备半导体器件的方法在微电子学领域受到了广泛关注。提出了采用电子束直写技术对SnO_(2)薄膜进行图形化并辐照改性的方法,成功制备了以SnO_(2)为源/漏电极的底栅型铟镓锌氧化物(IGZO)场效应晶体管(FET)并对其进行了测试。测试结果表明,该IGZO FET展现了优良的电学性能:高源漏电流开关比(1.1×10^(6))、高电子迁移率(1.4 cm^(2)/(V·s))、较小的回滞差分电压(<2 V)、极低的栅极漏电流(<1 nA),这为无掩模版制备高性能氧化物半导体器件及柔性全透明集成电路提供了全新的方法。 展开更多
关键词 电子束光刻 无掩模版图形化 直写技术 氧化物半导体器件 In-Ga-Zn-O
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聚焦离子束系统在微米/纳米加工技术中的应用 被引量:11
7
作者 张继成 唐永建 吴卫东 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第F11期40-43,46,共5页
聚焦离子束系统是微细加工和分析的主要技术之一,是一个完美的微米/纳米技术研究平台。简述了聚焦离子束系统的组成和主要功能,着重介绍了近年来该技术在离子束刻蚀、反应离子束刻蚀、离子束辅助沉积、离子注入、微区分析、掺杂和成像... 聚焦离子束系统是微细加工和分析的主要技术之一,是一个完美的微米/纳米技术研究平台。简述了聚焦离子束系统的组成和主要功能,着重介绍了近年来该技术在离子束刻蚀、反应离子束刻蚀、离子束辅助沉积、离子注入、微区分析、掺杂和成像以及无掩膜曝光等微米/纳米加工领域的应用,并对未来的发展前景进行了简要分析。 展开更多
关键词 聚焦离子束 刻蚀 沉积 离子注入 微区分析与加工 无掩膜曝光
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激光光刻技术的研究与发展 被引量:12
8
作者 邓常猛 耿永友 吴谊群 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第5期1223-1231,共9页
光刻技术作为制备半导体器件的关键技术之一将制约着半导体行业的发展和半导体器件的性能。随着半导体工业的发展,集成电路的特征尺寸越来越小,光刻技术将面临新的挑战。分析了激光光刻技术,包括投影式光刻和激光无掩膜光刻技术的研究现... 光刻技术作为制备半导体器件的关键技术之一将制约着半导体行业的发展和半导体器件的性能。随着半导体工业的发展,集成电路的特征尺寸越来越小,光刻技术将面临新的挑战。分析了激光光刻技术,包括投影式光刻和激光无掩膜光刻技术的研究现状,着重介绍了极紫外光刻(EUVL)作为下一代光刻技术的发展前景和技术难点、激光无掩膜光刻技术的发展,特别是激光近场扫描光刻、激光干涉光刻、激光非线性光刻等新技术的最新进展及其在高分辨率纳米加工领域的应用前景。 展开更多
关键词 投影式光刻 无掩膜光刻 发展趋势
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波前分割无掩模激光干涉光刻的实现方法 被引量:9
9
作者 冯伯儒 张锦 郭永康 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期8-10,共3页
激光干涉光刻不受传统光学光刻系统光源和数值孔径的限制,其极限尺寸CD达到曝光波长 的1/4,研究了波前分割双光束、三光束方法及四光束无掩模激光干涉光刻方法,提出了可用于五光束和多种多光束和多次曝光的梯形棱镜波前分割干涉光刻方... 激光干涉光刻不受传统光学光刻系统光源和数值孔径的限制,其极限尺寸CD达到曝光波长 的1/4,研究了波前分割双光束、三光束方法及四光束无掩模激光干涉光刻方法,提出了可用于五光束和多种多光束和多次曝光的梯形棱镜波前分割干涉光刻方法。用自行建立的梯形棱镜波前分割系统进行了多光束干涉曝光实验,得到孔尺寸约220nm的阵列图形。 展开更多
关键词 干涉光刻 激光光刻 无掩模 波前分割
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振幅分割无掩模激光干涉光刻的实现方法 被引量:7
10
作者 张锦 冯伯儒 郭永康 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期11-15,共5页
无掩模激光干涉光刻中的分束方法一般有波前分割和振幅分割。研究和比较了振幅分割无 掩模激光干涉光刻方法和系统,包括振幅分割双光束干涉系统、三光束干涉系统、液浸式深紫外干涉系统及全自动干涉光刻系统。建立了双光束双曝光干涉光... 无掩模激光干涉光刻中的分束方法一般有波前分割和振幅分割。研究和比较了振幅分割无 掩模激光干涉光刻方法和系统,包括振幅分割双光束干涉系统、三光束干涉系统、液浸式深紫外干涉系统及全自动干涉光刻系统。建立了双光束双曝光干涉光刻实验系统。模拟和实验结果表明,对点阵或孔阵图形,在同样的图形尺度下,无掩模干涉光刻比传统光刻简单得多。 展开更多
关键词 干涉光刻 激光光刻 振幅分割 无掩模
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从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展 被引量:6
11
作者 孙磊 戴庆元 +1 位作者 乔高帅 吴日新 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第3期186-190,共5页
从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果... 从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。在对各种光刻技术的原理、特点以及优缺点等分析对比的基础上,对未来主流光刻技术的发展做了一定的展望。 展开更多
关键词 浸入式光刻 EUV光刻 无掩模光刻 纳米压印光刻 特征尺寸
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数字灰度投影光刻技术 被引量:4
12
作者 赵立新 严伟 +6 位作者 王建 胡松 唐小萍 王肇志 王淑蓉 张正荣 张雨东 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第3期181-185,共5页
随着MEMS和MOEMS技术的发展和器件制作对低成本、灵活、高效的需求,数字灰度无掩模光刻技术已成为人们研究的热点。介绍了一种基于数字微镜器件(DMD)的无掩模数字灰度投影光刻技术,结合电寻址数字微镜阵列的工作方式,分析了DMD的灰度调... 随着MEMS和MOEMS技术的发展和器件制作对低成本、灵活、高效的需求,数字灰度无掩模光刻技术已成为人们研究的热点。介绍了一种基于数字微镜器件(DMD)的无掩模数字灰度投影光刻技术,结合电寻址数字微镜阵列的工作方式,分析了DMD的灰度调制机理和投影成像特性;阐述了DMD微镜结构与投影系统的倍数、数值孔径的关系;设计了投影光刻系统,并进行了分辨力和三维面形的曝光实验。实验结果表明,数字灰度投影光刻技术灵活、方便,尤其在三维浮雕微结构的制作方面,可实现光刻灰度的数字化调制,表面粗糙度可达0.1μm。 展开更多
关键词 数字灰度光刻 无掩模光刻 投影物镜 数字微镜器件 拼接
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新型光刻技术研究进展 被引量:16
13
作者 何立文 罗乐 +2 位作者 孟钢 邵景珍 方晓东 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期30-37,共8页
集成电路光刻作为传统光刻技术的典型代表,支撑着集成电路芯片的快速发展。新一代光刻技术具有工艺多样化、光刻精度高、光刻效率高的优点,在研发新型光电子器件、实现3维微纳结构、构建有序纳米孔通道等方面有很大的潜力。回顾了近些... 集成电路光刻作为传统光刻技术的典型代表,支撑着集成电路芯片的快速发展。新一代光刻技术具有工艺多样化、光刻精度高、光刻效率高的优点,在研发新型光电子器件、实现3维微纳结构、构建有序纳米孔通道等方面有很大的潜力。回顾了近些年来涌现的多种新型光刻技术,分析了各自的特征及在新型纳米电子、光子器件、能源、传感等领域中的应用。对未来光刻技术的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 激光技术 光学制造 新型光刻技术 无掩模光刻 掩模光刻 微纳结构
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激光电镀和激光刻蚀 被引量:6
14
作者 杨绮琴 童叶翔 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 1999年第2期47-50,46,共5页
对液相中的激光表面处理- 激光电镀和激光刻蚀进行综述,阐述了有关原理和应用。
关键词 激光电镀 激光刻蚀 电镀 表面处理
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悬臂梁式硅微加速度计的研制 被引量:2
15
作者 单光宝 阮晓明 +1 位作者 姚军 耿增建 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期17-20,共4页
介绍一种悬臂梁式硅微加速度计的结构与工作原理,并利用ANSYS软件进行了仿真模拟。采用体硅“无掩膜”腐蚀技术,对设计出的敏感芯片进行了工艺试制。通过合理的设计,使挠性梁腐蚀区域侧面上产生(311)面,通过控制所产生的(311)面对(111)... 介绍一种悬臂梁式硅微加速度计的结构与工作原理,并利用ANSYS软件进行了仿真模拟。采用体硅“无掩膜”腐蚀技术,对设计出的敏感芯片进行了工艺试制。通过合理的设计,使挠性梁腐蚀区域侧面上产生(311)面,通过控制所产生的(311)面对(111)面的侵削作用,获得了所需结构。为提高灵敏度和线性,该加速度计采用静电力反馈闭环控制方式,检测与处理电路采用高精度双极线性电路工艺进行了工艺流片。利用多芯片组装工艺进行了敏感芯片与一次集成的检测和处理电路的混合封装。经测试硅微加速度计性能为量程±50g,分辨率3×10–3g,非线性<5×10–4,质量为9.6g。 展开更多
关键词 电子技术 MEMS 硅微加速度计 “无掩膜”腐蚀 多芯片组装
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双光束双曝光与四光束单曝光干涉光刻方法的比较 被引量:4
16
作者 张锦 冯伯儒 郭永康 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期21-24,62,共5页
双光束双曝光和四光束单曝光是无掩模激光干涉光刻的两种典型方法,都容易利用现有光刻工艺,在不需掩模和高精度光刻物镜的情况下,用简单廉价光学系统在大视场和深曝光场内形成孔阵、点阵或锥阵等周期性图形。双光束双曝光法得到的阵列... 双光束双曝光和四光束单曝光是无掩模激光干涉光刻的两种典型方法,都容易利用现有光刻工艺,在不需掩模和高精度光刻物镜的情况下,用简单廉价光学系统在大视场和深曝光场内形成孔阵、点阵或锥阵等周期性图形。双光束双曝光法得到的阵列图形周期极限为λ/2;四光束单曝光的周期略大,为前者的2倍。模拟和实验结果表明,通过控制曝光和显影工艺,双光束双曝光较四光束单曝光能更灵活地得到孔阵或点阵,而四光束单曝光得到的图形孔与孔之间没有鞍点,较双光束双曝光形成的孔侧壁更陡。这两种方法在需要在大面积范围内形成孔或点这类周期阵列图形的微电子和光电子器件的制造领域有很好的应用前景。 展开更多
关键词 干涉光刻 无掩模 双光束双曝光 四光束单曝光
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2μm分辨DMD光刻系统镜头设计 被引量:2
17
作者 郭华 周金运 +1 位作者 刘志涛 雷亮 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期83-88,共6页
针对2μm分辨力的光刻,在以数字空间微反射器(DMD)为空间光调制器(SLM)的光刻系统中,采用一种新的非对称式结构组合,使用较少的透镜组成了一个高分辨力、大孔径的投影光刻镜头。利用ZEMAX光学设计软件对其进行了建模和优化,最终得到其... 针对2μm分辨力的光刻,在以数字空间微反射器(DMD)为空间光调制器(SLM)的光刻系统中,采用一种新的非对称式结构组合,使用较少的透镜组成了一个高分辨力、大孔径的投影光刻镜头。利用ZEMAX光学设计软件对其进行了建模和优化,最终得到其全视场波像差小于λ/10,畸变小于0.02%,像方数值孔径NA=0.158,最小分辨力为2μm,近轴缩小倍率β=-0.217,其结果有效的减少了DMD栅格效应对空间数字掩模图形的影响,满足数字投影光刻光学系统的各项指标要求。最后,对设计结果进行了公差分析,在修改过少数几个默认公差后,采用Monte Carlo方法进行模拟装配,证明了这种新结构镜头加工和校装的可行性。 展开更多
关键词 DMD无掩模光刻 栅格效应 投影镜头 光学设计
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高能聚焦质子束无掩模刻写方法研究初步 被引量:2
18
作者 刘江峰 包良满 李晓林 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期443-447,共5页
在中国科学院上海应用物理研究所的扫描质子微探针装置上,研制了图形化扫描器,同时研究了适合质子束刻写的光刻胶制备、显影、定影技术。在此基础上,开展高能聚焦质子束无掩模刻写实验,在厚度约11μm的PMMA光刻胶上刻写出高纵横比的任... 在中国科学院上海应用物理研究所的扫描质子微探针装置上,研制了图形化扫描器,同时研究了适合质子束刻写的光刻胶制备、显影、定影技术。在此基础上,开展高能聚焦质子束无掩模刻写实验,在厚度约11μm的PMMA光刻胶上刻写出高纵横比的任意图案,取得了初步质子刻写结果,为进一步开展质子纳米束刻写奠定基础。 展开更多
关键词 微结构 质子束刻写 无掩模 光刻胶
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用于无模光刻的连续浮雕谐衍射透镜阵列设计 被引量:2
19
作者 单明广 钟志 郭黎利 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期9-14,共6页
为了获得实时调焦写入以及高的系统分辨力和衍射效率,提出了一种基于连续浮雕谐衍射透镜阵列的无模光刻方法。该方法采用连续浮雕谐衍射透镜阵列作为无模光刻的物镜阵列,在兼顾系统分辨力和衍射效率基础上,由同一衍射透镜阵列实现聚焦... 为了获得实时调焦写入以及高的系统分辨力和衍射效率,提出了一种基于连续浮雕谐衍射透镜阵列的无模光刻方法。该方法采用连续浮雕谐衍射透镜阵列作为无模光刻的物镜阵列,在兼顾系统分辨力和衍射效率基础上,由同一衍射透镜阵列实现聚焦写入和检焦;同时利用谐衍射透镜的深浮雕特性调制透镜的环带宽度,降低透镜的制作难度。在分析谐衍射透镜特点以及考虑激光直写制作工艺对连续深浮雕衍射聚焦特性影响的基础上,设计、制作并测试了设计波长为441.6nm,F数为7.5的连续浮雕谐衍射透镜阵列。测试结果表明,该阵列同时具有聚焦写入和检焦功能,且对写入激光和检焦激光的衍射效率均优于70%,有望改善无模光刻的制作质量。 展开更多
关键词 无模光刻 连续浮雕衍射透镜 谐衍射
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衍射光学元件在无掩模光刻中的应用 被引量:4
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作者 佟军民 胡松 +1 位作者 李爱敏 谢常青 《微细加工技术》 EI 2006年第5期18-23,共6页
描述了波带片/多孔透镜阵列无掩模光刻方法,着重介绍了波带片的几何结构特点和衍射聚焦特性,研究了影响光刻分辨率的因素和使用位相型波带片代替振幅型波带片提高衍射效率的设计方法,讨论了高级衍射焦点对波带片的光刻对比度的影响及消... 描述了波带片/多孔透镜阵列无掩模光刻方法,着重介绍了波带片的几何结构特点和衍射聚焦特性,研究了影响光刻分辨率的因素和使用位相型波带片代替振幅型波带片提高衍射效率的设计方法,讨论了高级衍射焦点对波带片的光刻对比度的影响及消除措施,表明了波带片光刻有光刻对比度和高光刻分辨率受限于最小结构尺寸两个技术难点。对比介绍了多孔透镜的结构和衍射聚焦原理,论述了利用多孔透镜抑制高级衍射焦点和焦平面上次级大的特性,可以提高光刻对比度、提高光刻分辨率、克服波带片受限于最小结构尺寸的缺点。 展开更多
关键词 无掩模光刻 波带片 多孔透镜 分辨率 光刻对比度
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