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极端快速条件下液体电导率实时测量技术
1
作者
黄钰
孙燕云
《电子测试》
2024年第1期53-57,共5页
基于对称差分原理,发展了一套用于极端快速条件下液体介质电导率的实时原位测量技术,主要解决了传统测量方法在极端快速条件下测量液体电导率时液体介质易电解,以及快速冲击过程中液体介质的冲击极化对电压信号测量带来困难等问题。该...
基于对称差分原理,发展了一套用于极端快速条件下液体介质电导率的实时原位测量技术,主要解决了传统测量方法在极端快速条件下测量液体电导率时液体介质易电解,以及快速冲击过程中液体介质的冲击极化对电压信号测量带来困难等问题。该实时测量技术在样品测试过程中两端电压不超过电极电势,且测量时间仅为数微秒,从而保证了液体介质不受强电场影响发生电解,通过对样品中两电极分别测量的电压信号进行差分,有效消除由液体介质受到快速冲击时产生的极化干扰,从而提升在极端快速条件下的测量精度和可靠性。以对去离子水进行快速冲击测试实验为例,结果显示该测量技术能在纳秒时间尺度内准确反映导电性变化历史,展现出广泛的科研和工程应用潜力。
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关键词
对称差分电路
快速加载
电导率
液体
实时测量
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职称材料
基于0.18μm CMOS工艺的300GHz高响应度探测器
2
作者
徐雷钧
汪附凯
+3 位作者
白雪
张子宇
赵心可
姜高峰
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第5期408-413,442,共7页
基于0.18μm CMOS工艺设计了一种300 GHz高响应度探测器。该探测器集成了双馈差分天线和双场效应管(FET)对称差分自混频电路。双馈差分天线较单馈天线有更高的精确度及更优的抗干扰性。差分自混频电路能有效地抑制共模信号,减小噪声输...
基于0.18μm CMOS工艺设计了一种300 GHz高响应度探测器。该探测器集成了双馈差分天线和双场效应管(FET)对称差分自混频电路。双馈差分天线较单馈天线有更高的精确度及更优的抗干扰性。差分自混频电路能有效地抑制共模信号,减小噪声输入。双场效应管后增加一级放大电路,将自混频电路输出的微弱信号进一步放大以增大响应度。天线与电路间的匹配网络实现了信号的最大功率传输。在全波电磁场仿真软件HFSS下对双馈天线进行建模与仿真优化,并与电路进行联合仿真。结果显示探测器在栅源电压为0.43 V、输入功率为-40 dBm时,最大响应度为11.25 kV/W,最小噪声等效功率为115pW/√Hz。
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关键词
互补金属氧化物半导体(CMOS)
高响应度
双馈差分天线
对称差分自混频电路
放大电路
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职称材料
题名
极端快速条件下液体电导率实时测量技术
1
作者
黄钰
孙燕云
机构
西南交通大学物理科学与技术学院
出处
《电子测试》
2024年第1期53-57,共5页
文摘
基于对称差分原理,发展了一套用于极端快速条件下液体介质电导率的实时原位测量技术,主要解决了传统测量方法在极端快速条件下测量液体电导率时液体介质易电解,以及快速冲击过程中液体介质的冲击极化对电压信号测量带来困难等问题。该实时测量技术在样品测试过程中两端电压不超过电极电势,且测量时间仅为数微秒,从而保证了液体介质不受强电场影响发生电解,通过对样品中两电极分别测量的电压信号进行差分,有效消除由液体介质受到快速冲击时产生的极化干扰,从而提升在极端快速条件下的测量精度和可靠性。以对去离子水进行快速冲击测试实验为例,结果显示该测量技术能在纳秒时间尺度内准确反映导电性变化历史,展现出广泛的科研和工程应用潜力。
关键词
对称差分电路
快速加载
电导率
液体
实时测量
Keywords
symmetric
differential
circuit
fast loading
conductivity
liquid
real-time measurement
分类号
TM930.1 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
基于0.18μm CMOS工艺的300GHz高响应度探测器
2
作者
徐雷钧
汪附凯
白雪
张子宇
赵心可
姜高峰
机构
江苏大学电气信息工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第5期408-413,442,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61874050)。
文摘
基于0.18μm CMOS工艺设计了一种300 GHz高响应度探测器。该探测器集成了双馈差分天线和双场效应管(FET)对称差分自混频电路。双馈差分天线较单馈天线有更高的精确度及更优的抗干扰性。差分自混频电路能有效地抑制共模信号,减小噪声输入。双场效应管后增加一级放大电路,将自混频电路输出的微弱信号进一步放大以增大响应度。天线与电路间的匹配网络实现了信号的最大功率传输。在全波电磁场仿真软件HFSS下对双馈天线进行建模与仿真优化,并与电路进行联合仿真。结果显示探测器在栅源电压为0.43 V、输入功率为-40 dBm时,最大响应度为11.25 kV/W,最小噪声等效功率为115pW/√Hz。
关键词
互补金属氧化物半导体(CMOS)
高响应度
双馈差分天线
对称差分自混频电路
放大电路
Keywords
complementary metal oxide semiconductor(CMOS)
high responsivity
double-fed
differential
antenna
symmetric differential self-mixing circuit
amplifying
circuit
分类号
TN850 [电子电信—信息与通信工程]
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
极端快速条件下液体电导率实时测量技术
黄钰
孙燕云
《电子测试》
2024
0
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职称材料
2
基于0.18μm CMOS工艺的300GHz高响应度探测器
徐雷钧
汪附凯
白雪
张子宇
赵心可
姜高峰
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
0
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职称材料
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