国外红外用大尺寸锗晶体的生产方法及水平

介绍了美国、独联体、日本、比利时和以色列用于 8～ 1 2 μm红外系的锗晶体的生产方法 ,包括CZ法、定向结晶法、铸造法、斯捷潘诺夫法、旋转晶片法、斯拉克巴杰法和籽晶垂直梯度凝固法。国外已分别用CZ法和定向凝固法生产出Φ30 0mm和Φ52 0mm的大直径锗单晶。

热等静压(HIP)对CVDZnS光学性能的影响

对化学气相沉积 (CVD)ZnS经热等静压 (HIP)处理前后在光学透过率等方面的改变进行了比较分析。针对温度、原生样品厚度等因素对样品性能的影响做了详细阐述。实验表明 ,热等静压对原生CVDZnS光学性能有促进作用 ,随处理温度的升高 ,透过率在 10 10～ 10 5 0℃之间出现峰值 ;原生样品厚度的影响不容忽视 ,导热均匀的薄样品晶粒均匀且尺寸较大 ,光学及力学性能要好于厚样品。