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无线小基站回传之V-Band微波解决方案 被引量:1
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作者 殷晓伟 《信息与电脑》 2016年第2期39-40,共2页
随着移动互联网的快速发展,无线小基站大规模部署可以提高热点区域的带宽保障和解决盲点区域的覆盖,满足高速上网的需求。但在光纤或其他有线资源不可达的场景下,无线小基站回传可考虑选用微波传输方案。基于此,重点讲述新型V-Band微波... 随着移动互联网的快速发展,无线小基站大规模部署可以提高热点区域的带宽保障和解决盲点区域的覆盖,满足高速上网的需求。但在光纤或其他有线资源不可达的场景下,无线小基站回传可考虑选用微波传输方案。基于此,重点讲述新型V-Band微波的特性及其在移动通讯网络小基站业务回传中的应用。 展开更多
关键词 小基站 微波 v-band
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Ground Application System Design for Future Q/V-band Very High-Throughput Satellite
2
作者 LI Xinhua LI Jinlin +1 位作者 WANG Xinrong ZHANG Lei 《Aerospace China》 2019年第2期12-23,共12页
Over the next decade,Very High-Throughput Satellite (VHTS) will bring enough capacity to serve high speed internet and in-flight connectivity markets at scale,offering fiber-like services both in terms of price and sp... Over the next decade,Very High-Throughput Satellite (VHTS) will bring enough capacity to serve high speed internet and in-flight connectivity markets at scale,offering fiber-like services both in terms of price and speed.In this context,a generic VHTS mission utilizing Q/V-band feeder links and Ka-band user links is described.However,the rain attenuation on the feeder links becomes a limiting issue because of the higher frequencies.Toward this,an exploitation of multiple gateways (GWs) as a transmit diversity measure for overcoming severe propagation effects are being considered.Ground Application System (GAS) design of VHTS is illustrated including N+P GWs (N active and P redundant GWs) diversity,frequency plan,link budget and system capacity. 展开更多
关键词 ground application system Q/v-band VHTS GATEWAY DIVERSITY N+P scheme
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Design of a re-entrant double-staggered ladder circuit for V-band coupled-cavity traveling-wave tubes
3
作者 刘洋 徐进 +6 位作者 赖剑强 许雄 沈飞 魏彦玉 黄民智 唐涛 宫玉彬 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第7期291-297,共7页
The re-entrant double-staggered ladder slow-wave structure is employed in a high-power V-band coupled-cavity traveling-wave tube. This structure has a wide bandwidth, a moderate interaction impedance, and excellent th... The re-entrant double-staggered ladder slow-wave structure is employed in a high-power V-band coupled-cavity traveling-wave tube. This structure has a wide bandwidth, a moderate interaction impedance, and excellent thermal dissipation properties, as well as easy fabrication. A well-matched waveguide coupler is proposed for the structure. Combining the design of attenuators, a full-scale three-dimensional circuit model for the V-band coupled-cavity traveling- wave tube is constructed. The electromagnetic characteristics and the beam wave interaction of this structure are investigated. The beam current is set to be 100 mA, and the cathode voltage is tuned from 16.8 kV to 15.8 kV. The calculation results show that this tube can produce a saturated average output power over 100 W with an instantaneous bandwidth greater than 1.25 GHz in the frequency ranging from 58 GHz to 62 GHz. The corresponding gain and electronic efficiency can reach over 32 dB and 6.5%, respectively. 展开更多
关键词 coupled-cavity traveling-wave tube V band re-entrant double-staggered ladder slow-wave structure
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基于TM03模式的V波段同轴渡越时间振荡器设计
4
作者 曾繁博 张建德 +1 位作者 贺军涛 令钧溥 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期37-43,共7页
随着高功率微波源频率的提升,腔体尺寸会随着电磁波波长的缩短而减小,从而导致器件功率容量不足,增大了射频击穿、脉冲缩短的风险。为了提升高频器件的功率容量,提出了一种基于TM03模式的低表面场强V波段同轴渡越时间振荡器,通过引入TM0... 随着高功率微波源频率的提升,腔体尺寸会随着电磁波波长的缩短而减小,从而导致器件功率容量不足,增大了射频击穿、脉冲缩短的风险。为了提升高频器件的功率容量,提出了一种基于TM03模式的低表面场强V波段同轴渡越时间振荡器,通过引入TM03模式的方式在极高频下拓宽腔体的横向尺寸,从而降低表面场强,提升功率容量。为了激励TM03模式并使之成为器件主要工作模式,计算了束波互作用结构的色散曲线及耦合阻抗,通过腔体设计使TM03模式的相速度与电子速度同步并发生换能,从而获得较低的群速度以及较高的耦合阻抗,最终成功在慢波结构中建立起了TM03模式电磁场。随后的粒子模拟仿真表明,在二极管电压400 kV、电流5 kA的条件下,输出微波功率达440 MW,频率为62.25 GHz,转换效率为22%,最大表面场强为1.6 MV/cm。 展开更多
关键词 功率容量 TM03模式 V波段 渡越时间振荡器 低表面场强
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松香对NR力学性能及水性胶浆附着力的影响
5
作者 黄鑫 薛斌 邓涛 《橡塑技术与装备》 CAS 2024年第2期50-53,共4页
研究了松香对NR硫化特性以及力学性能的影响,同时研究了松香作为增黏树脂加入水性胶浆体系对胶浆黏合性能的影响。结果表明,松香用量的增大,NR硫化胶的伸长率上升,定伸应力和硬度下降,拉断强度在6份时达到最大;在胶浆黏合性能方面,松香... 研究了松香对NR硫化特性以及力学性能的影响,同时研究了松香作为增黏树脂加入水性胶浆体系对胶浆黏合性能的影响。结果表明,松香用量的增大,NR硫化胶的伸长率上升,定伸应力和硬度下降,拉断强度在6份时达到最大;在胶浆黏合性能方面,松香对剥离强度的影响与对硫化胶拉断强度的影响表现出一定的一致性,在6份时达到最大。 展开更多
关键词 V带 包布胶 水性胶浆 增黏树脂 剥离强度
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单靶磁控溅射Cu(In,Ga)Se_(2)太阳电池的背接触界面设计
6
作者 田杉杉 高倩 +3 位作者 高泽冉 熊雨晨 丛日东 于威 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第17期294-304,共11页
通过磁控溅射单一四元靶材磁控得到的黄铜矿Cu(In,Ga)Se_(2)(CIGS)太阳电池开发的主要瓶颈是严重的载流子复合,其开路电压非常低.CIGS与钼(Mo)之间不良的缺陷环境是吸收体和界面复合严重的主要原因之一.其中,在背界面处引入的CuGaSe_(2)... 通过磁控溅射单一四元靶材磁控得到的黄铜矿Cu(In,Ga)Se_(2)(CIGS)太阳电池开发的主要瓶颈是严重的载流子复合,其开路电压非常低.CIGS与钼(Mo)之间不良的缺陷环境是吸收体和界面复合严重的主要原因之一.其中,在背界面处引入的CuGaSe_(2)(CGS)低温缓冲层可以有效地抑制吸收体与背电极在高温磁控过程中的不利界面反应,从而获得高质量的晶体.通过这种背界面工程,不仅可以很好地解决吸收体和界面质量不佳的问题,而且有利于在吸收层中形成梯度带隙结构,从而使深能级InGa缺陷转换为较低能级的VCu缺陷,最终CIGS太阳电池的转换效率达到15.04%.这项工作为直接溅射高效率CIGS太阳电池的产业化提供了一种新的方法. 展开更多
关键词 Cu(In Ga)Se_(2) 太阳电池 磁控溅射 V 型带隙 缺陷特性
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一种V频段毫米波射频收发前端设计与实现
7
作者 徐玺年 《电子技术应用》 2024年第8期86-89,共4页
针对毫米波射频收发前端工作频率越来越高的应用需求,设计了一种工作在V频段的毫米波射频收发前端,用于V频段射频信号的接收及发射功能。该射频收发前端电路复杂,内部包含接收电路、发射电路、频率源电路、电源处理电路及控制电路,具有... 针对毫米波射频收发前端工作频率越来越高的应用需求,设计了一种工作在V频段的毫米波射频收发前端,用于V频段射频信号的接收及发射功能。该射频收发前端电路复杂,内部包含接收电路、发射电路、频率源电路、电源处理电路及控制电路,具有多功能、高镜像抑制度、低噪声系数、高发射功率的优点。为了实现良好的电性能,该收发前端设计并使用了V频段微带滤波器、V频段微带功分器,V频段四分之一波长短路线等微带电路。收发前端采用了V频段MMIC混合多功能集成技术,可应用于导引头雷达及通信场景,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 毫米波射频收发前端 V频段 高镜像抑制 微带滤波器 微带功分器
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一种V波段高效率5W GaN功率放大器MMIC
8
作者 高哲 范一萌 万悦 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期360-364,共5页
基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成... 基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成功率放大器的末端功率合成;通过对晶体管宽长比的设计与多胞晶体管的合成,实现了功率放大器的高功率稳定工作和高效率输出。经过测试,在59~61 GHz频率范围内,在占空比为20%、脉宽为100μs时,该功率放大器MMIC的饱和输出功率达到37 dBm以上,功率附加效率(PAE)大于21.1%,功率增益大于17 dB;连续波测试条件下输出功率大于36.8 dBm, PAE大于21%。该设计在输出功率和PAE上具有一定的优势。 展开更多
关键词 V波段 功率放大器 单片微波集成电路(MMIC) 高效率 功率合成
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V频段宽带高效率功率合成放大器设计
9
作者 胡顺勇 《电讯技术》 北大核心 2024年第7期1156-1162,共7页
介绍了一种基于混合波导魔T的V频段宽带高效率功率合成放大器。采用混合波导魔T结构和超宽带扇形开路薄膜电阻,设计了一款覆盖整个V频段的新型小型化高隔离二路功分器,实测在50~75 GHz频率范围内,平均电路损耗0.2 dB,输入回波小于-20 dB... 介绍了一种基于混合波导魔T的V频段宽带高效率功率合成放大器。采用混合波导魔T结构和超宽带扇形开路薄膜电阻,设计了一款覆盖整个V频段的新型小型化高隔离二路功分器,实测在50~75 GHz频率范围内,平均电路损耗0.2 dB,输入回波小于-20 dB,隔离和输出回波小于-14 dB。基于该电路结构,采用V频段宽带GaN功放芯片,研制了一种3.5 W功率模块,以该功率模块为基本单元,并采用16路高效率功率分配/合成网络,研制出一款V频段宽带高效率功率合成放大器。实测在50~75 GHz的V频段全频段范围内,连续波饱和输出功率大于47 dBm,小信号增益大于46 dB,合成效率全频带内大于82%,在全频段实现了高效率合成和大功率输出。该电路结构紧凑,工作频带宽,合成效率高且便于散热,具有很好的工程应用价值。 展开更多
关键词 功率合成放大器 V频段 混合魔T结构
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沙尘暴对Q/V高通量卫星通信系统的影响研究
10
作者 王玉冉 咸永强 《通信与信息技术》 2024年第4期86-88,129,共4页
为缓解通信卫星频谱资源紧张程度,高通量卫星通信系统正向Q/V频段发展,毫米波在空间传播过程中容易受到沙尘粒子的散射和吸收作用而产生衰减,论述了电磁波在沙尘天气中传播的衰减模型,通过MATLAB编程利用电磁波在沙质媒介中传播的衰减... 为缓解通信卫星频谱资源紧张程度,高通量卫星通信系统正向Q/V频段发展,毫米波在空间传播过程中容易受到沙尘粒子的散射和吸收作用而产生衰减,论述了电磁波在沙尘天气中传播的衰减模型,通过MATLAB编程利用电磁波在沙质媒介中传播的衰减模型进行仿真计算,得到不同仰角、不同频率下电磁波衰减量对能见度的依赖关系,量化了高频电磁波在沙尘天气中的传输损耗,为未来国内Q/V高频段卫星通信系统建设提供理论依据。 展开更多
关键词 沙尘 卫星通信 衰减 Q/V频段
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多普勒雷达V型缺口特征在冰雹预报预警中的应用分析
11
作者 李腊平 杨淑华 +3 位作者 刘洁莉 赵琦 李小强 王嘉媛 《高原气象》 CSCD 北大核心 2024年第3期749-761,共13页
利用山西4部C波段多普勒天气雷达基数据和地面观测资料,对2009-2017年山西出现的38次多普勒雷达V型缺口特征进行统计分析,研究多普勒雷达V型缺口特征与降雹的对应关系,总结V型缺口对冰雹的预报预警指标,并在2018-2022年开展实时业务应用... 利用山西4部C波段多普勒天气雷达基数据和地面观测资料,对2009-2017年山西出现的38次多普勒雷达V型缺口特征进行统计分析,研究多普勒雷达V型缺口特征与降雹的对应关系,总结V型缺口对冰雹的预报预警指标,并在2018-2022年开展实时业务应用,对V型缺口特征及预报预警指标进行检验并订正。结果表明:降雹在V型缺口出现后开始,在V型缺口消失前结束;降雹概率与V型缺口起始高度无明显的对应关系;V型缺口对应的上升气流高度≤4 km时无降雹;V型缺口理想的观测仰角为2.4°~6.0°,最佳观测仰角为2.4°;强回波区呈现“蝴蝶状”是降雹最强阶段。降雹开始阶段预报预警指标及关注点:(1)V型缺口有弱回波区或有界弱回波区;(2)初始V型缺口沿径向长度>30 km,当≤30 km时上升气流伸展高度要超过4 km;(3)平均径向速度具有低层辐合高层辐散特征。满足以上3点可预报有冰雹出现,如果V型缺口首先在6.0°仰角观测到,可预报有大冰雹出现(直径大于1 cm),并立即发布预报预警信号。冰雹持续期间预报预警指标及关注点:(1)>50 dBZ强回波中心连续下降且回波顶高>10 km;(2)V型缺口对应的弱回波区呈倾斜状;(3)弱回波区或有界弱回波区稳定维持;(4)当在0.5°仰角观测到V型缺口时可预报冰雹仍在持续;当强回波区呈现“蝴蝶状”,可预报降雹强度增强;(5)当V型缺口最大垂直液态水含量>22 kg·m^(-2)、垂直液态水含量跃增量>26 kg·m^(-2)、垂直液态水含量密度>3.6 g·m^(-3)时,出现冰雹的概率较大。 展开更多
关键词 C波段多普勒天气雷达 V型缺口 冰雹 预报预警指标
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星载固态功率放大器:迈向极高频 被引量:4
12
作者 杨飞 赵恒飞 +6 位作者 刘江涛 刘瑞竹 刘媛萍 胡凤娇 孙树风 于洪喜 周颖 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期25-32,共8页
聚焦于星载固态功率放大器的高频化,设计并实现了Q频段20W、V频段10W以及W频段2W的固态功率放大器。基于氮化镓功率单片技术,提升了单元的功率和效率;基于魔T和径向线的高效率、低插损多路功率合成技术,实现了整机高功率输出;铜金刚石... 聚焦于星载固态功率放大器的高频化,设计并实现了Q频段20W、V频段10W以及W频段2W的固态功率放大器。基于氮化镓功率单片技术,提升了单元的功率和效率;基于魔T和径向线的高效率、低插损多路功率合成技术,实现了整机高功率输出;铜金刚石和热管的应用和工艺攻关,克服了多热源、高热流的工程瓶颈。Q频段和W频段固放首次在轨应用,以及V频段固放在地面发射机中的应用。考虑到严苛的空间考核条件以及器件为满足在轨长寿命的降额要求,产品均性能优良稳定。文中的Q频段和W频段固放是我国首次开发并在轨搭载验证的星载连续波固态功率放大器,为我国后续极高频段高通量卫星的载荷实现提供了有力技术支撑。 展开更多
关键词 Q频段 V频段 W频段 氮化镓 固态功率放大器 星载
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基于LabVIEW的MOS电容高频C-V特性测试平台研究 被引量:3
13
作者 陈亮亮 程姝娜 +1 位作者 刘旭 刘心明 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2009年第10期108-110,共3页
文中介绍了一种基于LabVIEW的MOS电容C-V特性测试仪。该测试仪采用二次滤波(滤波-放大-滤波)替代传统的变频放大技术;通过数据采集卡对检测结果进行数据采集,然后通过计算机处理,并用LabVIEW编程输出结果,同时通过数据采集卡的输出来控... 文中介绍了一种基于LabVIEW的MOS电容C-V特性测试仪。该测试仪采用二次滤波(滤波-放大-滤波)替代传统的变频放大技术;通过数据采集卡对检测结果进行数据采集,然后通过计算机处理,并用LabVIEW编程输出结果,同时通过数据采集卡的输出来控制待测MOS电容两端电压的变化,从而实现对MOS电容的准确测量。 展开更多
关键词 MOSC-V特性 带通滤波 计算机控制 LABVIEW编程
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V波段3W GaN功率放大器MMIC 被引量:3
14
作者 刘如青 刘帅 +1 位作者 高学邦 付兴中 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第8期599-603,634,共6页
以50μm厚的SiC为衬底,基于T型栅GaN HEMT工艺技术,设计并制作了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC电路采用三级放大拓扑结构进行设计;采用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配和片上功率合成;采用介质电容... 以50μm厚的SiC为衬底,基于T型栅GaN HEMT工艺技术,设计并制作了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC电路采用三级放大拓扑结构进行设计;采用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配和片上功率合成;采用介质电容和薄膜电阻进行偏置网络设计,实现稳定工作和低损耗输出。经测试,在55~65 GHz频带内,漏极工作电压+20 V、栅极工作电压-2.3 V的偏置条件下,在占空比20%、脉宽100μs脉冲状态时,该功率放大器MMIC的饱和输出功率达到3 W以上,功率附加效率达到22%;连续波状态时,其饱和输出功率达到2.5 W以上,60 GHz时最高功率达到3 W。 展开更多
关键词 V波段 氮化镓 功率放大器 单片微波集成电路(MMIC) 连续波
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适合临近空间通信的Ka/V双频口径耦合天线设计 被引量:5
15
作者 陈长兴 蒋金 +3 位作者 凌云飞 华伟民 陈强 任晓岳 《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期969-973,共5页
为了减缓飞行器在临近空间高速飞行时产生的等离子体鞘套"黑障"对其通信影响,根据ITU分配的临近空间3区业务频段,设计了一种在Ka/V双频段工作的口径耦合微带天线。该天线在中间缝隙开一圆孔,通过改变圆孔大小实现双频工作,并... 为了减缓飞行器在临近空间高速飞行时产生的等离子体鞘套"黑障"对其通信影响,根据ITU分配的临近空间3区业务频段,设计了一种在Ka/V双频段工作的口径耦合微带天线。该天线在中间缝隙开一圆孔,通过改变圆孔大小实现双频工作,并组成1×4的天线阵列,实现了在Ka和V两个频段的通信。设计结果表明:在Ka频段的-10 d B带宽达到11.33%,V频段带宽达到2.52%,满足其在临近空间3区业务的通信频段。该天线易于实现,结构简单,可为临近空间通信飞行器天线设计提供参考。 展开更多
关键词 临近空间 Ka/V双频段 口径耦合 双频微带天线
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一种V波段波导双工器的设计 被引量:2
16
作者 高静 侯艳茹 +2 位作者 李霞 孙浩 吴莹莹 《微波学报》 CSCD 北大核心 2016年第S2期334-336,共3页
双工器是现在电子系统中的常用器件。本文设计了毫米波V波段的波导双工器,它由H面T结与两个不同频段的波导滤波器构成。波导膜片滤波器的设计采用常规的设计方法完成。这种结构的特点是频段高、体积小、插损小,加工工艺要求高,信道之间... 双工器是现在电子系统中的常用器件。本文设计了毫米波V波段的波导双工器,它由H面T结与两个不同频段的波导滤波器构成。波导膜片滤波器的设计采用常规的设计方法完成。这种结构的特点是频段高、体积小、插损小,加工工艺要求高,信道之间的干扰小,重复性很高。 展开更多
关键词 波导双工器 H面T结 波导膜片滤波器 V波段
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孔隙压力条件下圆形巷道围岩的应变局部化数值模拟 被引量:18
17
作者 王学滨 王玮 潘一山 《煤炭学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期723-728,共6页
利用FLAC模拟了不同孔隙压力及围压条件下圆形巷道围岩的应变局部化过程。在计算中,采用了应变软化本构关系及"先加载、后挖洞"的方式。模拟结果表明,当围压增加到一定程度后,孔隙压力较低或等于零时,在围岩中出现了V形坑或&q... 利用FLAC模拟了不同孔隙压力及围压条件下圆形巷道围岩的应变局部化过程。在计算中,采用了应变软化本构关系及"先加载、后挖洞"的方式。模拟结果表明,当围压增加到一定程度后,孔隙压力较低或等于零时,在围岩中出现了V形坑或"平底锅"形坑,这与开采深度达到一定后,无瓦斯或低瓦斯矿井中的岩爆现象类似;当围压增加到一定程度后,孔隙压力较高时,在围岩中出现了多条平行裂纹及多个不规则的狭长薄片,破坏区的外轮廓类似梨形,这与开采深度达到一定后,在高瓦斯矿井中煤和瓦斯突出后形成口小腔大的孔洞现象类似。 展开更多
关键词 孔隙压力 圆形巷道 应变局部化 围压 剪切带 V形坑
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V波段波导-微带探针转换器设计 被引量:2
18
作者 王洁 宋志东 +1 位作者 张娟 湛婷 《电子科技》 2014年第7期87-88,92,共3页
采用高频仿真软件HFSS仿真设计了V波段E面探针方式的波导-微带探针转换器结构,并加工制作了实物样件.经测试样件实测结果表明,在频率50~60 GHz的范围内,转换器的插入损耗<0.5 dB,与仿真结果基本吻合,适合广泛工程应用.
关键词 V波段 波导-微带探针转换器 HFSS仿真
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一种平面结构的V波段上变频器 被引量:1
19
作者 恽小华 刘永坦 孙琳琳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期237-240,共4页
介绍了平面结构的V波段变频器 .该变频器采用平衡变频结构 ,变频电路主体为平面结构 ,同时采用了E面探针结构的波导微带转换作为射频信号输出 .文中给出了该上变频器的电路软件仿真结果和实测结果以及E面探针波导微带转换的仿真和测试结... 介绍了平面结构的V波段变频器 .该变频器采用平衡变频结构 ,变频电路主体为平面结构 ,同时采用了E面探针结构的波导微带转换作为射频信号输出 .文中给出了该上变频器的电路软件仿真结果和实测结果以及E面探针波导微带转换的仿真和测试结果 .最后给出了该上变频器的实物结构 . 展开更多
关键词 平面结构 V波段 变频器 变频损耗 E面探针 波导微带转换 通信系统 电路设计
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140GHz关键射频组件研究 被引量:7
20
作者 王成 刘杰 +2 位作者 吴尚昀 邓贤进 肖仕伟 《信息与电子工程》 2011年第5期564-568,共5页
在基于超外差体制的太赫兹无线通信系统接收机和发射机中,混频器、滤波器和本振源是决定系统性能的关键器件。本文分别针对基于肖特基二极管技术的140 GHz次谐波混频器、基于微机电系统(MEMS)体硅工艺的140 GHz带通滤波器和V波段毫米波... 在基于超外差体制的太赫兹无线通信系统接收机和发射机中,混频器、滤波器和本振源是决定系统性能的关键器件。本文分别针对基于肖特基二极管技术的140 GHz次谐波混频器、基于微机电系统(MEMS)体硅工艺的140 GHz带通滤波器和V波段毫米波本振倍频源的仿真设计和关键工艺开展了研究。测试结果表明:140 GHz次谐波混频器单边带转换损耗为26 dB,140 GHz带通滤波器的带内插损为8 dB,V波段毫米波本振倍频源最大输出功率大于50 mW(63.2 GHz^67.2 GHz)。 展开更多
关键词 太赫兹通信 140GHz次谐波混频器 140GHz带通滤波器 V波段倍频器
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