质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性

对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重;相同等效总剂量条件下,10 MeV质子造成的损伤较3 MeV质子的高;质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。

PNP输入双极运算放大器的辐射效应

对PNP输入双极运算放大器进行了不同偏置条件和不同剂量率下电离辐照实验。结果表明,高剂量率辐照时,正偏置条件下的偏置电流变化稍大于零偏置;低剂量率辐照时,正偏置下的偏置电流变化小于零偏置。两种PNP输入双极运算放大器均表现出明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且在零偏置下的低剂量率辐照损伤增强效应更显著。

PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特性

研究了PNP输入双极运算放大器LM837在1MeV电子和60Coγ源两种不同辐射环境中的响应特性和变化规律.分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失效的机理.结果表明:1MeV电子辐照LM837引起的损伤主要是电离损伤,并且在正偏情况下比60Coγ源辐照造成的损伤大;辐照过程中,不同辐照源正偏条件下的偏置电流变化都比零偏时微大;在不同的辐照源下,LM837辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关.

电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性

本文对不同偏置下的NPN输入双极运算放大器LM108分别在1.8 Me V和1 Me V两种电子能量下、不同束流电子辐照环境中的损伤特性及变化规律进行了研究,分析了不同偏置状态下其辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失效的机理,并且分析了器件在室温和高温的退火效应以讨论引起器件电参数失效的机理.结果表明,1.8 Me V和1 Me V电子对运算放大器LM108主要产生电离损伤,相同束流下1.8 Me V电子造成的损伤比1 Me V电子更大,相同能量下0.32Gy(Si)/s束流电子产生的损伤大于1.53 Gy(Si)/s束流电子.对于相同能量和束流的电子辐照,器件零偏时的损伤大于正偏时的损伤.器件辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关.

宽频带双输入运算放大器OPA678

本文介绍了美国BURR -BROWN公司的宽频带双输入集成运算放大器OPA678的四种典型应用电路 ,并对使用中的一些问题和注意事项作了具体说明。

JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性

本文对几种不同型号的JFET输入双极运算放大器在不同剂量率(1、0.1、0.01及10-4、6.4×10-5Gy(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究。结果显示,由于制作工艺相异,不同型号JFET输入双极运放对不同的剂量率辐照也表现出响应差异,但总的来说可分为三大类:第一类明显具有低剂量率辐照损伤增强效应,但同时又有时间效应的关系;第二类虽有不同剂量率的辐照损伤的差异,但这种差异可通过相同时间的室温退火来消除;第三类无剂量率效应,但有明显的“后损伤”现象。文中对引起电路辐照损伤差异的机理进行了探讨。

一种转换速率为2000V/μs的超高速运算放大器

介绍了一种超高速运算放大器,其转换速率为2000 V/μs、建立时间为25ns(精确到0.1% )。重点叙述了其电路结构、工作原理以及PN结隔离互补双极工艺(CBiP)技术。采用CBiP技术实现了纵向NPN、纵向PNP晶体管的兼容。并用Ca-dence SPICE对该电路进行了模拟分析,模拟结果显示SR2500 V/μs。对研制的样品进行了测试分析,其SR2000 V/μs。

Intersil的高精度运算放大器系列新增双信道40V精密单电源放大器

Intersil公司宣布推出业内领先的高精度运算放大器产品系列的新成员ISL28208，这是一款高精度、支持负电压信号输入、轨到轨输出、支持3V-40V单电源供电的双通道运算放大器．为工业控制应用提供了无可比拟的解决方案。

一种高精度低噪声运算放大器设计

设计并实现了一种高精度低噪声运算放大器。提出了一种基极电流消除技术,补偿了输入对管基极电流,有效地降低了运算放大器的输入偏置电流,从而能够通过提高输入对管的集电极电流来减小输入噪声电压,实现了较低的运算放大器总等效输入噪声。同时,采用集电极-发射极电压补偿电路,消除了厄利效应的影响,提高了电路精度。电路采用36 V互补双极工艺流片,测试结果表明,芯片的失调电压为6.94μV,在1 kHz下的电压噪声密度为5.6 nV/√Hz,电流噪声密度为0.9 pA/√Hz。

一种用于视频信号处理的高速宽带运算放大器

基于高速亚微米互补双极工艺,设计了一种用于视频信号处理的高速宽带运算放大器。电路内部采用高速输入差分对、电流型放大单元、Rail-to-Rail输出单元等结构进行信号传输和放大。对开环增益提升、高速电压-电流信号转换、满摆幅输出设计以及频率稳定性补偿等关键技术进行分析,利用Spectre软件进行仿真。流片后的测试结果表明,在±5V工作电压下,该放大器的-3dB带宽≥200 MHz,失调电压≤5mV,电源电流≤6mA,满足高速通信、高速ADC前端信号采集、视频信号处理等各种场合的应用需求。

高速运算放大器新技术──电流反馈运算放大器

简述了高速运算放大器的进展，着重描述了８０年代末期基于互补双极工艺发展起来的电流反馈运算放大器的原理、特点、应用及制造工艺，分析了电流反馈运算放大器的小信号特性和大信号特性。

200V/μs高速宽带运算放大器的设计考虑

介绍了一种采用介质隔离互补双极工艺制造的单片高速宽带电压反馈型运算放大器。着重分析了电路的工作原理、设计特点和制造工艺。最后。

低噪声视频运算放大器的研究现状及发展趋势

低噪声视频运算放大器因其低噪声、高速宽带特性被广泛应用于视频设备中。文章介绍了低噪声视频运算放大器的发展简史及激光修调电阻技术。通过对比BJT、CMOS、BiCMOS、SOI和GaAs各种工艺的优缺点,结合国内外低噪声视频运算放大器的发展现状,对其发展趋势进行了展望。

集成运算放大器的特性及其在音频放大器中的应用(十)——低电压、低功耗运算放大器OPA2353

一、OPA2353简介 TI／BB公司生产的运算放大器OPA2353与上一回介绍的NS公司生产的LME976一样。也是具有电源电压低、消耗电流小、输入／输出轨到轨特性的双运算放大器集城电路。

Diodes新型运算放大器

Diodes公司推出新型APX4558双通道运算放大器，其输入噪声低至8nV／√Hz，无需增加物料清单成本也可满足更高的音频性能要求。APX4558的先进性能加上高达3MHz的单位增益带宽，使其适用于成本特别敏感的各种音频产品，如机顶盒和前置放大器。

运算放大器的直流误差特征及其对高精度应用的影响

运算放大器简称运放,是双端口集成电路（IC）,用于给外部输入信号提供精确的增益,把输入信号按＂输入×闭环增益＂放大后输出。在中、低频率以及中等直流增益时高精度运放的性能接近于理想运算放大器。然而,即使在这些条件下,运放性能也还受其他因素的影响,而导致精度变差,性能达不到。其中最常见的限制条件是输入参考误差,它是高直流增益应用中的主要因素。

ISL28208：运算放大器

Intersil公司推出高精度运算放大器产品ISL28208，是一款高精度、支持负电压信号输入、轨到轨输出、支持3V－40V单电源供电的双通道运算放大器。

基于SiGe BiCMOS工艺的25 Gbit/s跨阻放大器设计

采用0.25μm SiGe双极CMOS(BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA)。在寄生电容为65 fF的情况下,电路分为主放大器模块、两级差分模块和输出缓冲模块。相比传统的跨阻放大器,TIA采用Dummy形式实现了一种伪差分的输入,减小了共模噪声,提高了电路的稳定性;在差分级加入了电容简并技术,有效地提高了跨阻放大器的带宽;在各级之间引入了射极跟随器,减小了前后级之间的影响,改善了电路的频域特性。电路整体采用了差分结构,抑制了电源噪声和衬底噪声。仿真结果表明跨阻放大器的增益为63.6 dBΩ,带宽可达20.4 GHz,灵敏度为-18.2 dBm,最大输出电压为260 mV,功耗为82 mW。

一种PN结隔离互补双极工艺

介绍了几种互补双极工艺的结构和特点,详细阐述了一种基于N型外延的PN结隔离互补双极工艺;着重探讨了隔离制作技术和PNP管设计要点,并对实际流片结果进行了讨论。

PJFET与双极兼容工艺技术研究

通过对PJFET与双极兼容工艺技术的研究，解决了PJFET和双极兼容工艺中的技术难点，得到了IDSS=150-350μA（W／L=10：1）、Vp=0．8～1．2V、IGSS=10^-12～10^-11 A的高性能PJFET和β=100-250、BVCEO≥36V、Ua≥100V的NPN管。采用该技术，成功研制出一种偏置电流小于100pA的高精密双极结型场效应晶体管（BJFET）集成运算放大器，获得了良好的效果。