集成电路制造中的胜任力模型体系分析

阐述在集成电路制造中的竞争,人才是企业发展的力量源泉,探讨人才的选拔、培养和运用是企业核心竞争力的表现,分析技术高潜人才项目与胜任力模型的设计和应用案例。

中芯国际90纳米低功耗集成电路生产工艺技术

2007年3月，中芯国际“90纳米低功耗集成电路生产工艺技术”荣获了由中国半导体行业协会、中国电子报等五家单位联合颁发的第一批（2005—2006年度）中国半导体创新产品奖。

ISO/TS16949品质系统在集成电路制造企业中的推行和实施

本文介绍了中芯国际集成电路制造(上海)有限公司在半导体企业中领先推行ISO/TS16949品质要求,以过程方法对公司内所有过程进行系统管理,对过程指标实行目标管理,实现了缺失预防、减少变异及浪费、降低成本、提升效益之目标。

国内外集成电路制造业PFCs排放量计算方法的对比研究

全氟化物(PFCs)是《京都议定书》确定的6种温室气体之一,大多数PFCs具有极高的全球暖化潜势值,在集成电路制造过程中会排放大量的PFCs。通过分析目前国内外集成电路制造行业PFCs排放量的计算方法,对比了其异同点及优劣性,可为我国企业提高其计算准确度提供借鉴,也为进一步改进计算方法提出了建议。

集成电路制造行业挥发性有机物(VOCs)减排措施研究

研究集成电路制造行业主要的挥发性有机物(VOCs)排放源及VOCs主要成分,并针对VOCs源头、过程控制与末端治理,提出切实有效的减排措施建议,为集成电路生产企业VOCs治理研究提供参考。

从产业链的角度看我国集成电路设计产业发展模式之选择

集成电路设计产业是整个集成电路产业链中极其重要的一环.设计产业与位于其上游、下游及与之并行的各个产业相互依附、相互带动,谁也离不开谁.我们可以根据一个国家集成电路产业链是否完整来判断其集成电路产业是否发达与成熟.就我国而言,集成电路产业链正在形成中,尚不完整,这决定了我国集成电路产业尚处在起步阶段.

浅谈超低功耗集成电路技术

随着集成电路和半导体技术的不断发展,集成电路板越来越趋向于超大规模集成电路的发展,而功耗的测试已经成为了集成芯片设计与测试过程中的主要测试对象,这就使得超大规模集成电路在功耗测试面前受到了功耗瓶颈的制约,影响了集成电路板向超大规模化的发展。本文主要针对超低功耗集成电路的技术进行研究。

消防灭火救援过程中的安全管理策略分析

本文简要分析现阶段消防灭火救援的问题,重点强调消防灭火救援中消防员伤亡原因分析,并以加强消防灭火救援过程中安全管理策略作为切入点,对建立标准化操作程序、加强现场指挥和监控、建立严格安全防护制度、加强协同合作以及积极开展培训工作等方面进行研究,期望能够为相关人员提供参考。

浅谈中芯国际的模块并入(IP merge)服务

介绍公司模块并入部门通过完善工作系统和解决遇到的问题,实现部分自动操作,使得工作周期缩短到客户满意(无投诉),工作失误率为最低(目前为零)。

电子束吸收电流表征方法在芯片失效分析中的应用

随着集成电路芯片关键尺寸和金属连线线宽越来越小,传统的失效点定位方法,如微光显微镜或光束诱导电阻变化等,由于分辨率的限制不能精确地定位故障点。电压衬度分析方法虽然在一些开路、短路失效分析中能快速地定位失效点,但是其局限于芯片同层分析。电子束吸收电流(EBAC)表征方法由于其定位精准且不局限于同层分析被越来越多地应用于先进制程芯片的失效分析。通过对开路、高阻和短路失效样品的分析,体现了EBAC方法在集成电路芯片失效分析中的独特优势,在涉及多层金属层的失效定位分析时,EBAC方法更加简便精确,可保证分析的成功率并缩短分析周期。

芯片制造厂电压暂降问题及治理

分析目前配电系统电压暂降治理方案存在的缺陷,深入研究动态电压补偿器的原理并进行改造,达到电压暂降治理的全覆盖。

晶圆制造、运输、封装过程中Al焊垫污染源的研究

半导体芯片上Al键合焊垫在集成电路器件良率测试和封装中是非常重要的。研究焊垫污染来源对晶圆制造和金线键合工艺的改进将会有极大的帮助。结合案例采用扫描电子显微镜(SEM)、能量弥散X射线探测器(EDX)、透射电子显微镜(TEM)、聚焦离子束显微镜(FIB)等分析研究了焊垫污染的来源。结果表明,键合焊垫上的F沾污的来源可能与顶层金属蚀刻或焊垫打开过程中的蚀刻气体或者运输相关;异常焊垫上较高的C和O可能是在晶背减薄过程中引入的;运输过程中的包装纸导致了异常焊垫上O和K沾污;异常焊垫上的Si尘埃形成于晶粒切割过程中;焊垫腐蚀区域的Cl则来源于焊垫蚀刻气体。

某集成电路制造公司一线员工工作倦怠分析

[目的]了解某集成电路制造公司一线员工的工作倦怠状况。[方法]采用M aslach工作倦怠通用量表改进版(MB I-GS),对406名某集成电路制造公司一线员工进行问卷测量。[结果]被调查人群工作倦怠的情感衰竭维度>3分者占53.1%;玩世不恭维度>3分者占37.4%;成就感降低维度>3分者占21.1%。工作倦怠水平在年龄、教育程度、婚姻因素上差异无统计学意义(P>0.05),工作倦怠水平与工作年限呈正相关。[结论]某集成电路制造公司一线员工在情绪衰竭维度上存在较强的工作倦怠,在玩世不恭和个人成就感降低维度上尚不构成工作倦怠。

芯片制造业VOCs废气治理所采用的沸石分子筛选型建议

沸石分子筛是沸石转轮吸附浓缩治理系统的核心部件，直接影响系统对VOCs的治理效果。本文以中芯国际集成电路制造（上海）有限公司为调查主体，对其有机废气成分进行分析，从分子大小、极性、沸点和吸附质浓度等方面探讨了沸石分子筛的选型要求，研究沸石分子筛的吸附性能。为国内芯片制造业在沸石分子筛选型方面提供方案和建议。

堆叠式内存制造中炉管非选择性半球状多晶硅片数效应

随着动态随机存取存储器(内存)线宽的缩小,需要半球状多晶硅等新技术来增大电容。当前对选择性半球状多晶硅论述较多,非选择性半球状多晶硅则较少提到。文中讲述的是炉管非选择性半球状多晶硅在0.13μm堆叠式内存上的实际应用,侧重于解决片数效应。炉管非选择性半球状多晶硅的下电极阻值具有非常严重的片数效应,电容的下极板电阻从炉管底部向上增高,并随着产品片数的增加而增高,导致上部产品良率偏低,一个制程只能生产一批产品。通过对非选择性半球状多晶硅的制程原理及硬件构造进行分析,发现片数效应是由于籽晶沉积阶段的硅烷流量通常非常小,只有10～15标准毫升,它在硅片上的分布密度会随着产品的增多而沿气流方向减少,沿气流方向的硅片只好通过增加籽晶和迁移步骤的温度来拉起更多的基体硅进入半球体,相应的剩余基体硅就会变薄,这就导致了下电极阻值的增高。文章根据该发现,提出了炉管非选择性半球状多晶硅片数效应的解决方法。

芯片制作过程中切割道光刻对准标记的优化

在0.18μm高压产品工艺生产过程中,作者发现晶片在钨化学机械研磨制程后会有很严重的钨剥落缺陷,此种缺陷成行排列,有一定规律,与光罩的曝光间隔距离相匹配,该缺陷会导致产品良率有非常明显的下降。同时在生产过程中也发现在MIM上极板蚀刻后,有些聚合物难以去除,此种残留物也来自曝光的固定位置。因此解决这类与光罩相关的缺陷和残留物显得尤为重要。作者经过深入的研究分析以及实验验证,通过对切割道上的光罩对准标记进行优化,彻底解决了这两种缺陷问题,使得产品的良率得以提升。

面向半导体制造的大数据分析平台

为充分利用半导体制造过程产生的大量数据,发掘数据中蕴含的价值,对半导体制造过程进行分析、预测和调控,建立了半导体制造大数据分析平台。归纳得出了半导体制造过程中大数据的特性,提出了半导体制造大数据分析体系架构,分析了其关键技术和实现方法。根据半导体制造过程中大数据的使用特点,将数据导入、去重、筛选、标准化等共性操作归入平台通用预处理层;预处理后的数据进入数据仓库层,在数据仓库中按主题进行组织;最上方的专用处理算法层根据上层应用的特定数据要求,从数据仓库中抽取数据,使用专用算法进行处理,为其提供标准化、可靠、可复用的数据资源。最后基于半导体制造企业的实际情况搭建了原型系统,对半导体制造过程产生的大量实际数据进行导入、存储、组织和预处理,并进行了性能测试和常用统计分析算法测试。

萃取分离从废旧线路板金属粉末中回收铜制备超细氧化铜

随着电子信息行业的飞速发展,报废的电子电器设备产生大量的电子垃圾,如何环境友好的处理这些垃圾正成为全球日益关注的课题。作为电子设备主要部件之一的印刷线路板(PCBs)中含金、银、铜、铁等金属约达28%。

耳穴贴压治疗老人慢性湿疹的疗效观察

目的探讨耳穴贴压治疗老人慢性湿疹的临床价值。方法选取90例老年慢性湿疹患者,随机分为对照组和研究组各45例。所有患者均使用丁酸氢化可的松乳膏治疗,研究组在此基础上分别给予耳穴贴压治疗,对照组在此基础上给予耳穴假压治疗。对比两组治疗前后主要疗效指标(临床症状积分、皮损面积大小评分、瘙痒评分、EASI评分)水平、疗效和不良反应发生情况,并对治疗有效的患者随访1个月,对比两组复发率。结果治疗后,研究组临床症状积分、皮损面积大小评分、瘙痒评分及EASI评分均低于对照组(P<0.05);研究组总有效率高于对照组(P<0.05);两组不良反应总发生率比较,无显著差异(P>0.05);研究组复发率低于对照组(P<0.05)。结论耳穴贴压治疗老年慢性湿疹的疗效确切,有助于缓解患者症状,降低复发率,且治疗安全性良好。

直接变频超宽带接收机中的低压折叠开关混频器

提出了一种新型的应用于直接变频超宽带接收机中的低压折叠开关混频器.给出了混频器电路拓扑结构,输入宽带匹配网络采用并联电阻的形式,跨导级采用电流复用技术的CMOS反相器,跨导级和开关级通过电容交流耦合,用LC谐振网络替代传统电流源.分析了改善混频器线性度、增益和噪声性能的方法.使用中芯国际0.13μm CMOS工艺制造芯片,测试结果表明,在电源电压为1 V,功耗为5.1 mW时,得到了非常好的线性度,输入三阶互调截点(IIP3)为10.20 dB(mW量级),同时功率增益为-4.2 dB,单边带噪声系数为12.8 dB.