基于史密斯政策执行过程模型的国家医保药品目录准入谈判罕见病药品落地问题及路径研究

目的基于史密斯政策执行过程模型的国家医保药品目录准入谈判(以下简称“国谈”)罕见病药品落地的关键和难点,探索罕见病药品在进入国家基本医疗保险和工伤保险药品目录后政策实施过程中存在的问题并提出对策建议。方法通过文献复习和政策梳理、专家访谈、焦点小组访谈收集资料,结合史密斯政策执行过程模型的理论框架从多角度探索国谈罕见病药品政策执行情况的现状、问题以及解决方案。结果目前我国罕见病药品行业管理尚处于初级阶段;医疗服务提供方在意识、管理等方面仍存在不足;罕见病药品保障渠道有待优化,医疗保险支付机制尚不完善。结论建议进一步加强行业管理,提升罕见病用药保障;加强医疗服务提供方能力建设,取消罕见病用药考核限制;畅通罕见病用药保障渠道,完善医疗保险支付机制。

关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究

在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数及最优准则: 基于寄生晶体管基区结深和浓度优化的方法。同时用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数对功率晶体管VDNMOS二次击穿的影响,给出了仿真结果。

MEDICI程序简介及其在电离辐照效应研究中的应用

简要介绍了二维半导体器件模拟软件MEDICI的基本特点和使用方法;应用MEDICI程序对MOSFET的总剂量效应、PN结的剂量率效应进行了仿真模拟,建立了电离辐照效应的物理模型,并将模拟结果与实验数据进行了比较.

中子辐照诱导CCD电荷转移效率降低的数值模拟与分析

运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI，分别对能量为1MeV和14MeV的中子，在注量范围为3×10^14～5×10^14cm^-2辐照下，对CCD器件电荷转移效率的变化规律进行数值模拟研究。建立了MEDICI软件模拟CCD电荷转移效率变化的器件物理模型、中子辐照模型，并对模拟结果进行了机理分析，得出中子辐照诱导CCD器件电荷转移效率降低的初步规律。

GaAs太阳电池1MeV电子辐射效应数值模拟

简要介绍了太阳电池的基本工作原理和辐射损伤机理。利用二维半导体器件数值模拟软件MEDICI,模拟计算了1MeV高能电子在辐射通量范围为1×1013～1×1015cm2时,对GaAs太阳电池主要输出参数(如开路电压Voc,短路电流Isc)的影响,并对计算结果进行了分析,计算结果与相关文献给出的实验数据吻合较好。

栅长L对GGNMOS抗静电能力的影响

本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证。基于仿真结果首次讨论了GGNMOS的栅长对其一次击穿电压、二次击穿电压和电流、导通电阻、耗散功率等的作用。

基于MEDICI仿真的ESD保护器件设计方法

文章讨论了用MEDICI作基于仿真的ESD保护电路设计方法,并以GGNMOS为例,给出了MEDICI仿真结果与实验数据的对照。结果表明此方法是一种有效仿真ESD保护电路在高温高电压大电流下特性的方法,可使ESD保护器件的设计周期缩短,成功率因此大大增加。

1MeV中子辐照SiGe HBT器件的数值模拟

分析了SiGe HBT器件中子辐照效应损伤机理。运用MEDICI软件,对SiGe HBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究。计算了1MeV中子在不同辐照注量下对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律;中子辐照损伤与SiGe HBT器件中Ge组分含量关系;以及不同缺陷类型对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律。通过对SiGe HBT器件辐照效应的数值模拟计算,验证了相关辐照实验得出的规律。

VDMOSFET二次击穿效应的研究

在 PDP驱动电路中高压功率器件大量采用了 V DMOS器件 ,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管 VDMOS二次击穿的现象 ,并着重分析了功率晶体管 VDMOS二次击穿的原因 ,提出了改善其二次击穿现象的措施。用器件仿真软件 MEDICI模拟了各参数因素对功率晶体管 VDMOS二次击穿的影响。

双应变SiGe/Si异质结CMOS的设计及其电学特性的Medici模拟(英文)

本文提出一种沟道长度为0.125μm的异质结CMOS(HCMOS)器件结构。在该结构中,压应变的SiGe与张应变的Si分别作为异质结PMOS(HPMOS)与异质结NMOS(HNMOS)的沟道材料,且HPMOS与HNMOS为垂直层叠结构;为了精确地模拟该器件的电学特性,修正了应变SiGe与应变Si的空穴与电子的迁移率模型;利用Medici软件对该器件的直流与交流特性,以及输入输出特性进行了模拟与分析。模拟结果表明,相对于体SiCMOS器件,该器件具有更好的电学特性,正确的逻辑功能,且具有更短的延迟时间,同时,采用垂直层叠的结构此类器件还可节省约50%的版图面积,有利于电路的进一步集成。

多晶硅薄膜晶体管特性的研究

利用高级二维器件模拟程序MEDICI分析了多晶硅薄膜晶体管有源区的长度、体内陷阱、界面陷阱、栅氧化层厚度等几何参数及物理参数。

基于ZERBST方法的少子寿命测量的数值仿真验证

针对半导体器件及其工艺制造中所需要测量的载流子寿命进行研究,利用MEDICI二维器件仿真软件对测量少子寿命的金属绝缘层半导体(metal insulator semiconductor,MIS)结构的恢复特性进行了仿真,并通过ZERBST法得出了器件的少子寿命,其结果与预设的参数相差不大,达到了验证的预定目的。该仿真验证对半导体器件制造中实际的少子寿命的测量具有一定的实践指导作用。

SiGe CMOS结构模拟分析

提出一种新的SiGe CMOS结构,用Medici软件对该结构进行二维模拟,分析应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组份,d层掺杂浓度以及Si“帽”层厚度等结构参数对SiGe CMOS电学性能的影响。最后,给出该结构组成的反相器传输特性模拟结果。

p^+多晶Si_(1-x)Ge_x功函数对异质结CMOS器件电学特性影响的模拟研究

为使垂直层叠SiGe/Si异质结CMOS器件具有匹配的阈值电压,利用二维器件模拟器MEDICI模拟分析了p+多晶Si1-xGex栅的功函数对此类器件直流与交流特性参数的影响,得出在P+多晶Si1-xGex功函数W=0.85eV,即Ge组分x=0.36时,此类器件的p-MOSFET与n-MOSFET具有匹配的阈值电压,分别为VTp=-0.215V和VTn=0.205V。为此类器件的优化设计和制备提供了理论依据。

PDP扫描驱动电路中高压功率MOSFET的设计

提出了一种适合于PDP 扫描驱动电路的高压功率 LDPMOS 和 VDNMOS 功率器件结构,此结构可用 BCD 工艺实现,其耐压高、高低压兼容性好、易集成。MEDICI模拟结果表明击穿电压可达 200V。

基于MEDICI的MOS晶体管器件模拟

本文主要讨论MEDICI在MOS晶体管性能模拟方面的实际应用,以MOS晶体管为代表,通过对其进行仿真研究,加深对相关专业基础理论知识的理解,明确理论知识在实际中的应用方向,领悟基础知识的重要性。

MOSFET击穿特性的二维数值模拟

0引言 MOSET中产生击穿的机构有漏源击穿和栅绝缘层击穿。其中漏源击穿电压是由漏一衬底的PN结雪崩击穿电压与穿通电压两者中的较小者决定的。本文对漏源击穿运用MEDICI二维器件模拟软件进行分析。

MOS二极管热弛豫时间的二维数值模拟

本文对二维半导体器件模拟软件MEDICI进行了简单介绍,运用MEDICI对MOS二极管进行瞬态分析,观察不同时刻载流子浓度和耗尽层宽度的变化,并讨论了热弛豫时间与器件衬底浓度的关系。

VDMOS的导通电阻模型

导通电阻是衡量VDMOS器件性能的重要参数之一,是高开关效率,低功耗VDMOS器件的主要设计指标。从VD-MOS器件物理结构出发,利用半导体基本物理方程,如泊松方程,提出了一种建立精确导通电阻模型的方法。采用弧形边界对颈区电阻进行建模;通过考察载流子运动规律,求解泊松方程,结合器件结构与边界条件建立外延层模型。该方法物理概念清晰,规避了经验参数,考虑了器件结构参数对导通电阻的影响。该模型与MEDICI模拟结果相比较有良好的一致性。

静电放电作用下双极型硅半导体晶体管仿真分析

为了研究静电放电对双极型硅晶体管的损伤机理,针对典型的NPN结构的双极型晶体管,运用Medici仿真软件建立了器件的仿真模型。从分析器件内部电流、电势、电场强度和电流密度分布变化出发,研究了在静电放电电磁脉冲作用下其内在损伤过程与机理。通过仿真分析,一方面验证了该类器件对ESD最敏感的端对为CB结,而不是EB结;另一方面发现ESD对该类器件的损伤主要是过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿。但两者机理有所不同。对于高掺杂的发射结反偏时先是发生了齐纳击穿,而后发生雪崩击穿,属于软击穿;而低掺杂的集电结反偏时只是发生了雪崩击穿,属于硬击穿。