电子链路损耗建模研究

为进一步满足可穿戴电子技术对低功耗的要求以及高精度检测对低损耗的极高要求,通过原理剖析与实验研究,设计一种建模方法,尝试对电子链路的损耗情况进行准确计算,并分析影响该类损耗的各种因素,从中定位主要因素并加以利用。建模提供的计算方法能够通过对单个典型电子链路的分析,优化出单个电子链路损耗的计算模型,过程简单、便捷,在此基础上也可得到多个电子链路损耗的计算方法。该建模方法可为相关产品提供良好的设计依据与参考。

粘片焊料二次流淌对铝硅丝键合衬底可靠性影响研究

以某款器件在一致性检验的内部目检中发现的失效现象为依托,开展试验研究。针对铝硅丝无法直接键合在芯片安装材料之上的问题,从粘片焊料在封帽过程中的重熔现象进行分析,对有问题的键合丝做300℃、24 h存储试验和125℃、168 h寿命试验,测试键合拉力和断点位置。试验后键合拉力满足国军标要求,断裂位置也不在金铝键合界面处出现,能够有效解释粘片焊料二次流淌对铝丝键合衬底可靠性的影响,避免问题再次发生。

一种新型车载HID灯电子镇流器准谐振拓扑研究

针对传统车载HID灯电子镇流器工作效率低的问题,提出并研究了一种新型车载HID灯电子镇流器准谐振拓扑。与传统车载HID灯电子镇流器拓扑相比,该新型车载HID灯电子镇流器准谐振拓扑的开关管工作于零电压导通(Zero Voltage switching,ZVS)状态,二极管工作于零电流关断(Zero Current switching,ZCS)状态,实现了高效率功率变换。同时,该新型车载HID灯电子镇流器准谐振拓扑能够快速响应负载变化,简化了DC-DC变换器设计。详细分析了这种新型车载HID灯电子镇流器准谐振拓扑的工作原理及关键参数的设计原则,最后通过实验验证了理论分析的正确性。

电子产品配件的跨境电商营销推广策略研究

随着经济全球化的发展,近年来跨境电商贸易发展十分迅猛,我国跨境电商规模不断扩大,已经成为我国在国际贸易中不可缺少的重要贸易增长点。就电子产品配件领域而言,在日益激烈的电商营销环境下,也开始应用各种营销推广策略。然而在实际应用和推广过程中,仍存在着一些问题。这就要求相关企业和工作人员要积极抓住跨境电商发展的机遇和挑战,及时寻求有效的解决办法,应对跨境电商发展过程中所存在的不足,以便能够更好地推动企业和自身电子产品配件的营销出口。本文主要论述我国跨境电商的发展趋势,电子产品配件在应用跨境电商营销时所存在的问题,以及相对应的推广营销策略,以期能够为相关企业和工作人员更好地推动自身电子产品配件的营销推广工作提供一定的理论基础和借鉴意义。

用于植物健康监测的柔性传感器研究进展

植物柔性传感器具有轻量化、透气、植物表面共形性高等特点,可以实现无损、实时、原位监测,提供精准的植物生理与环境信息,实现植物语言识别,开创“植物半导体新赛道”。介绍了柔性电子技术在植物健康监测方面的最新进展,概述了植物柔性传感器用于植物激素、信号分子、植物电信号、挥发性有机物等的监测,可有效反映出植物健康状态;通过监测地表和空气中植物代谢产物反映环境胁迫条件,分析了新型植物可穿戴设备的传感技术,制备材料、结构以及监测方法。最后,对植物柔性传感器在现代农业中的应用进行总结,并讨论了未来植物可穿戴设备面临的机遇和挑战。

柔性电子封装技术与应用

电子封装为芯片提供机械支持、环境保护、电信号引出端和散热通道等重要功能,为了获得较高可靠性,传统封装采用硬质材料体系,难以满足新兴的生物医疗、可穿戴电子、可折叠显示、曲面电子器件等技术领域需求,柔性电子封装颠覆了传统电子系统刚性形态特征,被认为是最有可能实现颠覆性技术创新的领域之一,文中对柔性封装技术及产品的应用领域进行了介绍,并从芯片、基板和封装体三个层面阐述了柔性封装技术的实现方法及面临的挑战,最后,介绍柔性混合电子技术的发展并展望了未来柔性电子技术趋势。

C8051F005微控制器功耗管理技术研究

为顺应电子技术发展趋势,进一步做好应用系统的功耗优化,围绕C8051F005微控制器的功耗管理技术展开研究。基于对C8051F005自身动态功耗管理技术的介绍,提出降低系统时钟频率、降低电源电压、禁止不用的外设部件、合理选择电源管理方式等多个降低功耗的方法。重点针对芯片的功耗设计展开讨论,对内部和外部振荡器、模拟和数字外设进行设计并列举实例。所设计实现的低功耗微控制器应用系统,能够在满足功能和性能要求的同时尽可能优化电源管理,实施功耗动态管理策略,最大限度降低功耗。

基于系统架构的布局规划设计研究

为适应大规模集成电路版图设计中大量使用自动布局布线工具的潮流,向后端设计工程师提供有关系统架构布局规划的技术性指导,对基于系统架构的布局规划设计进行简化浅显的研究。从封装要求与性能指标要求两方面着眼,讨论在常规的布局规划设计中需要着重考虑的问题,并针对复杂SoC应用情况下的系统特点,探讨基于系统架构的布局规划设计原则,包括提出IP核的摆放、布线资源的分配等合理性分析,对于时序延迟、布线拥堵等版面设计中常见的问题,也给出了调整与优化的建议。

多通道器件过电应力失效问题分析研究

过电应力失效作为集成电路应用中最常见的失效模式,是导致器件现场失效的重要原因,为进一步克服这一失效因素,提高成品率,以某型号器件的具体失效案例为例,从产品失效机理出发展开研究,提出一种针对多通道结构器件的过电应力失效分析方法。首先逐一排查ESD脉冲、系统异常脉冲和开关机浪涌电流等失效因素,根据失效因素进行仿真试验,使产品质量问题复现,定位产品失效原因,最终采用应用设计优化的方式彻底解决此类结构的过电应力失效问题。该分析方法有利于增强集成电路器件的质量保障,对于不同结构的集成电路也有一定的引申参考价值。

一种碳化硅器件的测试技术研究

鉴于碳化硅材料在集成电路领域的巨大优势,为进一步提高电路研发生产水平,形成高效而完善的器件测试流程,以某款碳化硅器件为测试对象,为其专门设计一套测试方法。方法基于对碳化硅材料的特性与工作原理的分析,合理选取测试条件与测试设备,并实际进行测试,获得击穿电压、正向电流、结电容等参数的详细数据。测试结果表明,方法能够准确把握该类碳化硅产品的关键参数指标,符合行业标准,具有一定的实用价值。

光开关研究进展

概述了光开关的各种性能指标;综述了目前业已实用或正在研究的光开关阵列的各种制作技术,分析了其发展趋势;最后介绍了MOEMS光开关的结构和工作原理。

回流焊接温度曲线控制研究

随着集成电路产业的飞速发展,高集成度、高可靠性已经成为行业的新潮流。在这种趋势的推动下,SMT(表面贴装技术)在中国也得到了进一步的推广和发展。很多公司在生产和研发中已经大量应用了SMT工艺和表面贴装元器件。在SMT工艺中回流焊接是核心工艺,因为表面组装PCB设计,焊膏印刷和元器件贴装产生的缺陷,最终都将集中表现在焊接中。因此,如果没有合理可行的回流焊接工艺,前面任何工艺控制都将失去意义。

光敏二极管电压特性研究

光敏二极管是在外加反向偏压的情况下体现出其光电转换特性的。对于光敏器件来说,其反向击穿特性至关重要。首先对光敏二极管的结构、工作原理进行了概述,从浅结光敏区、过程缺陷、表面应力、不同结构等方面展开对光敏二极管电压特性的研究工作。通过实验验证及器件工艺模拟仿真,分别采用快速退火、改进表面清洗工艺、掺氯氧化工艺、采用合理的淀积温度及速率、采用双层膜结构或热退火工艺等方式改善和提高光敏二极管的电压特性。通过研究其反向击穿电压特性,保证其电压参数的同时,可以有效提升产品其它参数如暗电流、光生电压等的控制水平。

嵌入式串行EEPROM研究

首先对一种嵌入式串行EEPROM进行了研究,存储容量为4K×8,考虑到可移植性,兼容性,以及体积,成本等因素,采用了串行数据I/O。并给出了该电路的结构框图,对电路原理进行了简单的叙述,并探讨了EEPROM存储单元结构及原理。

光纤传像束研究进展

光纤传像束是一种可任意弯曲的传输图像的无源器件,与传统的光学成像器件相比,它具有重量轻、使用自由度大、易实现复杂空间结构的图像传递等优点。由于其优良的传像特性和可任意弯曲的特殊性能,使其被广泛地应用于医学、工业及科研、航天、军事等多种领域。本文给出了光纤传像束与其它成像系统相比所具有的优点,详细分析了影响光纤传像束传像性能的一些因素,介绍了传像束的制作方法,阐述了不同类型传像束的特点及应用,并指出了目前面临的问题。

FPGA测试技术研究

随着FPGA的规模和复杂性的增加,测试显得尤为重要。FPGA测试对技术人员极具挑战性。首先介绍了SRAM型FPGA的结构概况,总结出FPGA的测试方法并应用于FPGA电路的实际测试,对FPGA测试技术进行了有益的探索。

Actel FPGA芯片APA150研究与应用

APA150型FPGA芯片是Actel公司ProASIC Plus系列中的一种,是基于flash结构的FPGA。主要介绍了APA150的器件特点,功能结构、设计开发环境以及简单应用。

FPGA的空间容错技术研究

基于SRAM的FPGA对于空间粒子辐射非常敏感,很容易产生软故障,所以对基于FP-GA的电子系统采取容错措施以防止此类故障的出现非常重要。通过对敏感电路使用三模冗余(TMR)方法并利用FPGA的动态可重构特性,可以有效的增强FPGA的抗单粒子性能,解决FPGA对因空间粒子辐射而形成的软故障。

硅片沾污检测及清洗技术研究进展

主要阐述了硅片表面沾污测试技术中的一些重要研究进展,同时介绍了几种常见的硅片清洗方法,并对各方法的优点及适用性进行介绍。

SOI LDMOS功率器件的研究与制备

根据REUSRF原理,对器件参数进行优化。采用与常规CMOS工艺兼容的技术,在SIMOX片上制备了薄膜SOI LDMOS功率器件。器件呈现良好的电学性能:漏极偏压5V时,泄漏电流仅为1nA;当漂移区长度为4μm时,关态击穿电压达到50V,开态击穿电压大于20V;器件的输出曲线在饱和区光滑,未呈现翘曲现象,说明体接触有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应。这种SOI LDMOS结构非常适合高温环境下功率电子方面的应用开发。