期刊文献+
共找到177篇文章
< 1 2 9 >
每页显示 20 50 100
Comparative research on “high currents” induced by single event latch-up and transient-induced latch-up 被引量:2
1
作者 陈睿 韩建伟 +4 位作者 郑汉生 余永涛 上官士鹏 封国强 马英起 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第4期300-305,共6页
By using the pulsed laser single event effect facility and electro-static discharge (ESD) test system, the characteristics of the "high current", relation with external stimulus and relevance to impacted modes of ... By using the pulsed laser single event effect facility and electro-static discharge (ESD) test system, the characteristics of the "high current", relation with external stimulus and relevance to impacted modes of single event latch-up (SEL) and transient-induced latch-up (TLU) are studied, respectively, for a 12-bit complementary metal--oxide semiconductor (CMOS) analog-to-digital converter. Furthermore, the sameness and difference in physical mechanism between "high current" induced by SEL and that by TLU are disclosed in this paper. The results show that the minority carrier diffusion in the PNPN structure of the CMOS device which initiates the active parasitic NPN and PNP transistors is the common reason for the "high current" induced by SEL and for that by TLU, However, for SEL, the minority carder diffusion is induced by the ionizing radiation, and an underdamped sinusoidal voltage on the supply node (the ground node) is the cause of the minority carrier diffusion for TLU. 展开更多
关键词 single event latch-up transient-induced latch-up electro-static discharge pulsed laser
下载PDF
平板显示器功率驱动芯片的Latch-up及克服方法
2
作者 易扬波 孙伟锋 +1 位作者 宋慧滨 唐晨 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期253-257,共5页
详细分析了平板显示器驱动芯片中的Latch-up现象,在此基础上采用了一种克服Latch-up的方法:在低压部分增加多子保护环,在高低压之间增加少子保护环。借助TCAD软件详细研究了少子环位置及宽度对抗Latch-up效果的影响。实验结果证明,采用... 详细分析了平板显示器驱动芯片中的Latch-up现象,在此基础上采用了一种克服Latch-up的方法:在低压部分增加多子保护环,在高低压之间增加少子保护环。借助TCAD软件详细研究了少子环位置及宽度对抗Latch-up效果的影响。实验结果证明,采用该方法可以有效地克服功率集成电路的Latch-up现象。 展开更多
关键词 驱动芯片 latch-up 少子保护环 多子保护环
下载PDF
CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究 被引量:7
3
作者 唐晨 孙伟锋 陆生礼 《现代电子技术》 2006年第4期109-111,共3页
闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(... 闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性。 展开更多
关键词 寄生双极型晶体管 保护环 闩锁 CMOS集成电路
下载PDF
Investigation on latch-up susceptibility induced by high-power microwave in complementary metal–oxide–semiconductor inverter 被引量:4
4
作者 Yu-Hang Zhang Chang-Chun Chai +4 位作者 Xin-Hai Yu Yin-Tang Yang Yang Liu Qing-Yang Fan Chun-Lei Shi 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第2期492-498,共7页
The latch-up effect induced by high-power microwave(HPM) in complementary metal–oxide–semiconductor(CMOS) inverter is investigated in simulation and theory in this paper. The physical mechanisms of excess carrie... The latch-up effect induced by high-power microwave(HPM) in complementary metal–oxide–semiconductor(CMOS) inverter is investigated in simulation and theory in this paper. The physical mechanisms of excess carrier injection and HPM-induced latch-up are proposed. Analysis on upset characteristic under pulsed wave reveals increasing susceptibility under shorter-width pulsed wave which satisfies experimental data, and the dependence of upset threshold on pulse repetitive frequency(PRF) is believed to be due to the accumulation of excess carriers. Moreover, the trend that HPMinduced latch-up is more likely to happen in shallow-well device is proposed.Finally, the process of self-recovery which is ever-reported in experiment with its correlation with supply voltage and power level is elaborated, and the conclusions are consistent with reported experimental results. 展开更多
关键词 high-power microwave latch-up repetitive pulse frequency supply voltage dependence
下载PDF
系统共地引发LATCH-UP及应对措施
5
作者 赵力 王惠萍 《电子与封装》 2008年第4期20-24,共5页
每一个系统都有自己的VDD、GND,信号都是相对本系统的GND而言。在某些特殊场合,系统间信号传输切换伴随着"共地"的过程,在这样的过程中若两个GND之间的电位不同,就会在两个不同的GND之间发生能量交换。如果两者电位相差很大,... 每一个系统都有自己的VDD、GND,信号都是相对本系统的GND而言。在某些特殊场合,系统间信号传输切换伴随着"共地"的过程,在这样的过程中若两个GND之间的电位不同,就会在两个不同的GND之间发生能量交换。如果两者电位相差很大,这种能量交换所发生的冲击可能会诱发系统中集成电路内部发生LATCH-UP。文中对这种特殊使用场合发生的LATCH-UP现象进行了描述,并通过对这种LATCH-UP现象的实验、分析,提出抑制发生这种LATCH-UP的措施。 展开更多
关键词 信号切换 共地 latch-up
下载PDF
Latch-up测试中负电流的影响和防护
6
作者 孙俊岳 《电子技术应用》 2018年第5期36-38,共3页
阐述了在Latch-up测试中负电流的产生机理,以及芯片内部寄生双极晶体管对负电流的连锁反应机理,并以模拟电压缓冲器和线性稳压器为例分析了负电流对芯片可能造成的影响,最后提出了一系列在芯片内部可以采取的防护措施。
关键词 latch-up 负电流 模拟电压缓冲器 线性稳压器
下载PDF
Analysis and Countermeasure for Latch-up of CMOS Device in Electronic System Design
7
作者 WANG XINHUA WANG JIANFEN(Zhejiang University of Science and Technology,Department of information and electronic engineering,Hangzhou 310023. China) 《微计算机信息》 北大核心 2008年第5期-,共3页
Considering the phenomenon of Latch-up in CMOS device,some patterns of manifestation about Latch-up in electronic system are analyzed with three actual circuits,meanwhile the correlative solving methods are also provi... Considering the phenomenon of Latch-up in CMOS device,some patterns of manifestation about Latch-up in electronic system are analyzed with three actual circuits,meanwhile the correlative solving methods are also provided. To avoid Latch-up,some general principles are proposed. The analyzing and solving processes derived from practical system design are verified simple and ef-fective in large number of products,and to some extend have general reference value in anti-latch-up design of application systems. 展开更多
关键词 latch-up trig signal integrality dual-powered system
下载PDF
Temperature dependence of latch-up effects in CMOS inverter induced by high power microwave 被引量:3
8
作者 于新海 柴常春 +3 位作者 任兴荣 杨银堂 席晓文 刘阳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2014年第8期115-120,共6页
The temperature dependence of the latch-up effects in a CMOS inverter based on 0.5 μm technology caused by high power microwave (HPM) is studied. The malfunction and power supply current characteristics are reveale... The temperature dependence of the latch-up effects in a CMOS inverter based on 0.5 μm technology caused by high power microwave (HPM) is studied. The malfunction and power supply current characteristics are revealed and adopted as the latch-up criteria. The thermal effect is shown and analyzed in detail. CMOS in- verters operating at high ambient temperature are confirmed to be more susceptible to HPM, which is verified by experimental results from previous literature. Besides the dependence of the latch-up triggering power P on the ambient temperature T follows the power-law equation P = ATβ. Meanwhile, the ever reported latch-up delay time characteristic is interpreted to be affected by the temperature distribution. In addition, it is found that the power threshold increases with the decrease in pulse width but the degree of change with a certain pulse width is constant at different ambient temperatures. Also, the energy absorbed to cause latch-up at a certain temperature is basically sustained at a constant value. 展开更多
关键词 complementary metal oxide semiconductor high power microwave latch-up thermal effect temper-ature dependence
原文传递
A novel latch-up free SCR-LDMOS with high holding voltage for a power-rail ESD clamp 被引量:2
9
作者 潘红伟 刘斯扬 孙伟锋 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第1期53-57,共5页
The low snapback holding voltage of the SCR-LDMOS device makes it susceptible to latch-up failure,when used in power-rail ESD(electro-static discharge) clamp circuits.In order to eliminate latch-up risk,this work pr... The low snapback holding voltage of the SCR-LDMOS device makes it susceptible to latch-up failure,when used in power-rail ESD(electro-static discharge) clamp circuits.In order to eliminate latch-up risk,this work presents a novel SCR-LDMOS structure with an N-type implantation layer to achieve a 17 V holding voltage and a 5.2 A second breakdown current.The device has been validated using TLP measurement analysis and is applied to a power-rail ESD clamp in half-bridge driver ICs. 展开更多
关键词 ESD protection ESD robustness SCR-LDMOS latch-up holding voltage
原文传递
Virtex-5系列SRAM型FPGA单粒子效应重离子辐照试验技术研究
10
作者 赖晓玲 郭阳明 +2 位作者 巨艇 朱启 贾亮 《计算机测量与控制》 2024年第1期304-311,共8页
针对SRAM型FPGA在空间辐射环境下易发生单粒子效应,影响星载设备正常工作甚至导致功能中断的问题,开展了SRAM型FPGA单粒子效应地面辐照试验方法研究,提出了配置存储器(CRAM)和块存储器(BRAM)的单粒子翻转效应测试方法,并以Xilinx公司工... 针对SRAM型FPGA在空间辐射环境下易发生单粒子效应,影响星载设备正常工作甚至导致功能中断的问题,开展了SRAM型FPGA单粒子效应地面辐照试验方法研究,提出了配置存储器(CRAM)和块存储器(BRAM)的单粒子翻转效应测试方法,并以Xilinx公司工业级Virtex-5系列SRAM型FPGA为测试对象,设计了单粒子效应测试系统,开展了重离子辐照试验,获取了器件的单粒子闩锁试验数据和CRAM、BRAM以及典型用户电路三模冗余前后的单粒子翻转试验数据;最后利用空间环境模拟软件进行了在轨翻转率分析,基于CREME96模型计算得到XC5VFX130T器件配置存储器GEO轨道的单粒子翻转概率为6.41×10^(-7)次/比特·天。 展开更多
关键词 SRAM型FPGA 单粒子效应 单粒子翻转 单粒子闩锁 重离子辐照试验
下载PDF
BCD工艺在高压功率驱动电路中的应用
11
作者 吴会利 林雨佳 +1 位作者 孔祥旭 宋博尊 《微处理机》 2024年第5期54-56,60,共4页
随着集成电路技术的快速发展,高压功率驱动电路在工业和汽车电子等领域得到广泛应用。为深入理解、开发和掌握先进BCD工艺技术,更好发挥其兼容Bipolar、CMOS和DMOS工艺的优势,通过介绍BCD工艺的特点及其发展历程,结合600 V高压功率驱动... 随着集成电路技术的快速发展,高压功率驱动电路在工业和汽车电子等领域得到广泛应用。为深入理解、开发和掌握先进BCD工艺技术,更好发挥其兼容Bipolar、CMOS和DMOS工艺的优势,通过介绍BCD工艺的特点及其发展历程,结合600 V高压功率驱动电路的设计,对隔离、高压MOS和版图设计等关键技术展开深入研究。研究可为高压功率驱动电路的设计实现提供有效支持,在当前芯片国产化大趋势下,对提升中国集成电路设计制造水平具有重要意义。 展开更多
关键词 BCD工艺 隔离技术 电压转换 功率驱动电路 兼容性 闩锁效应 叉指结构 多晶硅栅
下载PDF
An Improved On-Chip CMOS Astable Multivibrator 被引量:1
12
作者 崔嵬 韩月秋 陈禾 《Journal of Beijing Institute of Technology》 EI CAS 2002年第4期360-363,共4页
An improved on-chip CMOS astable multivibrator is proposed, which overcomes the shortcomings of the traditional one that the signal duty-cycle is depending on model parameters, and generates stable clock signal with d... An improved on-chip CMOS astable multivibrator is proposed, which overcomes the shortcomings of the traditional one that the signal duty-cycle is depending on model parameters, and generates stable clock signal with duty-cycle equaling 50%. The latch-up effect has been prevented on the improved circuit. It is extremely important that all the excellent performances of the improved astable multivibrator have been achieved with a dynamic power consumption equaling its predecessor one. The advantage of the structure has been verified by SPICE simulation. 展开更多
关键词 CMOS ASIC astable multivibrator duty-cycle latch-up effect two divided-frequency
下载PDF
IDT6116单粒子敏感性评估试验技术研究 被引量:6
13
作者 薛玉雄 曹洲 +3 位作者 杨世宇 田恺 郭刚 刘建成 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期22-27,共6页
为评估IDT6116 SRAM单粒子敏感性,采用地面试验方法和地面试验系统,利用脉冲激光、重离子和252Cf源3种不同的地面模拟源,对IDT6116 SRAM器件进行单粒子敏感性试验研究,并对3种不同的模拟源的试验结果进行等效性分析比较,同时进行总剂量... 为评估IDT6116 SRAM单粒子敏感性,采用地面试验方法和地面试验系统,利用脉冲激光、重离子和252Cf源3种不同的地面模拟源,对IDT6116 SRAM器件进行单粒子敏感性试验研究,并对3种不同的模拟源的试验结果进行等效性分析比较,同时进行总剂量效应对单粒子效应影响的试验研究。研究结果表明:IDT6116 SRAM抗单粒子翻转和锁定的能力较强;接受一定辐照剂量后的试验样品对单粒子翻转更加敏感,且翻转阈值略有降低,翻转截面略有增大。 展开更多
关键词 IDT6116SRAM 单粒子翻转 单粒子锁定 脉冲激光 重离子 ^252Cf源
下载PDF
三电平变频调速系统的三相短路制动仿真与实验分析 被引量:8
14
作者 张海涛 赵争鸣 +1 位作者 孟朔 袁立强 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第8期56-60,共5页
三相短路制动是变频调速系统中常用的一种制动方法。文中从电路的PSIM仿真和实际的55kW变频调速系统的试验结果出发,针对三电平变频调速系统的三相短路制动方法进行了有针对性的分析。文中详尽阐述了三相短路制动的原理和可行性,并通过... 三相短路制动是变频调速系统中常用的一种制动方法。文中从电路的PSIM仿真和实际的55kW变频调速系统的试验结果出发,针对三电平变频调速系统的三相短路制动方法进行了有针对性的分析。文中详尽阐述了三相短路制动的原理和可行性,并通过仿真和试验结果的比较,剖析了在三相短路制动的瞬间过程中,由于制动电流过大而可能导致出现的电动机三相突然开路,直流母线电压跳升和IGBT闭锁等一系列问题。最后综合仿真和实验的分析结果给出三相短路制动的客观评价、使用建议及制动方法的改善措施。 展开更多
关键词 三电平变频调速系统 三相短路制动 仿真 实验 交流电机 变频器
下载PDF
180nm CMOS工艺下SEL敏感性关键影响因素 被引量:6
15
作者 秦军瑞 陈书明 +2 位作者 陈建军 梁斌 刘必慰 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期72-76,共5页
研究了影响SEL敏感性的关键因素。针对180nm体硅工艺,基于校准的CMOS反相器器件模型,使用器件模拟的方法,研究了粒子入射位置、温度、阱/衬底接触位置、NMOS与PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响。模拟和分析表明,CMOS电路不同位置的闩锁... 研究了影响SEL敏感性的关键因素。针对180nm体硅工艺,基于校准的CMOS反相器器件模型,使用器件模拟的方法,研究了粒子入射位置、温度、阱/衬底接触位置、NMOS与PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响。模拟和分析表明,CMOS电路不同位置的闩锁响应差别很大,找出了电路发生闩锁的敏感区域,得出了温度、阱/衬底接触的位置、NMOS与PMOS间距等因素与SEL敏感性之间的关系,并从理论上进行了解释,总结了降低单粒子闩锁效应的有效方法,研究结果能为深亚微米体硅工艺下的抗SEL加固设计提供有效的指导。 展开更多
关键词 单粒子闩锁 器件模拟 设计加固
下载PDF
不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法 被引量:6
16
作者 陈睿 余永涛 +5 位作者 董刚 上官士鹏 封国强 韩建伟 马英起 朱翔 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期264-269,共6页
基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、... 基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计。结果表明,90nm和0.13μm CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18μm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构。 展开更多
关键词 不同工艺尺寸 单粒子闩锁效应 SEL三维仿真模型 防护结构 重离子辐照
下载PDF
单粒子锁定极端敏感器件的试验及对我国航天安全的警示 被引量:19
17
作者 韩建伟 张振龙 +1 位作者 封国强 马英起 《航天器环境工程》 2008年第3期263-268,199,共6页
随着半导体特征工艺尺寸减小、集成度提高,静态存储器(SRAM)对单粒子锁定呈现出极其敏感的现象和趋势,为此国际航天界开展了大量的试验评估工作,剔除和杜绝了一些极端敏感器件在空间的应用。结合国内外空间应用背景,文章利用脉冲激光实... 随着半导体特征工艺尺寸减小、集成度提高,静态存储器(SRAM)对单粒子锁定呈现出极其敏感的现象和趋势,为此国际航天界开展了大量的试验评估工作,剔除和杜绝了一些极端敏感器件在空间的应用。结合国内外空间应用背景,文章利用脉冲激光实验装置和重离子加速器,分别对三星公司新旧两种型号的4M位SRAM芯片进行了单粒子锁定试验评估。试验测得两型号芯片的单粒子锁定阈值差异巨大,新型号芯片的锁定阈值低于1.5MeV·cm2/mg,而老型号芯片的锁定阈值高于39.6MeV.cm2/mg。这种对单粒子锁定极端敏感的芯片若应用于空间,将会发生0.008~0.04次/天的频繁锁定事件,极大地威胁航天器的安全和可靠。为应对这种单粒子锁定极端敏感的现象和趋势,提出了加强我国航天产品设计、元器件采购、筛选、试验等的规范、技术和条件的建议。 展开更多
关键词 单粒子锁定 锁定阈值 静态存储器 航天器
下载PDF
空间电子系统FPGA抗单粒子闩锁设计 被引量:7
18
作者 薛旭成 吕恒毅 韩诚山 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2014年第8期865-869,共5页
宇宙空间中存在高能粒子。这些粒子会导致空间电子系统中FPGA发生闩锁。为了避免FPGA闩锁时发生损坏,采用2个稳压器并联供电,在FPGA完成配置后自行关断1个稳压器。由于FPGA配置期间需要大电流,所以采用2个稳压器并联供电。当配置完成后... 宇宙空间中存在高能粒子。这些粒子会导致空间电子系统中FPGA发生闩锁。为了避免FPGA闩锁时发生损坏,采用2个稳压器并联供电,在FPGA完成配置后自行关断1个稳压器。由于FPGA配置期间需要大电流,所以采用2个稳压器并联供电。当配置完成后关断1个稳压器,只由1个稳压器供电。如果FPGA发生闩锁,剩下的1个稳压器将会限流,从而避免FPGA被大电流烧毁。关断电路由电阻和电容组成的延时电路控制稳压器使能端实现。实验结果表明:FPGA配置期间2个稳压器都处于输出使能状态,可以提供3.6 A的电流,FPGA可以成功的配置;FPGA配置结束后,则只有1个稳压器给FPGA供电,把电流限制在0.6 A,从而避免FPGA由于闩锁而损坏。该设计可以使得工业级的FPGA应用于空间电子系统中,降低系统成本。 展开更多
关键词 单粒子 闩锁 FPGA 稳压器
下载PDF
基于LDO限流技术的辐射闩锁防护技术 被引量:4
19
作者 张伟功 蒋轩祥 +1 位作者 唐雪寒 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期565-568,共4页
讨论了CMOS器件受辐射感生的闩锁与电气感生的闩锁的异同点,研究并提出了一种基于限流型低压降线性调整器的闩锁防护方法,给出了卫星用线性调整器电路的地面总剂量摸底试验数据及空间飞行试验验证结果和解决星载计算机的闩锁防护与恢复... 讨论了CMOS器件受辐射感生的闩锁与电气感生的闩锁的异同点,研究并提出了一种基于限流型低压降线性调整器的闩锁防护方法,给出了卫星用线性调整器电路的地面总剂量摸底试验数据及空间飞行试验验证结果和解决星载计算机的闩锁防护与恢复问题的有效方法. 展开更多
关键词 星载计算机 空间辐射 闩锁防护 线性调整器
下载PDF
CMOS器件SEL效应电路级防护设计及试验验证 被引量:3
20
作者 陈睿 冯颖 +5 位作者 余永涛 上官士鹏 封国强 朱翔 马英起 韩建伟 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期721-726,共6页
利用脉冲激光单粒子效应试验装置,开展了两种CMOS SRAM器件IDT71V416S和K6R4016V1D单粒子闭锁(SEL)效应的研究。基于CMOS电路结构SEL效应的机理及触发条件,分析两种CMOS器件的闩锁响应特性,设计了两种CMOS器件SEL效应防护电路,并探讨了... 利用脉冲激光单粒子效应试验装置,开展了两种CMOS SRAM器件IDT71V416S和K6R4016V1D单粒子闭锁(SEL)效应的研究。基于CMOS电路结构SEL效应的机理及触发条件,分析两种CMOS器件的闩锁响应特性,设计了两种CMOS器件SEL效应防护电路,并探讨了两种防护电路的适用范围及限流电阻、恒流源电流的选取。利用脉冲激光和重离子辐照试验验证了两种防护方法的防护效果。结果表明,当器件工作电流和闩锁维持电流相差不大时,加入限流电阻虽能降低闩锁电流幅值,但电路不能自动退出闩锁状态。恒流源限流防护电路不但降低了SEL电流的幅值,而且自动退出闩锁状态,能更有效地减缓CMOS器件电路级闩锁效应。 展开更多
关键词 CMOS器件 单粒子闭锁效应 防护电路 脉冲激光
下载PDF
上一页 1 2 9 下一页 到第
使用帮助 返回顶部