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氧化铝复合磨粒对硬盘NiP/Al基板CMP的研究
被引量:
1
1
作者
麻鹏飞
张萍
+1 位作者
蒋春东
吴疆
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期1069-1074,共6页
在Al2O3表面改性的基础上,制备了以氧化铝、水、双氧水、氢氧化钠溶液为主要成分的抛光液,研究了计算机NiP/Al硬盘盘基片的化学机械抛光(chemical mechanical polishing,简称CMP)特性.通过螺旋测微仪测量了NiP/Al硬盘盘基片表面在不同...
在Al2O3表面改性的基础上,制备了以氧化铝、水、双氧水、氢氧化钠溶液为主要成分的抛光液,研究了计算机NiP/Al硬盘盘基片的化学机械抛光(chemical mechanical polishing,简称CMP)特性.通过螺旋测微仪测量了NiP/Al硬盘盘基片表面在不同抛光压力、抛光盘转速、时间、pH值下的材料去除率,利用原子力显微镜AFM表征了抛光后的硬盘盘基片表面粗糙度及形貌,并分析研究了Al2O3抛光液的CMP机理.最终得到最佳抛光工艺参数:抛光盘速率为30r/min、抛光压力2.1kPa、抛光时间为60min、抛光液pH值为9,此时表面粗糙度Ra为4.67nm.
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关键词
al
2O3抛光液
nip/al基板
化学机械抛光
原文传递
硬盘基板化学机械粗抛光的实验研究
被引量:
1
2
作者
刘利宾
刘玉岭
+2 位作者
王胜利
林娜娜
杨立兵
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第12期923-928,共6页
针对硬盘NiP/Al基板粗抛光,采用SiO2作为抛光磨料的碱性抛光液,在不同压力、转速、pH值、磨料浓度和活性剂体积浓度下,对硬盘基板粗抛光的去除速率和表面粗糙度的变化规律进行研究,用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌。最后对5个关...
针对硬盘NiP/Al基板粗抛光,采用SiO2作为抛光磨料的碱性抛光液,在不同压力、转速、pH值、磨料浓度和活性剂体积浓度下,对硬盘基板粗抛光的去除速率和表面粗糙度的变化规律进行研究,用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌。最后对5个关键参数进行了优化。结果表明:当压力为0.10 MPa,转速为80 rad/min,pH值为11.2,磨料与去离子水体积比为1∶0.5,表面活性剂体积浓度为9 mL/L时,硬盘基板的去除速率为27 mg/min,粗抛后表面粗糙度为0.281 nm,获得了高的去除速率和较好的表面粗糙度,这样会大大降低精抛的时间,有利于抛光效率的提高。
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关键词
nip/al基板
SiO2磨料
单因素法
化学机械抛光(CMP)
粗糙度
去除速率
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职称材料
题名
氧化铝复合磨粒对硬盘NiP/Al基板CMP的研究
被引量:
1
1
作者
麻鹏飞
张萍
蒋春东
吴疆
机构
四川大学材料科学与工程学院
出处
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期1069-1074,共6页
文摘
在Al2O3表面改性的基础上,制备了以氧化铝、水、双氧水、氢氧化钠溶液为主要成分的抛光液,研究了计算机NiP/Al硬盘盘基片的化学机械抛光(chemical mechanical polishing,简称CMP)特性.通过螺旋测微仪测量了NiP/Al硬盘盘基片表面在不同抛光压力、抛光盘转速、时间、pH值下的材料去除率,利用原子力显微镜AFM表征了抛光后的硬盘盘基片表面粗糙度及形貌,并分析研究了Al2O3抛光液的CMP机理.最终得到最佳抛光工艺参数:抛光盘速率为30r/min、抛光压力2.1kPa、抛光时间为60min、抛光液pH值为9,此时表面粗糙度Ra为4.67nm.
关键词
al
2O3抛光液
nip/al基板
化学机械抛光
Keywords
A12O3 polishing slurry,
nip/
A1 basic subsrate, CMP
分类号
TK514 [动力工程及工程热物理—热能工程]
原文传递
题名
硬盘基板化学机械粗抛光的实验研究
被引量:
1
2
作者
刘利宾
刘玉岭
王胜利
林娜娜
杨立兵
机构
河北工业大学微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第12期923-928,共6页
基金
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
河北省自然科学基金资助项目(E2010000077)
文摘
针对硬盘NiP/Al基板粗抛光,采用SiO2作为抛光磨料的碱性抛光液,在不同压力、转速、pH值、磨料浓度和活性剂体积浓度下,对硬盘基板粗抛光的去除速率和表面粗糙度的变化规律进行研究,用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌。最后对5个关键参数进行了优化。结果表明:当压力为0.10 MPa,转速为80 rad/min,pH值为11.2,磨料与去离子水体积比为1∶0.5,表面活性剂体积浓度为9 mL/L时,硬盘基板的去除速率为27 mg/min,粗抛后表面粗糙度为0.281 nm,获得了高的去除速率和较好的表面粗糙度,这样会大大降低精抛的时间,有利于抛光效率的提高。
关键词
nip/al基板
SiO2磨料
单因素法
化学机械抛光(CMP)
粗糙度
去除速率
Keywords
nip/
al
substrate
SiO2 abrasive
single factor
CMP
roughness
remov
al
rate
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧化铝复合磨粒对硬盘NiP/Al基板CMP的研究
麻鹏飞
张萍
蒋春东
吴疆
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
原文传递
2
硬盘基板化学机械粗抛光的实验研究
刘利宾
刘玉岭
王胜利
林娜娜
杨立兵
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
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职称材料
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