基于运放弱失配机制的快速启动和稳定的PTAT电流源设计

为了解决传统PTAT电流源在启动过程中响应速度过长和收敛速度过慢等问题,提出了一种新型快速启动和稳定PTAT电流源.基于高可靠双极结构,引入了一种具有弱失配机制的运算放大器结构,利用局部负反馈以及共享负载电容等方法,在优化芯片面积的同时,大大加快电路的启动速度和环路收敛稳定速度.电路性能在上电启动、稳定收敛和工作模式三方面均有大幅度的提升.结果表明,在标准UMC 180 nm CMOS工艺下,电賂可实现-40℃到85℃的宽温工作范围,2.5-5 V宽摆幅工作电压,104.26μA的平均电流,实现4μs的启动速度以及108 dB的高PSRR抑制比特性,在对启动与收敛速度要求较高的系统芯片中有良好的应用前景.

一种PTAT的MOS温度传感电路的设计与实现

温度传感器的研究趋势是提高测温精度和分辨率、增加测试功能、规范接口标准、提高可靠性和安全性。国际上新型温度传感器正从模拟式向数字式、从集成化向智能化和高精度、低功耗、高集成度的方向发展。为了提高温度传感器的线性度,设计采用了PTAT电路,实现了温度-电压转换效率高、线性度好、测温准确、功耗低的要求。

pTAT-HA质粒载体在受体菌DH5α中的转化及鉴定

目的探索pTAT-HA质粒在受体菌DH5α中转化的方法。方法配制LB培养基,将pTAT-HA质粒转化至DH5α,培养筛选成功转化子,电泳鉴定。结果pTAT-HA质粒转化菌可在Amp+LB培养基中生长,电泳结果显示质粒大小准确无误(约3000bp)。结论pTAT-HA质粒转化成功,转化菌可冷冻保存质粒,提取的质粒可用于下游分子生物学实验。

一种基于控制PTAT电流的温度系数可调带隙基准源

设计了一种温度系数可调的带隙基准源,利用控制PTAT电流的大小产生具有不同温度系数的基准电压,仅采用两个双极型晶体管,具有较好的电源噪声抑制特性。与传统方法相比,简化了电路结构,减小了占用芯片面积,改善了版图设计的对称性。该电路在更宽的调节范围内,通过4位控制信号可实现16级的温度系数调节,同时通过设计专门电路提高了电源噪声抑制比。采用0.35μm CMOS工艺实现了该带隙基准源。仿真结果表明,基准电压的温度系数可在-1.76^+1.84 mV/℃范围内进行调节,低频时基准电压的PSRR达到-110 dB。

pTAT-HA-ARC和pTAT-HA-eGFP的原核表达及转导神经元活性初步鉴定

目的构建原核表达质粒,表达并纯化pTAT-HA-ARC和pTAT-HA-eGFP融合蛋白,初步探讨其转导神经元细胞的活性。方法构建pTAT-HA-ARC和pTAT-HA-eGFP原核表达载体,将载体转化大肠杆菌,通过IPTG诱导表达目的蛋白,优化IPTG诱导浓度,通过镍亲和层析柱和脱盐柱纯化蛋白,SDS-PAGE和Western blot印迹鉴定目的蛋白;并通过荧光显微镜观察pTAT-HA-eGFP转导小鼠海马神经元细胞HT22的活性。结果成功表达、纯化pTAT-HA-ARC和pTAT-HA-eGFP融合蛋白,本试验中优化的IPTG诱导浓度为0.1m M;pTAT-HA-eGFP融合蛋白能充分转导入HT22细胞中。结论表达和纯化了能直接转导入HT22细胞的带有TAT-HA标签的融合蛋白,为进一步在体外和体内研究pTAT-HA-ARC蛋白对神经元的保护作用奠定了基础。

使用PTAT电流补偿的基准电流源

本文提出了一种使用PTAT电流来做温度补偿的基准电流源电路。在常见的电压控制的基准电流源的基础上,叠加一路PTAT电流,使得基准电流源实现接近零温度系数的温度特性,同时,使用这种温度补偿方法,基准电路源可以使用正温度系数的电阻,电阻设计时就有了更多的器件选择空间。通过选择随工艺变化较小的正温度系数电阻,可以得到更高的电流精度。

一种低压CMOS亚阈型PTAT基准源

设计了一款工作在低电源电压且与绝对温度成正比（PTAT）的基准电路;采用衬底偏置技术、电阻分压作为PMOS放大器的输入和用工作在亚阈值区的NMOS管代替衬底PNP管三种方法,使得该电路可以在低电源电压下工作,且工作电流较小。该电路采用CSMC 0.6μm2P2 M工艺,电源电压为1.2 V、温度为0-100℃时,输出电压的温度系数为0.912 mV/K,电源电流为6.8μA;当电源电压在1.1-2.0 V变化时,室温下的输出电压是461.4±0.4 mV。

珠海BP PTAT程积极节能减排

据悉，目前在珠海建成投产的珠海BP年产90万tPTA（精对笨二甲酸）二期装置工程，不仅使珠海BP化工有限公司成为全国最大的PTA生产基地之一，而其安全、环保设施也将成为该公司的亮丽名片。 据珠海BP公司介绍，传统工艺每生产1tPTA要消耗190kg标准煤，二期装置工程投产后预计可降到65k标准煤。温室气体排孜方面，传统工艺每生产1tPTA要排孜0．55t温室气体，而二期投产后可以降到0．21t，

一种基于频差自校准的高精度RC振荡器

提出了一种基于频差自校准的高精度RC振荡器。通过对PTAT高频环形振荡器时钟计数,得到RC振荡器和参考时钟的计数偏差。数字自校准电路通过电阻阵列校准参考电压,减小计数偏差,进而得到稳定的振荡频率。参考时钟仅在工作前校准,实际工作中不需要额外的参考时钟。该RC振荡器采用CSMC 0.18μm工艺,工作电压为1.8 V。仿真结果表明,该电路可以产生2 MHz的稳定振荡频率,整个系统的功耗为48.4μW,启动时间小于15μs。在-40~125℃温度范围内,振荡频率变化率小于±0.2%。在1.70~1.98 V供电电压范围内,振荡频率变化率小于±0.25%/V。

一种结构新颖的曲率校正带隙基准电压源

基于0.35umCMOS标准工艺,采用一种结构新颖的温度曲率校正电路作为一级温度补偿电路的曲率校正电路,与传统的曲率校正电路相比具有更稳定的输出电压和更低的平均温度系数。经过Hspice仿真,结果表明:电压源在温度-20-120范围内,平均温度系数(TC)约1.7ppm/oC;工作电压约1.4V,获得了一个低压高精度的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。

一种CMOS过热保护电路

提出了一种用于集成电路内部的过热保护电路 .采用 0 .6 μm n阱互补金属氧化物半导体 (CMOS)工艺的spectre仿真结果表明 ,此电路对因电源电压、工艺参数变化而引起的过热保护阈值点漂移有很强的抑制能力 .

一种带输出缓冲的低温度系数带隙基准电路

基于TSMC0.18μm标准CMOS标准工艺，提出了一种低温度系数，宽温度范围的带隙基准电压电路，该电路具有高电源抑制比，启动快及宽电源电压工作区域的优点，由于具备输出缓冲，可提供较低的输出阻抗及较高的电流负载能力。电路在-40℃到＋110℃的温度变化范围内，基准电压为2.3020V±0.0015V，温度系数仅为7.25×10^-6/℃（-40℃到＋110℃时），PSRR为64dB（11kHz处），电源电压变化范围为1.6-4.3V，输出噪声为5.018μV/√Hz（1kHz处）。

开关电源芯片中过温保护技术的研究与实现

在分析温度对开关电源芯片的可靠性、稳定性有严重影响的基础上,利用与绝对温度成正比的PTAT电流检测温度变化的原理,设计了一种新颖的过温保护电路。该电路具有迟滞功能,并且关断和开启阈值可调,同时输入电压变化对温度门限的影响很小。仿真波形显示该电路工作性能优异。最后该电路应用在DC-DC芯片中,采用1.6μmBiCMOS工艺,完全满足芯片设计需要,具有很大的应用前景。

一种BiCMOS过温保护电路

在分析现有过温保护电路的基础上,针对它们电路结构复杂、功耗较高、工作电压高等缺点提出了一种用于集成电路内部的采用BiCMOS工艺的过温保护电路,电路结构简单、功耗较低、工作电压低、抗干扰能力强,对温度的迟滞特性避免了热振荡对芯片带来的危害。采用0.6μmBiCMOS工艺的HSPICE仿真结果表明,该电路对因电源电压、和工艺参数变化而引起的温度迟滞特性的漂移具有很强的抑制能力。

一种带软启动电路的带隙基准电压源的实现

文章提出了一种带软启动电路的带隙基准电压源电路,设计基于0.5!m2P3MBiCMOSProcess,并使用了低压共源共栅电流镜结构减少了对电源电压的依赖,消除了精度与余度之间的矛盾,同时还增加了软启动电路,从而减少了基准电路在启动时的电流,保护了电路的正常启动工作,并用HL50S-S3.1S.lib库文件对HSPICE进行了仿真,其电源抑制比PSRR大约为-78.9dB。

应用于TCXO的高性能温度传感器设计

介绍了一款基于0.4μm Bi CMOS工艺应用于温度补偿晶体振荡器的高性能温度传感器的设计。该温度传感器利用基极-发射极电压(VBE)减去与绝对温度成正比(PTAT)电流在电阻上的压降的原理,产生了与温度成线性的输出电压。采用包含两个串联发射结电压和低失调运算放大器的PTAT电流产生器,实现了高精度的PTAT电流;采用具有负温度系数的电阻,补偿了VBE的高阶温度特性;采用共源共栅结构,提高了输出电压的电源抑制。后仿真结果表明,当电源电压为3.3 V,温度范围为-40~85℃时,温度传感器的输出电压范围为0.964~1.490V,输出电压的斜率范围为-4.245×10-3^-4.160×10-3,斜率变化范围为8.5×10-5,表明该温度传感器具有非常高的线性度。

一种三阶曲率补偿带隙基准电压源的设计

在传统电流求和模式带隙基准电压源的基础上进行改进,设计了一种简单的三阶曲率补偿带隙基准电压源。该基准源由启动电路、低压高增益两级运算放大器、基准核心电路和高阶曲率补偿电路组成。在低温段,通过PMOS管进行二阶补偿;在高温段,通过PTAT2电流进行三阶补偿。基于CSMC 0.35μm CMOS工艺,采用Cadence软件对设计电路进行仿真分析。结果表明,在-40-125℃温度范围内,5V电源电压下,基准源输出电压为1.226V,输出电压变化范围为0.51mV,基准源的温度系数为2.5×10^-6/℃,低频时的电源抑制比为-67dB。

一种用于电子标签的低功耗高精度时钟电路设计

设计了一种适合射频电子标签的高精度时钟产生电路,在分析影响输出频率稳定性各因素的基础上,针对标签电路低功耗宽工作环境的要求,提出一种全CMOS结构带隙基准做偏置的电流受限型环形振荡器。全MOS自偏置PTAT迁移率和阈值电压互补偿带隙基准源的设计,使时钟电路受电源电压和温度的影响极小。全电路采用TSMC 0.18μmCMOS工艺实现。HSpice仿真结果表明:电源电压为1.2~2 V,温度从-10^+70℃变化时,带隙基准温度系数和电源电压抑制比分别为12 ppm/℃和59 dB,时钟稳定度在±2.5%以内,电路平均功耗仅为4μw。

基于180nm COMS工艺的低功耗温度传感器电路设计

为降低温度传感器的功耗,提出一种结构简单的片上温度-频率转换器电路。该转换器能够根据与绝对温度成比例PTAT(Proportional To Absolute Temperature)的电流检测出温度,利用源极耦合多谐振荡器电路,将温度等效PTAT电流转换成频率。提出的电路采用标准180 nm CMOS技术设计,面积约为0.061 mm^2。通过多次实际测量,结果显示:当电源电压为0.8 V±10%时,该温度传感器能够在-43℃^+85℃的温度范围内良好工作,并且经过单点校正之后,最大温度误差小于±1℃。当电源电压为0.8 V时,+85℃条件下的平均功率损耗仅为500 n W。

一种新型高精度CMOS电压基准源

在分析MOS管电流电压的温度特性的基础上,基于对两个连接成二极管形式的对称NMOS管通以不同大小的PTAT电流,NMOS管的栅压将向不同方向变化这一原理,通过对这两个NMOS管的栅压进行相互补偿,设计了一种新型的CMOS基准电压源.电路采用TSMC0.18μmCMOS工艺进行设计,基于BSIM3V3模型,利用Cadence的Spectre工具对电路进行仿真.结果表明:当电源电压VDD=1.2V时,其温度系数仅为28×10-6/℃.