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高亮绿光氮化镓基Micro-LED微型显示器制备
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作者 张杰 王光华 +10 位作者 邓枫 杨文运 高思博 鲁朝宇 孟泽阳 高树雄 常诚 曹坤宇 马赛江 刘颖琪 王丽琼 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第10期1186-1191,共6页
Micro-LED作为一种新型的显示技术,具有对比度高、响应快及寿命长等优点,已成为当前研究的热点。然而,尽管潜力巨大,Micro-LED技术的商业化之路仍面临诸多技术上的挑战与瓶颈。本文旨在探讨高亮绿光氮化镓基Micro-LED微型显示器的制备... Micro-LED作为一种新型的显示技术,具有对比度高、响应快及寿命长等优点,已成为当前研究的热点。然而,尽管潜力巨大,Micro-LED技术的商业化之路仍面临诸多技术上的挑战与瓶颈。本文旨在探讨高亮绿光氮化镓基Micro-LED微型显示器的制备过程及其相关技术。基于WVGA041全数字信号电路CMOS硅基驱动电路,制作了0.41 inch、分辨率为800×480的主动式单色绿光Micro-LED微型显示器。利用高精度倒装焊接技术实现了CMOS驱动电路与LED发光芯片的电气连接。结果表明,制备出LED显示芯片正常启亮电压为2.8V,EL光谱峰值波长524nm;在硅基CMOS电路驱动范围内,Micro-LED微型显示器在5V电压下,器件亮度为108000cd/m^(2)(最大亮度可达250000 cd/m^(2)),电流密度达到0.61A/cm^(2)时色坐标为(0.175,0.756)。当电流密度从0.3A/cm^(2)增加到1.3A/cm^(2)时,色坐标从(0.178,0.757)变化到(0.175,0.746),器件的色稳定性能够满足实际应用要求。 展开更多
关键词 micro-led 微型显示器 高亮单色绿光发光二级管
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A single micro-LED manipulation system based on micro-gripper 被引量:2
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作者 Jie Bai Pingjuan Niu +2 位作者 Erdan Gu Jianming Li Clarence Augustine TH Tee 《Nanotechnology and Precision Engineering》 EI CAS CSCD 2024年第2期41-48,共8页
Micro-LEDs(μLEDs)have advantages in terms of brightness,power consumption,and response speed.In addition,they can also be used as micro-sensors implanted in the body via flexible electronic skin.One of the key techni... Micro-LEDs(μLEDs)have advantages in terms of brightness,power consumption,and response speed.In addition,they can also be used as micro-sensors implanted in the body via flexible electronic skin.One of the key techniques involved in the fabrication ofμLED-based devices is transfer printing.Although numerous methods have been proposed for transfer printing,improving the yield ofμLED arrays is still a formidable task.In this paper,we propose a novel method for improving the yield ofμLED arrays transferred by the stamping method,using an innovative design of piezoelectrically driven asymmetric micro-gripper.Traditional grippers are too large to manipulateμLEDs,and therefore two micro-sized cantilevers are added at the gripper tips.AμLED manipulation system is constructed based on the micro-gripper together with a three-dimensional positioning system.Experimental results using this system show that it can be used successfully to manipulateμLED arrays. 展开更多
关键词 MICRO-GRIPPER micro-led Transfer printing MANIPULATION
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240 nm AlGaN-based deep ultraviolet micro-LEDs:size effect versus edge effect 被引量:2
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作者 Shunpeng Lu Jiangxiao Bai +6 位作者 Hongbo Li Ke Jiang Jianwei Ben Shanli Zhang Zi-Hui Zhang Xiaojuan Sun Dabing Li 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第1期55-62,共8页
240 nm AlGaN-based micro-LEDs with different sizes are designed and fabricated.Then,the external quantum efficiency(EQE)and light extraction efficiency(LEE)are systematically investigated by comparing size and edge ef... 240 nm AlGaN-based micro-LEDs with different sizes are designed and fabricated.Then,the external quantum efficiency(EQE)and light extraction efficiency(LEE)are systematically investigated by comparing size and edge effects.Here,it is revealed that the peak optical output power increases by 81.83%with the size shrinking from 50.0 to 25.0μm.Thereinto,the LEE increases by 26.21%and the LEE enhancement mainly comes from the sidewall light extraction.Most notably,transversemagnetic(TM)mode light intensifies faster as the size shrinks due to the tilted mesa side-wall and Al reflector design.However,when it turns to 12.5μm sized micro-LEDs,the output power is lower than 25.0μm sized ones.The underlying mechanism is that even though protected by SiO2 passivation,the edge effect which leads to current leakage and Shockley-Read-Hall(SRH)recombination deteriorates rapidly with the size further shrinking.Moreover,the ratio of the p-contact area to mesa area is much lower,which deteriorates the p-type current spreading at the mesa edge.These findings show a role of thumb for the design of high efficiency micro-LEDs with wavelength below 250 nm,which will pave the way for wide applications of deep ultraviolet(DUV)micro-LEDs. 展开更多
关键词 ALGAN deep ultraviolet micro-leds light extraction efficiency size effect edge effect
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用于Mini/Micro-LED芯片缺陷检测的全局特征压缩卷积神经网络
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作者 田心如 褚洁 +2 位作者 蔡觉平 温凯林 王宇翔 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期174-184,共11页
微型发光二极管(Mini/Micro-LED)是下一代显示技术。随着Mini/Micro-LED芯片物理尺寸的微小化,制造良品率下降、集成度激增,Mini/Micro LED芯片的快速、精确检测成为工业生产的关键。然而由于芯片尺寸小、分布密集,单个目标的特征信息... 微型发光二极管(Mini/Micro-LED)是下一代显示技术。随着Mini/Micro-LED芯片物理尺寸的微小化,制造良品率下降、集成度激增,Mini/Micro LED芯片的快速、精确检测成为工业生产的关键。然而由于芯片尺寸小、分布密集,单个目标的特征信息占比不足,且工业检测要求检测算法速度快、易部署,Mini/Micro-LED芯片缺陷检测仍面临巨大挑战。针对这些问题,设计了一种压缩注意力细节-语义互补卷积神经网络(CADSC-CNN)。在特征融合网络加入基于自注意力机制的编码器结构,更容易获取全局信息,对小目标的特征信息进行补充;同时对自注意力进行压缩操作减少模型的参数量,提高检测速率。此外,通过工业相机采集的Mini/Micro-LED数据集验证该方法的有效性。实验表明,该方法的平均精度均值(mAP)达到了95.6%,速度为100.6 fps。 展开更多
关键词 缺陷检测 Mini/micro-led 卷积神经网络 自注意力
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基于色转换层的Micro-LED全彩色显示专利分析
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作者 罗晓雅 《电视技术》 2024年第6期163-166,共4页
Micro-LED因其发光效率高、亮度高、响应时间短的优良性能,能够满足高分辨率、高亮度的新型显示需求,被视为下一代新型显示技术。针对基于色转换层的Micro-LED全彩色显示专利技术进行分析,统计该领域的专利申请趋势、地域分布和主要申请... Micro-LED因其发光效率高、亮度高、响应时间短的优良性能,能够满足高分辨率、高亮度的新型显示需求,被视为下一代新型显示技术。针对基于色转换层的Micro-LED全彩色显示专利技术进行分析,统计该领域的专利申请趋势、地域分布和主要申请人,梳理该领域的主要研究方向和重点专利,为后续相关领域的技术研发、专利申请和专利布局提供参考依据。 展开更多
关键词 micro-led 色转换 量子点 全彩色
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高调制带宽下的氮化镓Micro-LED LiFi光通信系统的设计与实现
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作者 王雅楠 刘枢 +3 位作者 刘圣广 刘曜恺 赵品皓 张宸菘 《电子制作》 2024年第8期22-25,97,共5页
本研究旨在探究高调制带宽下的氮化Micro-LED LiFi光通信系统在高调制带宽下的技术应用,首先,阐述了高调制带宽下的氮化Micro-LED LiFi系统原理,分析了其基于微小发光二极管的高速光通信的可行性。接着,完善了系统硬件设计的选型与优化... 本研究旨在探究高调制带宽下的氮化Micro-LED LiFi光通信系统在高调制带宽下的技术应用,首先,阐述了高调制带宽下的氮化Micro-LED LiFi系统原理,分析了其基于微小发光二极管的高速光通信的可行性。接着,完善了系统硬件设计的选型与优化,在系统软件设计层面,采用了先进的信号处理和调制解调技术,实现了高速数据传输和低误码率。最后,完成了系统实现与测试,搭建了实验平台进行了性能评估。结果表明,通过优化硬件和软件设计,系统成功实现了高传输率,在不同距离和角度下进行了功能测试,验证了系统的安全可靠性,为系统性能的进一步提升奠定了良好的技术基础。 展开更多
关键词 高调制带宽 氮化镓micro-led LiFi光通信系统
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GaN基Micro-LED反向漏电流失效机理分析
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作者 王伟 张腾飞 王绶玙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1539-1546,共8页
针对GaN基蓝光Micro-LED芯片,采用温度应力和电压应力的实验方法研究了其反向漏电流失效机理。结果表明,在温度应力下,Micro-LED芯片退化前的反向漏电流主要由多步热辅助隧穿电流构成,且受Poole-Frenkel(PF)隧穿机制影响;电压应力(-85V... 针对GaN基蓝光Micro-LED芯片,采用温度应力和电压应力的实验方法研究了其反向漏电流失效机理。结果表明,在温度应力下,Micro-LED芯片退化前的反向漏电流主要由多步热辅助隧穿电流构成,且受Poole-Frenkel(PF)隧穿机制影响;电压应力(-85V)退化后,反向漏电流会随着应力时间的延长而增大,此时由多步热辅助隧穿电流转换为空间电荷限制电流机制(SCLC)。通过分析退化前后的能带图得知,长时间的电压应力会发生击穿现象,导致Micro-LED芯片内部电场剧烈变化,电子能够以高能量碰撞到晶格原子,产生大量的载流子,从而增加了非辐射复合率,使得反向漏电流由原来的1.9766×10^(-7)A增大到1.5834×10^(-4)A。 展开更多
关键词 micro-led 失效机制 非辐射复合 遂穿通道 反向漏电流
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钙钛矿量子点色转换Micro-LEDs:稳定性与图案化研究进展
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作者 严梓峻 刘众 +8 位作者 杨晓 赖寿强 颜丰裕 林宗民 林岳 吕毅军 郭浩中 陈忠 吴挺竹 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1-26,共26页
微型发光二极管(Micro light-emitting diode,Micro-LED)显示具有优异的显示性能和光电性质,被称为“下一代”终极显示技术。为了满足近眼显示需求,Micro-LED需要进一步微缩与集成化。随着微纳级图案化技术的不断革新,荧光色转换层法表... 微型发光二极管(Micro light-emitting diode,Micro-LED)显示具有优异的显示性能和光电性质,被称为“下一代”终极显示技术。为了满足近眼显示需求,Micro-LED需要进一步微缩与集成化。随着微纳级图案化技术的不断革新,荧光色转换层法表现出低制造成本等显著优势,相较于三色芯片法,更适合应用于对色域、分辨率有更高要求的虚拟/增强现实显示应用。钙钛矿量子点是最有前景的荧光色转换材料,然而自身晶格固有的不稳定性和外界环境因素刺激共同导致的结构降解是一大问题。另外,如何制备与Micro-LED芯片阵列相匹配的微米级荧光阵列图案是至关重要的。为此,本文首先讲述了造成钙钛矿量子点结构不稳定性的原因,其次,总结了配体交换、离子掺杂、表面包覆和化学交联等方案在提升钙钛矿量子点稳定性方面的应用,最后,总结了光刻技术和喷墨打印技术在制备高分辨率钙钛矿量子点荧光阵列的最新研究进展。 展开更多
关键词 micro-led 荧光色转换层法 钙钛矿量子点 稳定性 图案化技术
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氮化镓基Micro-LED显示技术研究进展 被引量:7
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作者 蒋府龙 许非凡 +2 位作者 刘召军 刘斌 郑有炓 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第11期2013-2023,共11页
现代社会已经进入信息化并向智能化方向发展,显示是实现信息交换和智能化的关键环节。在目前众多显示技术中,Micro-LED显示技术被认为是具有颠覆性的次世代显示技术,得到学术界与产业界的广泛关注。Micro-LED显示技术是一种新自发光显... 现代社会已经进入信息化并向智能化方向发展,显示是实现信息交换和智能化的关键环节。在目前众多显示技术中,Micro-LED显示技术被认为是具有颠覆性的次世代显示技术,得到学术界与产业界的广泛关注。Micro-LED显示技术是一种新自发光显示技术,具有对比度高、响应快、色域宽、功耗低及寿命长等优点,可以满足高级显示应用的个性化需求。然而目前在Micro-LED显示商业化进程中,依然存在一些技术瓶颈尚未解决。应用于Micro-LED晶圆的外延技术需考虑衬底选择、波长均匀性及缺陷控制等方面因素;Micro-LED器件的效率衰减问题目前依然没有有效的解决途径;此外利用颜色转换媒介实现单片Micro-LED全彩显示技术尚未成熟。本文从以上3个问题点出发,分别综述了Micro-LED显示目前存在的技术问题及研究现状。 展开更多
关键词 氮化镓 micro-led显示 外延 micro-led器件 效率衰减 micro-led全彩显示
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基于Micro-LED技术的汽车照明和车载显示应用研究
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作者 冯美权 《时代汽车》 2024年第22期149-151,共3页
随着汽车智能化和电动化的发展,Micro-LED凭借其高亮度、快速响应、宽色域等优异性能,在先进车灯系统和车载显示屏等方面领域呈现广阔的创新应用前景,能够提升安全性、增强驾乘体验。虽然Micro-LED在芯片制造、封装、驱动电路等关键环... 随着汽车智能化和电动化的发展,Micro-LED凭借其高亮度、快速响应、宽色域等优异性能,在先进车灯系统和车载显示屏等方面领域呈现广阔的创新应用前景,能够提升安全性、增强驾乘体验。虽然Micro-LED在芯片制造、封装、驱动电路等关键环节的核心技术已经取得显著进展,但其在汽车应用中仍亟待解决成本高昂、可靠性不稳定等问题。在未来智能座舱和自动驾驶等领域,Micro-LED技术将成为推动汽车交互智能化的重要支撑技术之一。 展开更多
关键词 micro-led 智能车灯 车载显示 汽车交互
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六边形micro-LED台面制备及光学特性研究
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作者 徐彤 陈鹏 +5 位作者 李玉银 谢自立 赵红 施毅 张荣 郑有炓 《光电子技术》 CAS 2024年第3期185-189,202,共6页
在蓝宝石为衬底的标准绿光GaN-LED外延片上,成功制备了边长分别为6μm、8μm、10μm且具有不同侧壁晶面(m面,a面)的六边形micro-LED台面。通过光致发光谱研究了各个侧壁晶面的六边形micro-LED台面的发光特性。结果显示,在10.5 kW/cm^(2... 在蓝宝石为衬底的标准绿光GaN-LED外延片上,成功制备了边长分别为6μm、8μm、10μm且具有不同侧壁晶面(m面,a面)的六边形micro-LED台面。通过光致发光谱研究了各个侧壁晶面的六边形micro-LED台面的发光特性。结果显示,在10.5 kW/cm^(2)的注入功率密度下,边长6μm的m面侧壁的micro-LED台面比a面侧壁的micro-LED台面的发光峰强提高了24.4%。在9.05 kW/cm^(2)的注入功率密度下,随着台面尺寸从10μm缩小到6μm,m面侧壁台面单位面积的发光峰强提升了52.8%。结果表明,micro-LED台面侧壁对发光效率具有重要影响,设计制备符合GaN晶格特性的低密度界面态侧壁六边形micro-LED台面,可大幅提高micro-LED发光效率,是实现高量子效率micro-LED的特定解决方案。 展开更多
关键词 氮化镓六边形台面 光学特性 量子效率 微型发光二极管
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Micro-LED芯片激光去除机理及工艺参数优化 被引量:1
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作者 乔健 吴振铎 +2 位作者 彭信翰 冉雨宣 杨景卫 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1360-1370,共11页
为提高面板级Micro-LED显示面板的制造质量,需要对不良Micro-LED芯片进行原位去除与修复,利用COMSOL建立激光双温烧蚀模型,开展了Micro-LED不良芯片激光去除机理和工艺参数的优化。通过单脉冲激光对MicroLED芯片烧蚀所形成表面光斑的直... 为提高面板级Micro-LED显示面板的制造质量,需要对不良Micro-LED芯片进行原位去除与修复,利用COMSOL建立激光双温烧蚀模型,开展了Micro-LED不良芯片激光去除机理和工艺参数的优化。通过单脉冲激光对MicroLED芯片烧蚀所形成表面光斑的直径平方来推算Micro-LED的烧蚀阈值,拟合出激光参数与烧蚀深度的关系,并对双温烧蚀模型的准确性进行验证;分析了激光光斑重叠率、能量密度和不同扫描路径下对应芯片的烧蚀特征及去除机理,结合双温烧蚀模型完成了激光扫描路径及对应工艺参数的优化。结果表明,飞秒激光烧蚀模型对Micro-LED芯片激光烧蚀加工的最大分析误差为9.28%,优化的激光去除模式实现了1秒/颗的快速精准剥离和焊盘表面的高质量整平修复,对大幅面Micro-LED显示面板规模化生产中不良芯片的快速修复具有重要的指导作用。 展开更多
关键词 飞秒激光 原位去除 微发光二极管显示器 不良芯片
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Mini-LED显示与Micro-LED显示浅析 被引量:9
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作者 林伟瀚 杨梅慧 《电子产品世界》 2019年第7期65-67,共3页
液晶面板LCD显示因技术成熟、性价比高目前仍占显示行业主导地位.Micro-LED由于其优秀显示特性已经成为目前技术的热点,Mini-LED则是其过渡产品.对比了LCD、OLED、Mini-LED和Micro-LED显示特性.Micro-LED在亮度、色彩、大尺寸可变性等... 液晶面板LCD显示因技术成熟、性价比高目前仍占显示行业主导地位.Micro-LED由于其优秀显示特性已经成为目前技术的热点,Mini-LED则是其过渡产品.对比了LCD、OLED、Mini-LED和Micro-LED显示特性.Micro-LED在亮度、色彩、大尺寸可变性等方面性能优异.而Mini-LED结合8K及QD技术将达到OLED画质,并且可靠性和成本占优势. 展开更多
关键词 Mini-LED显示 micro-led显示 LCD OLED
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Micro-LED技术和产业化研究进展 被引量:3
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作者 耿怡 《微纳电子与智能制造》 2021年第3期4-7,共4页
基于Micro-LED技术发展趋势和新特点,从产线建设和战略合作等角度,对我国Micro-LED产业化进展进行了总结,指出发展面临的瓶颈主要有外延生长、巨量转移、有源背板驱动和彩色化等几大部分,这些部分之间存在不同又相互联系,各部分紧密合作... 基于Micro-LED技术发展趋势和新特点,从产线建设和战略合作等角度,对我国Micro-LED产业化进展进行了总结,指出发展面临的瓶颈主要有外延生长、巨量转移、有源背板驱动和彩色化等几大部分,这些部分之间存在不同又相互联系,各部分紧密合作,协同攻克技术瓶颈将是推动Micro-LED技术突破和产业化发展的重要手段。在超大尺寸应用领域和小尺寸应用领域,技术开发和系统集成创新仍然是重要的突破路径,在此过程中,材料和设备的进步也将为MicroLED的大规模量产提供助力。 展开更多
关键词 新型显示 micro-led 产业化
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氮化镓基Micro-LED的研究现状 被引量:12
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作者 田朋飞 顾而丹 +1 位作者 刘冉 郑立荣 《光源与照明》 2018年第1期1-4,共4页
氮化镓基Micro-LED在显示、可见光通信、光遗传学、无掩膜光刻、高压LED和光镊等领域具备潜在的应用前景。文章介绍了Micro-LED阵列的制备流程,总结了Micro-LED的量子效率、调制带宽和可靠性等特性,并重点描述了Micro-LED在显示和可见... 氮化镓基Micro-LED在显示、可见光通信、光遗传学、无掩膜光刻、高压LED和光镊等领域具备潜在的应用前景。文章介绍了Micro-LED阵列的制备流程,总结了Micro-LED的量子效率、调制带宽和可靠性等特性,并重点描述了Micro-LED在显示和可见光通信领域的应用。 展开更多
关键词 micro-led 氮化镓 micro-led显示 可见光通信
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Micro-LED全彩显示中量子点膜层制备及光转换效率优化 被引量:7
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作者 卢子元 庄永漳 +7 位作者 仉旭 王涛 谭毅 王倩静 张晓东 蔡勇 张宝顺 张晶 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期421-429,共9页
将表面配体改性的CdSe/ZnS量子点(Quantum dots)和光刻胶混合,进而采用光刻工艺在InGaN/GaN蓝光Micro-LED上实现了最小尺寸为3μm的高分辨率、高光效的量子点颜色转换膜层。同时系统研究了不同厚度和混合比例的量子点膜层的吸收/发射光... 将表面配体改性的CdSe/ZnS量子点(Quantum dots)和光刻胶混合,进而采用光刻工艺在InGaN/GaN蓝光Micro-LED上实现了最小尺寸为3μm的高分辨率、高光效的量子点颜色转换膜层。同时系统研究了不同厚度和混合比例的量子点膜层的吸收/发射光谱及光致发光量子产率(PLQY)。为优化光转换效率,量子点膜层中加入了TiO_(2)散射粒子以提高蓝光的吸收效率。更进一步地,经过设计引入分布式布拉格反射镜(DBR),使得未被吸收的蓝光光子回弹到量子点转换膜层,这不仅提升了蓝光吸收效率,也增强了转换色彩的饱和度。同时采用了热激发方式来提升量子点的光致发光量子产率。为得到更高的显示对比度和色彩饱和度,引入黑色光阻矩阵来削弱临近图形之间的颜色串扰。实验结果表明,该量子点膜层可以用光刻技术实现高分辨率、高光效的颜色转换图层,为单片全彩化Micro-LED显示的发展提供了新颖可靠的技术路线。 展开更多
关键词 micro-led 量子点 分布式布拉格反射镜(DBR) 颜色转换 散射粒子
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高分辨率AM Micro-LED显示器设计及其驱动实现 被引量:11
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作者 林杰泓 聂君扬 +3 位作者 张永爱 周雄图 严群 郭太良 《半导体光电》 CAS 北大核心 2020年第1期68-72,共5页
设计了一种基于蓝宝石衬底氮化镓基蓝色/绿色多量子阱LED外延片,利用成熟的LED芯片工艺制备了高像素Micro-LED芯片阵列;在Micro-LED芯片和CMOS驱动芯片表面设计并制备了金属凸点,采用高精度倒装焊接工艺实现LED显示芯片和CMOS驱动芯片... 设计了一种基于蓝宝石衬底氮化镓基蓝色/绿色多量子阱LED外延片,利用成熟的LED芯片工艺制备了高像素Micro-LED芯片阵列;在Micro-LED芯片和CMOS驱动芯片表面设计并制备了金属凸点,采用高精度倒装焊接工艺实现LED显示芯片和CMOS驱动芯片的良好键合,成功制备了分辨率为640×360的Micro-LED显示器。同时,以FPGA为控制器,设计了Micro-LED显示器的驱动系统,该驱动系统对输入的图像数据进行缓存并将其处理为显示器所能接收的单色图像数据,最后将处理后的图像数据写入驱动芯片并实现图像显示。 展开更多
关键词 micro-led 有源矩阵 驱动系统 FPGA 高分辨率
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大尺寸Micro-LED显示屏封装技术及短路问题研究 被引量:1
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作者 马莉 徐诗雨 卢长军 《微纳电子与智能制造》 2021年第4期10-14,共5页
Micro-LED显示技术被认为是继OLED之后的下一代显示技术,但由于转移效率、良率、检测等难题尚未完全解决,Micro-LED最先被应用于大尺寸LED显示屏领域。本文设计了P0.64in1 MiP灯珠结构,降低了Micro-LED应用难度,实现了4K P0.6 Micro-LE... Micro-LED显示技术被认为是继OLED之后的下一代显示技术,但由于转移效率、良率、检测等难题尚未完全解决,Micro-LED最先被应用于大尺寸LED显示屏领域。本文设计了P0.64in1 MiP灯珠结构,降低了Micro-LED应用难度,实现了4K P0.6 Micro-LED显示屏,并对屏幕短路不良进行了研究,结果表明,BT板制程中pd离子的残留是短路发生的主要原因,通过调整油墨曝光时间、增加后浸制程等工艺,有效清除残存活性Pd离子,提高了Micro-LED显示屏运行的可靠性。 展开更多
关键词 micro-led micro-led in package 短路
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基于蓝绿光Micro-LED的可见光通信芯片调制带宽研究 被引量:5
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作者 王轩 陶涛 +8 位作者 刘斌 许非凡 梁师豪 苗涛 刘晓燕 智婷 谢自力 张荣 郑有炓 《半导体光电》 CAS 北大核心 2021年第4期469-473,487,共6页
基于氮化镓微米LED(Micro-LED)的可见光通信(Visible Light Communication,VLC)技术成为近年来的研究热点。通过深紫外光刻技术制备了小尺寸的氮化镓基蓝/绿光Micro-LED芯片,深入研究了40~10μm不同尺寸Micro-LED器件的性能,以及其作为... 基于氮化镓微米LED(Micro-LED)的可见光通信(Visible Light Communication,VLC)技术成为近年来的研究热点。通过深紫外光刻技术制备了小尺寸的氮化镓基蓝/绿光Micro-LED芯片,深入研究了40~10μm不同尺寸Micro-LED器件的性能,以及其作为VLC光源的调制带宽能力。研究发现,随着LED器件尺寸的缩小,其调制带宽显著增加。通过在电极间加入电磁屏障以及对LED器件侧壁进行钝化修复,直径为10μm的绿光Micro-LED亮度可达1×10^(8) cd/m^(2),直径为20μm的蓝光Micro-LED的调制带宽可达372.6MHz。研究结果表明,基于氮化镓的Micro-LED芯片在调制带宽上仍有较大的提升空间,经过进一步的研究,有望推动高速可见光通信的系统应用。 展开更多
关键词 可见光通信(VLC) micro-led 调制带宽 氮化镓
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晶圆级Micro-LED芯片检测技术研究进展 被引量:4
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作者 苏昊 李文豪 +6 位作者 李俊龙 刘慧 王堃 张永爱 周雄图 吴朝兴 郭太良 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期582-594,共13页
随着微型氮化镓(GaN)发光二极管(LED)制造工艺的不断进步,Micro-LED显示有望成为新一代显示技术并在近眼显示、大尺寸高清显示器件、柔性屏幕等领域大放异彩。在Micro-LED显示众多技术环节中,晶圆级Micro-LED芯片的检测是实现坏点拦截,... 随着微型氮化镓(GaN)发光二极管(LED)制造工艺的不断进步,Micro-LED显示有望成为新一代显示技术并在近眼显示、大尺寸高清显示器件、柔性屏幕等领域大放异彩。在Micro-LED显示众多技术环节中,晶圆级Micro-LED芯片的检测是实现坏点拦截,提升显示屏良品率、降低整机制造成本的关键环节。针对大数量(百万数量级)、小尺寸(<50μm)的晶圆级Micro-LED芯片阵列,现有的电学检测手段存在检测效率低、成本高等缺点。因此,提高检测效率、提升检测准确度、降低检测成本是晶圆级Micro-LED检测技术的发展趋势。本文首先介绍了晶圆级Micro-LED芯片检测时所需要检测的几个指标,其次详细介绍并分析了现有的或已经提出的检测手段,最后对晶圆级Micro-LED芯片检测技术进行总结并展望了未来技术发展方向。 展开更多
关键词 micro-led 缺陷检测 接触型检测 无接触检测
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