三维有序大孔杂化材料SiW_(11)O_(39)^(8-)-SiO_2和γ-SiW_(10)O_(36)^(8-)-SiO_2的制备与表征

通过溶胶 -凝胶和聚苯乙烯模板等方法制备了含缺位 Keggin阴离子 Si W1 1 O8- 3 9和 γ-Si W1 0 O8- 3 6的三维有序大孔杂化氧化硅复合材料 ,并通过紫外漫反射光谱 ( UV/ DRS)、傅里叶变换红外光谱 ( FTIR)、固体核磁共振波谱 ( MAS NMR)等手段对其结构进行了表征 .结果表明 ,杂化材料中的 Keggin阴离子仍保留其基本骨架结构 ,但其与氧化硅基体之间存在化学作用 .杂化材料的孔道结构用扫描和透射电子显微镜 ( SEM和TEM)进行表征 ,其平均孔径为 ( 335± 5 0 ) nm.对杂化材料孔壁的微孔性通过氮气吸附进行了测定 .此类材料对水溶液中羟基丁二酸的降解反应具有活性 ,光催化过程中未发现 Keggin阴离子自载体中脱落的现象 .

缺位Keggin阴离子SiW_(11)O_(39)^(8-)的酯基锡杂多配合物的合成及性质

利用酯基锡与缺位Keggin结构阴离子SiW11O8-39反应,合成了8种新的杂多阴离子———有机锡配合物.M5[(R′OOCCHR″CH2Sn)(SiW11O39)]·xH2O(M=K+,(Me4N)+;R′=CH3—,CH3CH2—,n-Bu—;R″=H,CH3—),通过元素分析、IR光谱、UV电子光谱、1HNMR、TGA-DSC热分析等测试手段对标题配合物进行了表征和性质研究.

锰取代Keggin型杂多酸[ZnW_(11)O_(39)Mn(H_2O)]^(8-)在化学修饰玻碳电极上的多层组装及电催化性能研究

在 4 -氨基苯甲酸修饰的玻碳电极上制备了过渡金属取代杂多酸 [Zn W1 1 O39Mn( H2 O) ]8- ( Zn W1 1 Mn)多层膜 .各层的循环伏安行为证明膜的增长均匀 ,峰电流随层数的增加而增加 .与其在溶液中的氧化还原行为相比 ,多层膜中的 Zn W1 1 Mn显示出一些特殊的性质 .还讨论了 p H对其氧化还原行为的影响 .该多层膜对Br O- 3 和 H2 O2