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Pyroptosis,ferroptosis,and autophagy in spinal cord injury:regulatory mechanisms and therapeutic targets
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作者 Qingcong Zheng Du Wang +1 位作者 Rongjie Lin Weihong Xu 《Neural Regeneration Research》 SCIE CAS 2025年第10期2787-2806,共20页
Regulated cell death is a form of cell death that is actively controlled by biomolecules.Several studies have shown that regulated cell death plays a key role after spinal cord injury.Pyroptosis and ferroptosis are ne... Regulated cell death is a form of cell death that is actively controlled by biomolecules.Several studies have shown that regulated cell death plays a key role after spinal cord injury.Pyroptosis and ferroptosis are newly discovered types of regulated cell deaths that have been shown to exacerbate inflammation and lead to cell death in damaged spinal cords.Autophagy,a complex form of cell death that is interconnected with various regulated cell death mechanisms,has garnered significant attention in the study of spinal cord injury.This injury triggers not only cell death but also cellular survival responses.Multiple signaling pathways play pivotal roles in influencing the processes of both deterioration and repair in spinal cord injury by regulating pyroptosis,ferroptosis,and autophagy.Therefore,this review aims to comprehensively examine the mechanisms underlying regulated cell deaths,the signaling pathways that modulate these mechanisms,and the potential therapeutic targets for spinal cord injury.Our analysis suggests that targeting the common regulatory signaling pathways of different regulated cell deaths could be a promising strategy to promote cell survival and enhance the repair of spinal cord injury.Moreover,a holistic approach that incorporates multiple regulated cell deaths and their regulatory pathways presents a promising multi-target therapeutic strategy for the management of spinal cord injury. 展开更多
关键词 AUTOPHAGY cell death ferroptosis INFLAMMATION pathological mechanisms PYROPTOSIS regulated cell death regulatory pathways spinal cord injury therapeutic targets
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Regulator of G protein signaling 6 mediates exercise-induced recovery of hippocampal neurogenesis,learning,and memory in a mouse model of Alzheimer’s disease
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作者 Mackenzie M.Spicer Jianqi Yang +5 位作者 Daniel Fu Alison N.DeVore Marisol Lauffer Nilufer S.Atasoy Deniz Atasoy Rory A.Fisher 《Neural Regeneration Research》 SCIE CAS 2025年第10期2969-2981,共13页
Hippocampal neuronal loss causes cognitive dysfunction in Alzheimer’s disease.Adult hippocampal neurogenesis is reduced in patients with Alzheimer’s disease.Exercise stimulates adult hippocampal neurogenesis in rode... Hippocampal neuronal loss causes cognitive dysfunction in Alzheimer’s disease.Adult hippocampal neurogenesis is reduced in patients with Alzheimer’s disease.Exercise stimulates adult hippocampal neurogenesis in rodents and improves memory and slows cognitive decline in patients with Alzheimer’s disease.However,the molecular pathways for exercise-induced adult hippocampal neurogenesis and improved cognition in Alzheimer’s disease are poorly understood.Recently,regulator of G protein signaling 6(RGS6)was identified as the mediator of voluntary running-induced adult hippocampal neurogenesis in mice.Here,we generated novel RGS6fl/fl;APP_(SWE) mice and used retroviral approaches to examine the impact of RGS6 deletion from dentate gyrus neuronal progenitor cells on voluntary running-induced adult hippocampal neurogenesis and cognition in an amyloid-based Alzheimer’s disease mouse model.We found that voluntary running in APP_(SWE) mice restored their hippocampal cognitive impairments to that of control mice.This cognitive rescue was abolished by RGS6 deletion in dentate gyrus neuronal progenitor cells,which also abolished running-mediated increases in adult hippocampal neurogenesis.Adult hippocampal neurogenesis was reduced in sedentary APP_(SWE) mice versus control mice,with basal adult hippocampal neurogenesis reduced by RGS6 deletion in dentate gyrus neural precursor cells.RGS6 was expressed in neurons within the dentate gyrus of patients with Alzheimer’s disease with significant loss of these RGS6-expressing neurons.Thus,RGS6 mediated voluntary running-induced rescue of impaired cognition and adult hippocampal neurogenesis in APP_(SWE) mice,identifying RGS6 in dentate gyrus neural precursor cells as a possible therapeutic target in Alzheimer’s disease. 展开更多
关键词 adult hippocampal neurogenesis Alzheimer’s disease dentate gyrus EXERCISE learning/memory neural precursor cells regulator of G protein signaling 6(RGS6)
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Design of an OP-AMP Based on a LDO Regulator 被引量:4
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作者 樊华 冯全源 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1905-1909,共5页
An operational amplifier (OP-AMP) with a ground current of about 0.6μA is presented. Moreover, this amplifier reaps the benefits of incorporating a foldback current limiting circuit,which enables the low-dropout vo... An operational amplifier (OP-AMP) with a ground current of about 0.6μA is presented. Moreover, this amplifier reaps the benefits of incorporating a foldback current limiting circuit,which enables the low-dropout voltage regulator without the need of a special current limiting subblock. Therefore,the object of ultra-low power is realized because of a great reduction in transistors and current limbs. 展开更多
关键词 operational amplifier ground current ldo foldback current limiter
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一种低功耗高稳定性的LDO设计 被引量:1
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作者 谢海情 曹武 +2 位作者 崔凯月 赵欣领 刘顺城 《电子设计工程》 2024年第14期115-120,共6页
基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,设计了一种低功耗、高稳定性、高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。误差放大器为交叉耦合结构,通过调节耦合对的比例可在低电流下获得相对大带宽和高增益,从而保证系统稳定性。电路基于自适应... 基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,设计了一种低功耗、高稳定性、高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。误差放大器为交叉耦合结构,通过调节耦合对的比例可在低电流下获得相对大带宽和高增益,从而保证系统稳定性。电路基于自适应偏置结构,动态跟随负载电流变化,为前级误差放大器提供偏置电流,提高环路带宽进而提高LDO的瞬态响应。仿真结果表明,LDO的输入范围为1.3~3.3 V,输出电压稳定在1.2 V,压差仅为100 mV;全负载范围内相位裕度(PM)最差为64.4°;负载电流在0.1μA~20 mA跳变时,欠冲电压为71.52 mV、恢复时间为526 ns,过冲电压为90.217 mV、恢复时间为568 ns,最小静态电流为5.17μA。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(ldo) 无片外电容 低功耗 瞬态响应
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一种进行环路隔离的大电流高电源抑制比LDO设计 被引量:1
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作者 张加宏 沙秩生 +2 位作者 王泽林 刘祖韬 邹循成 《电子测量技术》 北大核心 2024年第3期24-30,共7页
针对传统带有电荷泵、以NMOS作为功率管的LDO驱动能力低下和输出纹波偏高的问题,基于Huahong 0.35μmBCD工艺,设计了一种隔离交直流环路的大电流LDO。该LDO通过将直流环路和交流环路进行隔离,降低了对电荷泵驱动能力的需求,从而保证NMO... 针对传统带有电荷泵、以NMOS作为功率管的LDO驱动能力低下和输出纹波偏高的问题,基于Huahong 0.35μmBCD工艺,设计了一种隔离交直流环路的大电流LDO。该LDO通过将直流环路和交流环路进行隔离,降低了对电荷泵驱动能力的需求,从而保证NMOS功率管栅极驱动电压的较低纹波并实现大电流输出。通过加入纹波电流吸收电路,增强了LDO的PSRR。结果表明,在3.41~5.5V的输入电压范围内,LDO的输出电压为3.3V,输出电流最高达到3 A,压差为110 mV。LDO在轻负载下的PSRR为:111.261dB@DC,86.9005dB@1kHz,78.9472dB@1MHz;重负载下的PSRR为:111.280dB@DC,84.1231dB@1kHz,39.2638dB@1MHz。 展开更多
关键词 NMOSldo 大电流 环路隔离 高PSRR
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基于前馈补偿的快速响应无片外电容LDO设计
6
作者 孙帆 黄海波 +2 位作者 卢军 王卫华 彭国生 《电子测量技术》 北大核心 2024年第17期31-37,共7页
无片外电容低压差线性稳压器(LDO)可以为高度集成的片上系统(SoC)提供低噪声、低纹波的电源电压。针对无片外电容LDO瞬态响应速度较慢、稳定性较差的问题,采用有源前馈补偿技术加快功率管的充放电速率,提高LDO的瞬态响应速度;且引入左... 无片外电容低压差线性稳压器(LDO)可以为高度集成的片上系统(SoC)提供低噪声、低纹波的电源电压。针对无片外电容LDO瞬态响应速度较慢、稳定性较差的问题,采用有源前馈补偿技术加快功率管的充放电速率,提高LDO的瞬态响应速度;且引入左半平面零点,改善系统的稳定性。同时,前馈补偿电路可以使LDO在轻载和重载之间变化时,自适应地在二级级联放大器和三级级联放大器结构之间切换,确保LDO在全负载范围内保持稳定。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行电路的设计。仿真结果表明,在片上负载电容为20 pF且负载电流在0~200 mA变化时,设计的无片外电容LDO能够工作在1.7~2.8 V的输入电源电压下,稳定输出1.5 V的供电电压,系统在全负载范围内的相位裕度大于45°。当负载电流在1μs内,在0 mA和200 mA之间跳变时,过冲和下冲电压小于100 mV,恢复时间低于0.6μs。设计的LDO在高稳定性、快速瞬态响应和宽负载范围方面取得了较好的性能。 展开更多
关键词 无片外电容ldo 前馈补偿 环路稳定性 快速瞬态响应 宽负载范围
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一种用于低噪声LDO的动态零点补偿技术
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作者 吴嘉祺 姚思远 +3 位作者 刘智 陈泽强 魏巍 于洪波 《微电子学与计算机》 2024年第1期142-150,共9页
为提高低压差线性稳压器(Low-DropOut Linear Regulator,LDO)的稳定性并降低前馈电路所产生的噪声,提出了一种生成自适应补偿零点的低噪声前馈电路。该前馈电路通过镜像调整管的负载电流,通过低值反馈电阻形成高增益反馈信号,与LDO输出... 为提高低压差线性稳压器(Low-DropOut Linear Regulator,LDO)的稳定性并降低前馈电路所产生的噪声,提出了一种生成自适应补偿零点的低噪声前馈电路。该前馈电路通过镜像调整管的负载电流,通过低值反馈电阻形成高增益反馈信号,与LDO输出电压经反馈网络传递给反馈端的信号耦合形成由负载电容、负载电流控制的可控零点,可有效提高LDO电路整体的稳定性。此外,电路内部加入了产生动态极点的自适应电流补偿电路以保证次极点不会对环路的相位裕度产生影响。基于0.18μm BCD工艺设计,该电路在0~800 mA的宽负载范围、5 V输入3.3 V输出下相位裕度均高于48°,适用负载电容范围≥1μF,同时该LDO在10~100 kHz的频率范围内输出噪声仅为5.0617μVrms。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(ldo) 前馈电路 自适应补偿 低噪声 频率补偿 稳定性
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一种高PSR低静态电流LDO设计
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作者 王天凯 张瑛 +2 位作者 程双 杨华 王宁 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第2期221-227,共7页
设计了一种基于0.18μm BCD工艺的高电源抑制(PSR)低静态电流低压差线性稳压器(LDO)。详细分析了多条电源噪声传递路径对系统PSR的影响。为优化系统中低频段PSR,设计了一种双轨供电的三级误差放大器。此外还引入了预稳压单元,降低了电... 设计了一种基于0.18μm BCD工艺的高电源抑制(PSR)低静态电流低压差线性稳压器(LDO)。详细分析了多条电源噪声传递路径对系统PSR的影响。为优化系统中低频段PSR,设计了一种双轨供电的三级误差放大器。此外还引入了预稳压单元,降低了电压基准模块对系统低频段PSR的影响。为降低系统的静态电流,设计了一种基于耗尽管的超低静态电流电压基准。仿真结果表明,该LDO在不同输出电压下静态电流仅5μA,并且在250 mA负载电流内PSR<-110 dB@1 kHz, PSR<-55 dB@1 MHz。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 电源抑制 预稳压器 低静态电流
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一种应用于LDO的温度保护电路设计 被引量:4
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作者 龙泳希 李伙生 +1 位作者 段志奎 于昕梅 《佛山科学技术学院学报(自然科学版)》 CAS 2024年第1期46-51,共6页
温度保护电路是LDO芯片的重要组成部分,能够保证LDO及其负载电路工作在安全温度区间内,避免温度过高而导致芯片损坏。提出了一种应用于LDO的温度保护电路,使芯片工作温度过高时自动关闭供电通路。所提出的温度保护电路利用双极晶体管基... 温度保护电路是LDO芯片的重要组成部分,能够保证LDO及其负载电路工作在安全温度区间内,避免温度过高而导致芯片损坏。提出了一种应用于LDO的温度保护电路,使芯片工作温度过高时自动关闭供电通路。所提出的温度保护电路利用双极晶体管基极-发射极电压的温度特性,当温度过高时将比较器状态翻转,输出控制信号控制调整管的栅极电压。本电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行电路设计并用Spectre软件进行仿真验证,结果显示本电路能够实现130℃关断LDO,温度下降到105℃重启LDO恢复工作,温度迟滞为25℃,工艺角仿真结果显示该电路工艺稳定性良好。 展开更多
关键词 ldo芯片 温度保护 电路安全
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Dual Micro-power 150mA Ultra LDO CMOS Regulator with Fast Startup
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作者 Peng Zheng Hai-Shi Wang 《Journal of Microelectronic Manufacturing》 2019年第4期13-17,共5页
This paper presents a dual micro-power 150mA ultra LDO CMOS regulator,which is designed for high performance and small size portable wireless devices.The proposed LDO has been designed and simulated in 0.5μm 2P3M CMO... This paper presents a dual micro-power 150mA ultra LDO CMOS regulator,which is designed for high performance and small size portable wireless devices.The proposed LDO has been designed and simulated in 0.5μm 2P3M CMOS Process.It can guarantee 150mA output current per circuit and the leakage voltage is 60mV,1nA quiescent current when both are in shutdown mode,and it has 115μA ground current,output noise is 42μVrms,130μs fast turn-on circuitry and the junction temperature range is-40℃to 125℃. 展开更多
关键词 low dropout regulator(ldo) dual micro-power ultra.
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一种高PSRR高稳定性的LDO设计
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作者 杨煌虹 武华 +2 位作者 陈翰民 黄沥彬 曹先国 《电子器件》 CAS 2024年第2期344-349,共6页
提出了一种高PSRR高稳定性的低压差线性稳压器(Low Dropout Linear Regular,LDO),该LDO设计了高精度的带隙基准电路和误差放大器,并利用前馈纹波消除技术设计了电源抑制比增强模块,有效提高了电路中高频的电源抑制比(Power Supply Rejec... 提出了一种高PSRR高稳定性的低压差线性稳压器(Low Dropout Linear Regular,LDO),该LDO设计了高精度的带隙基准电路和误差放大器,并利用前馈纹波消除技术设计了电源抑制比增强模块,有效提高了电路中高频的电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)。基于CSMC 0.18μm工艺对提出的LDO电路进行仿真验证,芯片面积为150μm×131μm。该LDO在4.5 V~5.5 V的输入电压范围下,稳定输出不受温度影响的2.5 V电压;于1 mA轻负载下,电源抑制比在低频处为-103.3 dB,在1 MHz处超过-60 dB。当输出电容为2.2μF时,LDO电路轻载下相位裕度为58.3°,重载下相位裕度为64.1°,具有良好的系统稳定性。 展开更多
关键词 ldo 高PSRR 高稳定性 前馈纹波消除技术 带隙基准电路
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水滑石衍生CuMgFe-LDO催化剂协同净化氮氧化物和甲醇
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作者 徐欣欣 冀芸丽 +2 位作者 武鲜凤 安霞 吴旭 《化工学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第5期1890-1902,共13页
NH_(3)-SCR催化剂同时去除NO_(x)和挥发性有机物(VOCs)引起了人们的广泛关注,然而,VOCs的存在会对脱硝反应产生负面影响,尤其在低温条件下。本研究选定水滑石衍生复合氧化物(Cu)MgFe-LDO催化剂探索协同脱除NO_(x)和甲醇性能,着重考察Cu... NH_(3)-SCR催化剂同时去除NO_(x)和挥发性有机物(VOCs)引起了人们的广泛关注,然而,VOCs的存在会对脱硝反应产生负面影响,尤其在低温条件下。本研究选定水滑石衍生复合氧化物(Cu)MgFe-LDO催化剂探索协同脱除NO_(x)和甲醇性能,着重考察Cu的引入以及CuO_(x)和FeO_(x)相互作用对协同反应的影响,并对所制备的催化剂进行表征测试。结果表明,含Cu催化剂的脱硝活性均高于MgFe-LDO催化剂,最佳催化剂Cu_(0.5)MgFe-LDO在230~300℃温窗内具有较好的脱硝活性和甲醇氧化性能。适量引入Cu加强了Cu、Fe物种间的相互作用,有利于氧化还原循环,从而产生更多的氧缺陷及活性氧,过量Cu掺杂会破坏催化剂结构,降低表面酸性,引入Cu可以减缓甲醇对SCR反应的抑制作用。这些结果可为实际应用SCR催化剂协同去除VOCs提供指导。 展开更多
关键词 类水滑石 CuMgFe-ldo 甲醇氧化 NH3-SCR 协同脱除
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高稳定性快速响应的无片外电容LDO设计
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作者 谢晋 李景虎 +3 位作者 吴思妮 陈启彬 涂瑞泳 罗志聪 《微电子学与计算机》 2024年第7期119-126,共8页
针对光通信集成电路及片上系统的电源与电路之间相互干扰的问题,基于TSMC 65 nm CMOS工艺,设计了一种高稳定性、快速响应的无片外电容低压差线性稳压器(Capacitor-Less Low Dropout Regulator,CL-LDO)。LDO电路包括带隙基准模块、推挽... 针对光通信集成电路及片上系统的电源与电路之间相互干扰的问题,基于TSMC 65 nm CMOS工艺,设计了一种高稳定性、快速响应的无片外电容低压差线性稳压器(Capacitor-Less Low Dropout Regulator,CL-LDO)。LDO电路包括带隙基准模块、推挽误差放大器、电源抑制比(Power Supply Rejection,PSR)增强电路和尖峰抑制电路。推挽误差放大器为共栅极输入,有效降低了输出阻抗。放大器交叉耦合输入的方式显著提升了功率管摆率,内部添加拓补结构解决了环路增益过低及对称性差的问题,采用密勒补偿实现了0~100 pF全负载电容条件下系统稳定。主环路结合尖峰抑制电路改善瞬态性能,PSR增强电路产生可修调的负电容消除了功率管栅端产生的电源纹波,有效提升了LDO中频段电源抑制比。仿真结果表明,负载电流在0~100 mA内,该LDO的上冲电压和下冲电压分别为58 mV和89 mV,最小恢复时间为1.2μs,全负载范围内最差的相位裕度为64°,空载状态下的电源抑制比为99.2 dB@10 kHz,在不同工艺角下最差的负载调整率和线性调整率分别为0.016 mV/mA和5.1 mV/V。 展开更多
关键词 无片外电容 高稳定性 快速响应 ldo 推挽放大器
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胃癌患者癌组织LDOC1、GNL3L表达及其与病理特征、预后的关系
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作者 毛建娜 沈裕厚 +1 位作者 段花玲 高琦 《河南医学研究》 CAS 2024年第21期3904-3908,共5页
目的探讨胃癌患者癌组织中亮氨酸拉链下调因子1(LDOC1)、鸟嘌呤核苷酸结合蛋白样3-样蛋白(GNL3L)表达水平及与患者病理特征、预后的关系。方法收集2019年12月至2022年12月新乡市中心医院收治的65例胃癌患者癌组织标本(胃癌组)及对应癌... 目的探讨胃癌患者癌组织中亮氨酸拉链下调因子1(LDOC1)、鸟嘌呤核苷酸结合蛋白样3-样蛋白(GNL3L)表达水平及与患者病理特征、预后的关系。方法收集2019年12月至2022年12月新乡市中心医院收治的65例胃癌患者癌组织标本(胃癌组)及对应癌旁组织标本(癌旁组)。采用免疫组化法检测组织中LDOC1、GNL3L表达水平。采用χ^(2)检验分析LDOC1、GNL3L表达与胃癌患者临床病理特征的关系,多因素Cox回归分析探讨影响胃癌患者预后的相关因素。结果胃癌组LDOC1阳性表达率(30.76%)低于癌旁组(61.52%),GNL3L阳性表达率(72.31%)高于癌旁组(43.07%)(χ^(2)=12.381、11.377,P<0.05)。低分化、肿瘤直径>3 cm、TNM分期Ⅲ/Ⅳ期、淋巴结转移的胃癌患者LDOC1阴性率、GNL3L阳性率高于中/高分化、肿瘤直径≤3 cm、TNM分期Ⅰ/Ⅱ期、无淋巴结转移患者(P<0.05)。LDOC1阳性表达患者3 a生存率(85.00%)高于LDOC1阴性表达患者(37.77%),GNL3L阳性表达患者3 a生存率(36.17%)低于GNL3L阴性表达患者(94.44%)(P<0.05)。低分化、TNM分期Ⅲ/Ⅳ期、淋巴结转移胃癌患者的3 a生存率低于中/高分化、TNM分期Ⅰ/Ⅱ期、无淋巴结转移患者(P<0.05)。多因素Cox回归分析显示,TNM分期Ⅲ~Ⅳ期(HR=2.113,95%CI:1.425~3.133)、淋巴结转移(HR=2.625,95%CI:1.564~4.404)、LDOC1阴性表达(HR=5.607,95%CI:3.408~9.224)、GNL3L阳性表达(HR=2.930,95%CI:1.716~5.003)是胃癌患者预后的危险因素(P<0.05)。结论LDOC1在胃癌患者中呈低表达,GNL3L在胃癌患者中呈高表达,二者均与患者临床病理特征、预后有关。 展开更多
关键词 胃癌 预后 亮氨酸拉链下调因子1 鸟嘌呤核苷酸结合蛋白样3-样蛋白
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宽范围负载CL-LDO的设计
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作者 唐俊龙 关浩 +2 位作者 邓欢 李振涛 邹望辉 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期109-116,共8页
针对规模与功耗骤增的集成电路发展趋势,设计了一种可以提供宽范围负载电流的无片外电容型低压差线性稳压器(CL-LDO).为了解决宽范围负载电流与无片外电容等需求所带来的稳定性问题与瞬态特性问题,提出了动态零点补偿的方式与瞬态增强... 针对规模与功耗骤增的集成电路发展趋势,设计了一种可以提供宽范围负载电流的无片外电容型低压差线性稳压器(CL-LDO).为了解决宽范围负载电流与无片外电容等需求所带来的稳定性问题与瞬态特性问题,提出了动态零点补偿的方式与瞬态增强电路结构,既保障了整体电路在全负载范围内保持稳定,又实现了较好的瞬态特性.基于0.11μm CMOS工艺,完成电路设计、版图设计与仿真,仿真结果表明,在0~500 mA的负载范围内,整体环路增益可以达到68 dB;最小相位裕度为56°;当负载电流在1~500 mA之间发生跳变时(Δt=500 ns),输出过冲和下冲分别为56 mV和141 mV,建立时间分别为2μs和0.78μs;PSR为-67.2 dB@1 kHz,负载调整率为0.137μV/mA. 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 动态零点补偿 瞬态增强 宽范围负载
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一种双环快速瞬态响应无片外电容LDO
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作者 奥鹏龙 李海鸥 +1 位作者 徐卫林 王媛 《微电子学与计算机》 2024年第8期115-120,共6页
针对传统低压差线性稳压器(LDO)需要离片大电容的不足,基于180 nm CMOS工艺设计了一款双环快速瞬态响应的无片外电容LDO。该LDO采用极点分裂技术,以保证在不同负载电流情况下的稳定性,并通过瞬态增强电路检测输出电压的波动来为功率管... 针对传统低压差线性稳压器(LDO)需要离片大电容的不足,基于180 nm CMOS工艺设计了一款双环快速瞬态响应的无片外电容LDO。该LDO采用极点分裂技术,以保证在不同负载电流情况下的稳定性,并通过瞬态增强电路检测输出电压的波动来为功率管栅极提供额外充、放电电路,以减小系统的过冲电压。同时,在传统模拟环路的基础上增加了数字辅助环路,以提升LDO的最大负载电流。仿真结果表明,当电源电压为1.8 V,输出电压为1.5 V,该LDO负载电流最大值为275 mA,空载静态电流为39μA。负载电流1~250 mA在1μs的时间跳变时,上冲电压为66 mV,下冲电压为77 mV。结果表明LDO的带载能力、瞬态响应性能在双环路加持下得到显著提升。 展开更多
关键词 无片外电容 低压差线性稳压器 极点分裂 瞬态增强
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Silent information regulator sirtuin 1 ameliorates acute liver failure via the p53/glutathione peroxidase 4/gasdermin D axis 被引量:6
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作者 Xing-Nian Zhou Quan Zhang +6 位作者 Hong Peng Yu-Jie Qin Yu-Hong Liu Lu Wang Ming-Liang Cheng Xin-Hua Luo Hong Li 《World Journal of Gastroenterology》 SCIE CAS 2024年第11期1588-1608,共21页
BACKGROUND Acute liver failure(ALF)has a high mortality with widespread hepatocyte death involving ferroptosis and pyroptosis.The silent information regulator sirtuin 1(SIRT1)-mediated deacetylation affects multiple b... BACKGROUND Acute liver failure(ALF)has a high mortality with widespread hepatocyte death involving ferroptosis and pyroptosis.The silent information regulator sirtuin 1(SIRT1)-mediated deacetylation affects multiple biological processes,including cellular senescence,apoptosis,sugar and lipid metabolism,oxidative stress,and inflammation.AIM To investigate the association between ferroptosis and pyroptosis and the upstream regulatory mechanisms.METHODS This study included 30 patients with ALF and 30 healthy individuals who underwent serum alanine aminotransferase(ALT)and aspartate aminotransferase(AST)testing.C57BL/6 mice were also intraperitoneally pretreated with SIRT1,p53,or glutathione peroxidase 4(GPX4)inducers and inhibitors and injected with lipopolysaccharide(LPS)/D-galactosamine(D-GalN)to induce ALF.Gasdermin D(GSDMD)^(-/-)mice were used as an experimental group.Histological changes in liver tissue were monitored by hematoxylin and eosin staining.ALT,AST,glutathione,reactive oxygen species,and iron levels were measured using commercial kits.Ferroptosis-and pyroptosis-related protein and mRNA expression was detected by western blot and quantitative real-time polymerase chain reaction.SIRT1,p53,and GSDMD were assessed by immunofluorescence analysis.RESULTS Serum AST and ALT levels were elevated in patients with ALF.SIRT1,solute carrier family 7a member 11(SLC7A11),and GPX4 protein expression was decreased and acetylated p5,p53,GSDMD,and acyl-CoA synthetase long-chain family member 4(ACSL4)protein levels were elevated in human ALF liver tissue.In the p53 and ferroptosis inhibitor-treated and GSDMD^(-/-)groups,serum interleukin(IL)-1β,tumour necrosis factor alpha,IL-6,IL-2 and C-C motif ligand 2 levels were decreased and hepatic impairment was mitigated.In mice with GSDMD knockout,p53 was reduced,GPX4 was increased,and ferroptotic events(depletion of SLC7A11,elevation of ACSL4,and iron accumulation)were detected.In vitro,knockdown of p53 and overexpression of GPX4 reduced AST and ALT levels,the cytostatic rate,and GSDMD expression,restoring SLC7A11 depletion.Moreover,SIRT1 agonist and overexpression of SIRT1 alleviated acute liver injury and decreased iron deposition compared with results in the model group,accompanied by reduced p53,GSDMD,and ACSL4,and increased SLC7A11 and GPX4.Inactivation of SIRT1 exacerbated ferroptotic and pyroptotic cell death and aggravated liver injury in LPS/D-GalNinduced in vitro and in vivo models.CONCLUSION SIRT1 activation attenuates LPS/D-GalN-induced ferroptosis and pyroptosis by inhibiting the p53/GPX4/GSDMD signaling pathway in ALF. 展开更多
关键词 Silent information regulator sirtuin 1 Ferroptosis PYROPTOSIS p53/glutathione peroxidase 4/gasdermin D Acute liver failure
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An NMOS output-capacitorless low-dropout regulator with dynamic-strength event-driven charge pump 被引量:1
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作者 Yiling Xie Baochuang Wang +1 位作者 Dihu Chen Jianping Guo 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第6期23-34,共12页
In this paper,an NMOS output-capacitorless low-dropout regulator(OCL-LDO)featuring dual-loop regulation has been proposed,achieving fast transient response with low power consumption.An event-driven charge pump(CP)loo... In this paper,an NMOS output-capacitorless low-dropout regulator(OCL-LDO)featuring dual-loop regulation has been proposed,achieving fast transient response with low power consumption.An event-driven charge pump(CP)loop with the dynamic strength control(DSC),is proposed in this paper,which overcomes trade-offs inherent in conventional structures.The presented design addresses and resolves the large signal stability issue,which has been previously overlooked in the event-driven charge pump structure.This breakthrough allows for the full exploitation of the charge-pump structure's poten-tial,particularly in enhancing transient recovery.Moreover,a dynamic error amplifier is utilized to attain precise regulation of the steady-state output voltage,leading to favorable static characteristics.A prototype chip has been fabricated in 65 nm CMOS technology.The measurement results show that the proposed OCL-LDO achieves a 410 nA low quiescent current(IQ)and can recover within 30 ns under 200 mA/10 ns loading change. 展开更多
关键词 output-capacitorless low-dropout regulator fast transient low quiescent current event-driven charge pump
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GaN器件辐照效应与LDO电路的单粒子敏感点协同设计研究
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作者 朱峻岩 张优 +4 位作者 王鹏 黄伟 张卫 邱一武 周昕杰 《电子与封装》 2024年第1期61-67,共7页
创新地开展p型栅GaN器件的单粒子辐照与建模研究,提取的单粒子激励电流被加载用于全GaN的低压差线性稳压器(LDO)稳压电路的单粒子设计中,获得了该电路单粒子敏感节点,最终得到该节点在重载状态与轻载状态时对应的单粒子瞬态(SET)响应分... 创新地开展p型栅GaN器件的单粒子辐照与建模研究,提取的单粒子激励电流被加载用于全GaN的低压差线性稳压器(LDO)稳压电路的单粒子设计中,获得了该电路单粒子敏感节点,最终得到该节点在重载状态与轻载状态时对应的单粒子瞬态(SET)响应分别为500 mV/60 ns,1210 mV/60 ns。上述研究建立起GaN器件-全GaN基电路的T-CAD/SPICE单粒子效应协同设计方法。 展开更多
关键词 GaN辐照效应 GaN ldo 抗辐照加固 p型栅GaN器件
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一种低噪声、高PSRR的LDO设计
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作者 黎佳欣 《电子设计工程》 2024年第8期111-115,120,共6页
基于smic40工艺提出了一种低噪声、高PSRR的LDO,将在该LDO中,采用预放大结构,在传统误差放大器(EA)之前加入BJT预放大级,降低EA的1/f噪声,以提高LDO噪声性能。为了克服PSRR与其他诸如环路稳定性和负载能力等重要设计参数之间的权衡,提出... 基于smic40工艺提出了一种低噪声、高PSRR的LDO,将在该LDO中,采用预放大结构,在传统误差放大器(EA)之前加入BJT预放大级,降低EA的1/f噪声,以提高LDO噪声性能。为了克服PSRR与其他诸如环路稳定性和负载能力等重要设计参数之间的权衡,提出的LDO使用带有二极管连接型的PMOS充当缓冲器,电源纹波通过晶体管的栅极,并通过NMOS缓冲器增强LDO的纹波抑制能力,PSRR改进超过40 dB。实验结果表明,该LDO实现了从10 Hz到100 kHz的RMS噪声在室温下小于2μV,液氮温度77 K下小于1μV;仿真在1 kHz时PSRR为-80 dB,100 kHz时PSRR为-44~-62 dB。 展开更多
关键词 ldo 电源抑制比 低噪声 BJT
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