本文利用计算流体力学(CFD)方法对某等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)反应室流场进行了数值模拟研究,通过改变匀流板布孔方式、进气管与匀流板距离、进气管出口形状和角度、压强等条件,研究反...本文利用计算流体力学(CFD)方法对某等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)反应室流场进行了数值模拟研究,通过改变匀流板布孔方式、进气管与匀流板距离、进气管出口形状和角度、压强等条件,研究反应器内流动的相应变化,给出了获得薄膜生长所需的最佳输运过程的条件,以形成稳定均匀的流场,从而保证薄膜的生长质量。根据本文优化后的匀流装置已实际加工应用,取得良好效果。展开更多
文摘本文利用计算流体力学(CFD)方法对某等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)反应室流场进行了数值模拟研究,通过改变匀流板布孔方式、进气管与匀流板距离、进气管出口形状和角度、压强等条件,研究反应器内流动的相应变化,给出了获得薄膜生长所需的最佳输运过程的条件,以形成稳定均匀的流场,从而保证薄膜的生长质量。根据本文优化后的匀流装置已实际加工应用,取得良好效果。