CuS@PVK复合材料的制备及其光学性能

本文分别以吡啶/水混合溶剂和甲醇为分散体系,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)等为表面活性剂,采用分散聚合的方法,首先制备出聚乙烯基咔唑(PVK)纳米球。再通过半导体材料CuS对PVK进行掺杂制备出CuS@PVK复合材料。采用扫描电子显微镜(SEM)、粉末XRD、紫外光谱(UV)、荧光光谱(Fluorescence spectrum)等对其进行表征。结果显示该复合材料降低了纯PVK的荧光性能,有利于空穴的传递,增强了复合物的空穴导电能力。

基于PVK:NPB掺杂体系的有机电致发光器件的性能

利用溶液旋涂的方法,通过改变复合功能层中poly(N-vinylcarbazole)(PVK)和N,N′-bis-(1-naph-thyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine(NPB)的质量比,制备结构为indium-tin-oxide(ITO)/PVK:NPB/2,9-dimenthyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)/Mg:Ag的有机电致发光器件,并对器件的电致发光特性进行了表征。研究结果表明,当复合功能层中PVK和NPB的质量比为1:1时器件性能最好,在该器件的电致光谱中,除了NPB的本征谱峰外,在长波方向还出现了一个位于640nm处的谱峰,这是PVK和NPB产生的电致激基复合物发光,并且随着驱动电压的增加,电致激基复合物的发光强度也相对增强。

Ir(Fppy)3掺杂PVK体系发光特性的研究

对蓝色磷光材料Ir(Fppy)3不同浓度掺杂PVK薄膜的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性进行了研究。并制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK:Ir(Fppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al的蓝色磷光有机电致发光器件。实验结果发现,磷光材料掺杂浓度不同,器件发光特性不同。当Ir(Fppy)3掺杂浓度比较低时,EL光谱中可以观察到PVK较弱的发光;当Ir(Fppy)3掺杂浓度较高时,会发生浓度猝灭;当Ir(Fppy)3掺杂浓度比较适中时,EL光谱中观察不到PVK的发光,只有Ir(Fppy)3的发光。通过I-V-L特性的比较,当掺杂浓度为4%时,器件的光电特性最好。

苯甲酰水杨酸铽与PVK混合体系的发光特性

合成了一类以苯甲酰水杨酸(benzoylsalicylicacid,BSA)为第一配体,邻菲罗啉(1,10 phenanthroline,phen)为第二配体的稀土铽配合物,将导电高分子材料PVK引入到配合物中,制成了结构为ITO PVK:Tb(BSA)3phen PBD Alq LiF Al电致发光器件。并对该配合物的吸收特性及电致发光和光致发光性能进行了研究,实验数据表明在PVK与Tb(BSA)3phen之间存在着Forster能量传递.该配合物具有很好的光致发光和电致发光性能。本文同时比较了几种不同PVK掺杂浓度对于器件性能的影响。

铽配合物与PVK混合体系的发光研究

研究了铽配合物 [Tb(m MBA) 3 phen]2 ·2H2 O与PVK共掺杂体系的激发光谱和光致发光谱 ,发现两者之间存在着能量转移 ,由于PVK的发射光谱和铽配合物的激发光谱重叠很小 ,两者之间发生F rester能量传递的几率很小 ,铽的发光主要是由于铽配合物的配体俘获了电子 空穴对使配体受到激发而导致的 ,在电致发光中 ,PVK的发光完全被抑制 ,与光致发光的表现不同 ,这是由于两种发光 (光致和电致 )机理不同造成的。

DCM掺杂PVK体系的超快光谱

利用稳态荧光光谱和时间分辨超快光谱研究了DCM掺杂PVK(聚乙烯咔唑)体系的发光特性和能量转移。根据DCM的吸收光谱与PVK的荧光光谱,用F rster理论估算出DCM∶PVK掺杂体系能量转移的临界半径及其效率。在DCM∶PVK掺杂薄膜中,随着掺杂浓度的升高,DCM的发射强度增强,PVK的发射强度减弱,两者相对强度之比与估算结果一致。还利用时间分辨超快光谱研究了DCM∶PVK掺杂薄膜体系的能量转移动力学过程,观察到DCM∶PVK掺杂薄膜的荧光寿命随着掺杂浓度的升高逐渐变短。结果表明,在DCM∶PVK掺杂薄膜中,存在从PVK到DCM较为有效的F rster能量转移。

PVK／C60电荷转移络合物的光谱研究

利用紫外光谱、荧光光谱研究了ＰＶＫ／Ｃ_（６０）~＊（Ｃ_（６０）~＊与Ｃ_（７０）混合物）体系的光谱行为，实验结果表明，ＰＶＫ与Ｃ_（６０）之间存在电荷转移络合作用。紫外光谱结果表明ＰＶＫ／Ｃ_（６０）~＊电荷转移络合物的特征吸收峰在４７４ｎｍ附近，这与理论计算结果相吻合．ＰＶＫ单元与Ｃ_（６０）之间的最佳匹配约为５：１．荧光光谱结果进一步证明了ＰＶＫ与Ｃ_（６０）~＊之间的电荷转移络合作用的存在。

多孔硅/PVK复合体系的光电性能

用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑的复合 ,并研究了不同温度热处理后复合体系的电学和光学性能 .实验结果表明 :热处理有利于复合体系发光强度的提高 ;而且当热处理温度不超过 12 0℃ ,随着热处理温度的升高器件的整流效应增大 .同时 ,复合体系还实现了电致发光 ,产生了 5 5 5nm的电致发光峰 .

PVK/SiO_2纳米粒子复合体系能量传递的研究

通过溶胶反应在乙醇溶液中合成了60nm的SiO2纳米粒子,将其与聚乙烯咔唑(PVK)共混,得到了不同质量分数的PVK/SiO2复合体系。利用荧光光谱、吸收光谱,研究了PVK/SiO2复合体系的荧光效应,光致发光的研究表明在PVK与SiO2纳米粒子之间存在界面能量传递过程,这种能量传递的必要条件是PVK的发射谱与SiO2纳米粒子的吸收谱有重叠。以上研究表明PVK/SiO2复合体系存在较强的界面效应,是研究有机与无机纳米体系界面效应的良好模型。

三重态发光材料Cu_4掺杂的PVK发光器件及特殊的发光增强机理研究

The bilayer devices using a mixture film of triplet emitting material Cu 4(C≡CPh 4) 4L 2[L=1,8 bis(diphenyl phosphino) 3,6 dioxaoctane](Cu 4) and hole transport polymer poly(9 vinylcarbazole)(PVK) as emitting layer, electron transport material TAZ as the electron transport layer were prepared. Different devices that formed by varied Cu 4 ratios show different light emitting properties through singlet triplet and triplet triplet energy transfer. The result showed a new application of triplet emitting materials.

表面增强拉曼光谱研究聚乙烯咔唑(PVK)在银表面的吸附状况

ＰＶＫ表面增强光谱及粉末拉曼光谱的对比分析表明，ＰＶＫ分子是通过杂五环和邻双取代苯环同衬底银表面吸附的，且ＰＶＫ分子与银原子之间存在电荷转移。

不同粒径的SiO_2纳米粒子与PVK分子复合体系的发光性质研究

通过溶胶-凝胶的方法,在乙醇溶液中合成了40nm和60nm两种不同粒径的SiO2纳米粒子,并将其分别与聚乙烯咔唑(PVK)混和,得到了不同粒径、不同质量分数配比的PVK/SiO2纳米粒子复合体系;利用光致发光光谱、吸收光谱和喇曼光谱,深入研究了PVK分子在不同状态条件下的发光特性和PVK/SiO2纳米粒子复合体系的光学性质;在复合体系中,观察到PVK与SiO2纳米粒子之间的界面能量转移过程,且不同粒径的SiO2纳米粒子对PVK分子的发光性质影响也不同。通过喇曼光谱的进一步研究表明,SiO2纳米粒子的存在,使PVK分子的振动能量明显减小,表明PVK分子与SiO2纳米粒子表面存在较强的相互作用。

PVK/C_(60)组合体系薄膜的拉曼光谱和荧光光谱研究

我们采用物理喷束淀积技术制备了Ｃ６０、Ｃ７０及聚乙烯咔唑ＰＶＫ／Ｃ６０的混合和分层薄膜，拉曼光谱的测量表明，这种技术所制备的富勒烯薄膜中，富勒烯的笼型结构仍保持完整，而在ＰＶＫ／Ｃ６０组合薄膜中，拉曼光谱及荧光光谱测量表明：在ＰＶＫ和Ｃ６０分子之间存在激发传递过程，在混合膜中，这种激发传递过程要明显强于分层组合薄膜。

PVK／TNF／DR1光折变有机薄膜的真空制备方法

用真空热压、真空“饱和蒸汽溶入”法相结合的方法成功地制备了均匀性及透光性良好的光折变高分子薄膜。由于在真空环境中制备并不使用有机溶剂，所以样品中不存在残留溶剂和微气泡，大大改善了均匀性和耐电压特性，在双光束耦合测试中观察到了明显的光折变效应，且具有很强的电场响应特性，可得到较高的衍射效率，本方法在光学有机薄膜的制备方面有广泛的应用前景。

C_(60)/PVK/CdS纳米粒子功能复合LB膜研究

目的 尝试用 Langmuir- Blodgett(LB)技术组装 C60 技术组装 C60 功能复合体系的新方法 .方法 采用 (L B)技术制备 C60 / PVK/ Cd S花生酸混合 LB膜并利用界面化学反应技术将混合膜与硫化氢气体反应制得 C60 / PVK/ Cd S纳米粒子功能复合 LB膜并进行紫外光谱表征 .结果 含不同比例 C60 的 C60 PVK/ AA体系可以在镉亚相上形成稳定的单层膜并转移到固体基片上得到 LB多层膜 .L B混合膜与硫化氢气体反应后其紫外光谱有所改变 .结论 LB技术与界面化学反应技术相结合的方法可以用于制备 C60 / PVK/ Cd

基于MEH-PPV/PVK混合发光层的白光PLED发光机理探讨

分别采用聚合物MEH—PPV、PVK、MEH—PPV和PVK混合溶液及MEH—PPV、PVK与OXD-7混合溶液作为发光层材料制成了4种相似结构的PLED显示器件，并对上述器件进行了光谱测试．对其光谱分析发现，MEH-PPV的光谱主要集中在红、黄领域，短波区光谱强度弱，可以忽略不计；PVK的光谱范围较宽，短波区域光谱强度相对较高，但与长波区光谱强度相比则较低；MEH—PPV：PVK混合发光材料不仅出现了MEH—PPV和PVK所有光谱的光线，而且实验发现波长在500～540nm的光线亮度随着波长的增加亮度增强，即出现了所谓的反常区，对此作者提出两种模型对该反常区进行了详细解释；加入电子传输材料OXD-7后，PLED器件短波长部分的光线强度增加，这主要是由于OXD-7能够有效增加电子的传输效率，进而有效提高激子的能量．

PVK与新型D-π-A分子掺杂体系的能量转移及发光性质

通过对PVK与4种新型D-π-A分子(分别简写为CKD,TKD,PKD,NKD)掺杂体系的吸收光谱、激发光谱和光致发光光谱的研究,分析了掺杂体系的光致发光特性和能量转移现象.制备了结构为ITO/PEDOT/PVK:D-π-Aω/Alq3/Al的电致发光器件,研究了掺杂体系的电致发光性能.研究结果表明,通过改变D-π-A分子中不同给电子能力的电子给体,可以调控其带隙,进而实现对D-π-A分子发光峰位的调节;给电子基团空间立构效应越高,其荧光量子效率越高.在掺杂体系的光致发光和电致发光中,PVK与D-π-A分子之间都发生了有效的能量转移,通过调节PVK与D-π-A分子的比例,可以调节掺杂体系的发光性能.当TKD在PVK中的掺杂质量分数为6%时,电致发光器件发光亮度为729·1cd/m2时,发光效率达到1·75cd/A.

聚合物PVK掺杂1,3-二(2-苯并恶唑)-苯(OXA)的光致发光

合成并研究了１，３－二（２－苯并恶唑）－苯（ＯＸＡ）的光致发光特性．将该有机材料溶于氯仿中，并以不同的掺杂浓度掺入聚合物聚乙烯咔唑的氯仿溶液，用甩胶的方法制膜，发现薄膜的荧光光谱随掺杂浓度的增加向长波移动，并且发射强度随掺杂浓度的增加下降．

聚乙烯咔唑(PVK)的光电导效应

通过改变聚乙烯咔唑(PVK)中光敏剂C60和TNF的浓度,材料体系的环境温度,以及外加电场场强的大小等,对材料体系的光电导效应进行了分析,发现材料的光电导具有正的温度系数,随光敏剂含量和外加电场场强的增加而增大,对PVK+C60和PVK+TNF的光电导进行了对比.并且计算了两种掺杂材料体系的外电流效率,讨论了温度、电场场强、光强等因素对材料外电流效率的影响,同时对两种掺杂材料体系的外电流效率进行了对比.