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Fe中刃型位错扭折处掺S的电子结构 被引量:1
1
作者 陈丽群 邱正琛 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1015-1019,共5页
用基于密度泛函理论的自洽离散变分方法研究了bcc Fe中[100](010)刃型位错扭折处掺S的电子结构,计算了杂质偏聚能、原子间相互作用能、电荷密度及态密度.计算结果表明:S引入体系后,电荷发生了重新分布,S原子得到电子,其周围Fe原子失去电... 用基于密度泛函理论的自洽离散变分方法研究了bcc Fe中[100](010)刃型位错扭折处掺S的电子结构,计算了杂质偏聚能、原子间相互作用能、电荷密度及态密度.计算结果表明:S引入体系后,电荷发生了重新分布,S原子得到电子,其周围Fe原子失去电子,且S原子的3p轨道与近邻Fe原子的3d4s4p轨道之间杂化,使得它们之间的成键有较强的方向性,可影响材料的韧性;而近邻Fe原子因失去电子使自身之间相互作用比未掺杂时减弱,有利于扭折的迁移,可能影响材料的强度. 展开更多
关键词 BCC FE 电子结构 刃型位错 扭折 S元素
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一种能抑制HBT Kink效应的新型复合管
2
作者 滑育楠 梁聪 +2 位作者 高怀 杨立武 李贯平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期669-672,共4页
介绍了GaAs异质结双极型晶体管(HBT)的Kink效应及其对宽带匹配的影响,并根据负反馈原理,提出了一种新型的HBT复合管结构。通过对该结构进行小信号分析和计算机软件仿真,该复合晶体管在整个测试频段内输出阻抗接近于一个简单的RC串联电... 介绍了GaAs异质结双极型晶体管(HBT)的Kink效应及其对宽带匹配的影响,并根据负反馈原理,提出了一种新型的HBT复合管结构。通过对该结构进行小信号分析和计算机软件仿真,该复合晶体管在整个测试频段内输出阻抗接近于一个简单的RC串联电路,并且输出电阻在很宽的频率范围内保持稳定。采用2μm InGaP/GaAs HBT半导体工艺技术流片测试,结果表明,在0.1-20 GHz(接近该HBT的截止频率)的频率范围内所提出的新型HBT复合管抑制了Kink效应并与理论分析结果及计算机仿真结果相吻合。采用该复合管作为宽带放大器的有源器件可以在很大程度上简化匹配电路的设计并且不会显著增加芯片面积和功耗。 展开更多
关键词 宽带匹配 KINK效应 S参数 异质结双极晶体管
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全芳香族共聚酯纤维轴向压缩变形结构的研究 被引量:1
3
作者 肖长发 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期133-136,共4页
借助偏光显微镜、扫描电子显微镜及X射线衍射等方法研究了全芳族共聚酯(WAPET)纤维轴压缩变形行为。在变形初期,因局部晶面滑移而形成与纤维轴约呈60~65°角的变形带。变形带内链分子受剪切作用而折断或挫屈。随着变... 借助偏光显微镜、扫描电子显微镜及X射线衍射等方法研究了全芳族共聚酯(WAPET)纤维轴压缩变形行为。在变形初期,因局部晶面滑移而形成与纤维轴约呈60~65°角的变形带。变形带内链分子受剪切作用而折断或挫屈。随着变形程度增加,变形带堆积厚度增大,并且在原有变形带周围还产生许多新的较小的变形带,表明在这些区域出现应力集中。最后,微原纤间的滑移导致大分子发生剧烈侧向位移,使纤维轴向长度明显缩短,纤维破坏。 展开更多
关键词 全芳香族 共聚酯纤维 轴向压缩
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一类耦合非线性微分方程的精确行波解 被引量:3
4
作者 吴丽萍 庞春平 《云南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第1期19-21,共3页
应用动力系统分支理论对一类D rinfeld-Sokolov-W ilson方程进行研究,在参数空间中给定的区域内获得了系统在各种参数条件下可能存在的孤立行波解、扭波解、反扭波解及不可数无穷多光滑周期行波解.
关键词 孤立行波解 扭波解 反扭波解 周期行波解 D-S-W方程
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一种抗总剂量辐照的新型PD SOI器件 被引量:1
5
作者 李孟窈 刘云涛 蒋忠林 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第1期101-105,共5页
提出了一种具有叠层埋氧层的新栅型绝缘体上硅(SOI)器件。针对SOI器件的抗总电离剂量(TID)加固方案,对绝缘埋氧层(BOX)采用了叠层埋氧方案,对浅沟槽隔离(STI)层采用了特殊S栅方案。利用Sentaurus TCAD软件,采用Insulator Fixed Charge... 提出了一种具有叠层埋氧层的新栅型绝缘体上硅(SOI)器件。针对SOI器件的抗总电离剂量(TID)加固方案,对绝缘埋氧层(BOX)采用了叠层埋氧方案,对浅沟槽隔离(STI)层采用了特殊S栅方案。利用Sentaurus TCAD软件,采用Insulator Fixed Charge模型设置固定电荷密度,基于0.18μm CMOS工艺对部分耗尽(PD)SOI NMOS进行了TID效应仿真,建立了条栅、H栅、S栅三种PD SOI NMOS器件的仿真模型。对比三种器件辐照前后的转移特性曲线、阈值电压漂移量、跨导退化量,验证了该器件的抗TID辐照性能。仿真结果表明,有S栅的器件可以抗kink效应,该PD SOI NMOS器件的抗TID辐照剂量能力可达5 kGy。 展开更多
关键词 STI PD SOI NMOS 总剂量辐照 S栅体接触 KINK效应
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液压防折弯系统对有轨电车通过S型曲线安全性影响的分析 被引量:1
6
作者 樊庆宇 池茂儒 +2 位作者 罗赟 李奕潇 王欢声 《机车电传动》 北大核心 2022年第1期71-78,共8页
针对单车型有轨电车曲线通过时产生的折弯现象,基于液压防折弯系统的原理,建立了四模块编组单车型传统轮对的有轨电车模型和防折弯系统的动力学简化模型,对比分析了有轨电车在防折弯系统作用下通过“C”型圆曲线和不同夹直线长度的“S... 针对单车型有轨电车曲线通过时产生的折弯现象,基于液压防折弯系统的原理,建立了四模块编组单车型传统轮对的有轨电车模型和防折弯系统的动力学简化模型,对比分析了有轨电车在防折弯系统作用下通过“C”型圆曲线和不同夹直线长度的“S”型曲线的受力情况以及动力学性能。结果表明:在限界方面,防折弯系统在小半径曲线上可以使得同一模块前后车体与转向架的摇头角差趋于一致,有效减小车辆的最大摇头角,防止车辆在曲线上发生折弯;在动力学方面,通过“C”型圆曲线和夹直线较长的“S”型曲线时,防折弯系统有利于后车顺利进入曲线,同一模块前车导向轮对的轮轨横向力和脱轨系数略有增加,后车导向轮对的轮轨横向力和脱轨系数降低,同时在通过夹直线较短的“S”型曲线时,防折弯系统不利于曲线通过,同一模块前后车导向轮对的轮轨横向力和脱轨系数均增加;对于夹直线长度小于转向架定距的“S”型曲线,不建议有轨电车安装防折弯系统,而对于夹直线长度大于转向架定距的“S”型曲线,有轨电车可以考虑安装防折弯系统。 展开更多
关键词 有轨电车 液压防折弯系统 S型曲线通过性能 夹直线 仿真
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有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池S形电流扭结的集总参数等效电路模型 被引量:2
7
作者 刘竞贤 陈考铭 +2 位作者 马韵涵 黄君凯 邓婉玲 《材料研究与应用》 CAS 2022年第5期746-751,共6页
提出一种改进的太阳能电池集总参数等效电路模型,可以实现对S形电流电压曲线的准确拟合。该改进模型使用四个二极管,采用分区和Lambert W函数方法建立结点电压显式算法,获得电流-电压显式方程。与具有多个子电路的电路模型比较,改进模... 提出一种改进的太阳能电池集总参数等效电路模型,可以实现对S形电流电压曲线的准确拟合。该改进模型使用四个二极管,采用分区和Lambert W函数方法建立结点电压显式算法,获得电流-电压显式方程。与具有多个子电路的电路模型比较,改进模型中加入分流电阻,结构上更加完整。此外,该模型可以描述S形曲线,对较大正向电压下I-V特性第一象限的指数型曲线可实现良好拟合。基于该模型解析求解算法,可避免长时间数值迭代计算,获得满足误差要求的计算结果,利于仿真电路和模型参数提取。 展开更多
关键词 有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池 S形伏安特性 集总参数模型 电流扭结 解析求解
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Constructing vertical phase separation of polymer blends via mixed solvents to enhance their photovoltaic performance
8
作者 Qingqing Yang Jiantai Wang +3 位作者 Xiaoqin Zhang Jun Zhang Yingying Fu Zhiyuan Xie 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第2期309-316,共8页
A polymer blend comprising poly(3-hexylthiophene)(P3HT)donor and poly[2,7-(9,9′-octyl-fluorene)-alt-5,5-(4′,7′-di-2-thienyl-5′,6′-bis(hexyloxy)-2′,1′,3′-benzothiadiazole)](PFDTBT-OC6)acceptor is used as the ac... A polymer blend comprising poly(3-hexylthiophene)(P3HT)donor and poly[2,7-(9,9′-octyl-fluorene)-alt-5,5-(4′,7′-di-2-thienyl-5′,6′-bis(hexyloxy)-2′,1′,3′-benzothiadiazole)](PFDTBT-OC6)acceptor is used as the active layer to fabricate all-polymer solar cells.The blend morphology variance processed with pure and mixed solvents,and the related photovoltaic performance,are investigated in detail.It is found that,due to its low surface energy,a thin P3HT enrichment layer on the top surface of the active layer greatly increases bimolecular recombination and results in S-kinks of the illuminated current density-voltage curves.With the incorporation of p-xylene(a marginal solvent of P3HT)in the blend solution,the P3HT enrichment atop the active layer surface is effectively decreased because the high boiling-point p-xylene suppresses the diffusion of P3HT chains toward the top surface during the film-drying process.The bimolecular recombination was thus improved and the S-kinks of the photovoltaic curves were completely removed.The overall power conversion efficiencies of the devices are strongly boosted(from 0.88%to 1.41%)when chlorobenzene:p-xylene mixed solvent is used to replace pure chlorobenzene. 展开更多
关键词 polymer solar cells polymer blends vertical phase separation bimolecular recombination s-kink
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