大思政视域下高校组织育人的创新路径——以南京理工大学电子工程与光电技术学院为例

高校开展组织育人实践,既是新时代高等教育发展的现实需要,也是高校落实高等教育目标和任务,培养社会主义建设者和接班人的迫切需求。随着“大思政”这一概念的提出,组织育人的内涵得以丰富,大思政也为构建组织育人新生态、推进中国式高等教育现代化贡献了新的思路。近年来,高校在组织育人的工作探索中总结经验、发展创新。文章以笔者所在的南京理工大学电子工程与光电技术学院为例,聚焦于当前组织育人的困境,从内容、载体、形式、品牌和模式等方面总结了大思政视域下高校组织育人的创新路径,以进一步细化组织职能,发挥引领作用,推动组织育人见效。

浅谈电子学课群改革与建设——南京理工大学电子学课群改革与建设的感想

电子学课群包括电类和部分非电类专业的专业基础课,它对学生综合能力的提高有很重要的影响.本文从师资队伍、课程体系、教学内容、教学方法以及教材等几个方面具体地介绍了电子学课群的改革与建设.

创新教育的理论探讨与实践研究——南京理工大学电子科技创新基地建设的思考

实施创新教育,培养创造性人才是高等院校的重要使命*本文在介绍国内外创新教育发展现状的基础上,结合南京理工大学电子科技创新基地建设的经验,阐述了培养创新人才的基本条件、思路与方法等方面的内容.

理工类高校大学生课外阅读引导新策略探讨——以南京理工大学为例

理工类高校由于自身的专业设置偏向理工类学科,注重自然科学的教育,因此更要重视大学生人文素质的培养,以保障他们能够均衡地学习各类知识,实现文理并重的全面发展。为了进一步了解理工类高校大学生课外阅读人文及社会科学类书籍的特点、需求及倾向,本文以南京理工大学大学生课外阅读状况为例,调查了理工科大学生课外阅读现状,分析其存在的问题,有针对性地给出了理工科大学生课外阅读引导的新策略。

负电子亲和势光电阴极评估技术研究

阐述了负电子亲和势 (NEA)光电阴极的评估原理 ,用NEA光电阴极的量子产额理论曲线对测试获得的实验曲线进行拟合 ,可以获得光电阴极的表面逸出概率、载流子扩散长度和后界面复合速率等参数。介绍了NEA光电阴极激活和评估系统 ,利用该系统对国产的反射式GaAs基片进行了激活和评估 ,文中给出并分析了测试结果。

用动态光谱响应测试技术评价多碱光电阴极的电子亲和势

利用光谱响应和量子产额曲线首次介绍了多碱光电阴极制备过程中的电子亲和势。Na2 KSb、Na2 KSb +Cs和 [Na2 KSb +Cs]+Sb +Cs的电子亲和势分别为 0 .7～ 0 .91eV ,0 .35～ 0 .4 1eV和 0 .33eV ,并认为电子亲和势的差异取决于阴极工艺的差别。在Na2 KSb形成过程中存在n型表面态 ,这些n型表面态的存在影响了Na2 KSb的重掺杂 。

《光电子技术》教学方法的探讨

《光电子技术》是电子科学与技术类专业的基础课,承担着巩固基本原理、拓宽专业知识、培养学生创新能力的重要作用。本文针对目前学生的学习状况,结合平时课堂实践,重点探讨了《光电子技术》常用教学手段及其改进方法,在实际教学过程中取得了丰富课堂内容,激发学生兴趣的良好效果。

532 nm响应增强的AlGaAs光电阴极

AlGaAs光电阴极具有响应速度快和光谱响应范围可调的特性,可被应用于水下光通信领域.为了解决AlGaAs发射层较低的光吸收限制其量子效率提高的问题,利用分布式布拉格反射镜(DBR)结构对特定波长光的反射作用,将透过光重新反射回发射层进一步提高吸收率,从而增强阴极在532 nm波长处的响应能力.通过求解一维连续性方程,建立了具有DBR结构的AlGaAs光电阴极光谱响应模型.采用时域有限差分法,分析了DBR结构中子层周期对数、子层材料以及发射层、缓冲层厚度对发射层吸收率的影响,对比了有无DBR结构AlGaAs光电阴极的光吸收分布.结果表明,周期对数为20、子层材料为Al_(0.7)Ga_(0.3)As/AlAs的DBR结构对532 nm光的反射效果最优.基于该DBR结构,发射层和缓冲层厚度分别为495 nm和50 nm时,发射层对532 nm光具有最佳吸收率.通过对外延生长的AlGaAs光电阴极进行激活实验,结果表明具有DBR结构的AlGaAs光电阴极在532 nm波长处的光谱响应率相比无DBR结构的AlGaAs光电阴极光谱响应率提升了约1倍.

透射式GaAs光电阴极性能提高以及结构优化

为了提高透射式GaAs光电阴极性能,将国内与美国ITT公司的透射式GaAs光电阴极量子效率曲线进行对比,可知我国透射式光电阴极积分灵敏度已经达到2130μA/lm,美国ITT达到了2330μA/lm.利用修正后的量子效率、光学性能以及积分灵敏度的理论模型,分别对两者进行光学结构拟合.结果表明,国内光电阴极在窗口层和发射层的厚度、电子扩散长度以及后界面复合速率等方面均与ITT有一定差距.为了缩短两者的差距,优化阴极结构参数,具体研究了电子扩散长度和发射层厚度对量子效率的影响,结果表明如果均匀掺杂透射式GaAs光电阴极发射层厚度为1.3μm、电子扩散长度为7μm,则积分灵敏度可以达到2800μA/lm以上.

一种基于矩阵填充的稀疏阵波达方向估计技术

为了提高稀疏阵列波达方向(DOA)估计的性能,该文将低秩矩阵重构理论应用到DOA估计中,提出了一种改进的矩阵填充模型及其优化求解方法。该方法利用Sigmoid函数实现核范数约束并建立最小化模型;然后基于粒子群算法改进增广拉格朗日乘子法,对模型实现低秩优化求解;最后利用多信号分类(MUSIC)算法实现DOA估计。仿真结果表明,该方法能有效实现稀疏阵重构,DOA估计的性能优良,且能够适用于相关信源。

Cs/O沉积Na_(2)KSb光电阴极表面的第一性原理研究

Na_(2)KSb光电阴极在光电倍增管、图像增强器、真空电子源等领域具有重要应用.为指导高灵敏度Na_(2)KSb光电阴极的制备,采用第一性原理计算方法,研究不同表面取向和原子终止面的Na_(2)KSb表面模型,获得稳定且最有利于电子发射的表面结构.基于该表面进一步研究了不同覆盖度下的Cs原子沉积和Cs/O原子共沉积对Na_(2)KSb表面电子结构和光学性质的影响.对比表面能、吸附能和吸附前后的功函数结果表明,Na_(2)KSb(111)K表面具有优越的电子发射能力以及良好的稳定性.当Na_(2)KSb(111)K表面吸附2/4单层的Cs原子和1/4单层O原子时,获得最大功函数下降量0.16 eV.表面吸附Cs/O原子有利于电荷往表面上方转移,并产生电荷累积,能形成有效表面偶极矩.通过分析能带结构和态密度,发现吸附Cs原子对导带底存在额外的能带贡献,且引入O原子吸附后价带发生上移.此外,吸附Cs/O原子有利于增强表面近红外光吸收,但是会导致表面紫外和可见光吸收变差.

一种新型的双光路望远系统视差检测技术

视差对于望远系统的观察与瞄准都有着重大的影响,传统检测方法依赖检测精度较低的人眼判读,且无法定量给出视差调校量。通过对经纬仪检测视差的光路原型进行改进,研制了一种新型的双光路望远系统视差检测技术,通过两条光路分别接收望远系统物镜两侧的出射光线,依托图像判读技术检测望远系统的角视差,最终经过公式推导得到望远系统的线视差。根据物理模型建立图像判读十字分划中心偏移量与视差值之间的数学关系,该系统能够实现多种通光口径的望远系统视差检测,具有高效率、高精度、自动化等优点,检测精度可达11.9″。

光场表征及其分辨率提升技术:文献综述及最新进展(特邀)

自高斯时代以来,成像系统的设计和开发便始终致力于透镜的持续迭代和优化,以收集来自物平面上某点向不同方向发射的光线,并尽可能完美地将其汇聚到像平面上的一个点。然而,成像传感器仅能捕捉并记录下光线的空间位置信息,导致角度信息的丢失,并完全丧失了对三维场景的视角变换与深度感知能力。为了弥补这一缺陷,计算光场成像技术应运而生,它能够记录空间光辐射场的完整分布,联合记录空间位置和角度信息,突破了经典成像的局限性,正逐渐被应用于生命科学、国防安全、虚拟现实/增强现实、环境监测等领域,具有重要的学术研究价值和广阔的应用潜力。然而,光场成像技术仍然受到数字成像器件和图像传感器的联合制约,成像系统的有限空间带宽积致使光场成像在实际应用中往往需要在空间分辨率和角度分辨率之间做出权衡,导致难以达到传统成像技术的高空间分辨率。自光场成像技术诞生以来,如何赋予其更高的自由度,即在保持高分辨率成像的前提下,提高时间分辨率和角度分辨率,从而实现更清晰、更立体的成像性能是光场成像技术亟需解决的关键问题,也一直是该领域的研究热点。该综述全面回顾了光场成像技术的发展历程,阐述了全光函数和四维光场的基本概念,并总结了在时间、空间和角度这三个维度上实现高分辨率成像的关键方法,最后还对光场成像技术的未来发展趋势进行了展望。

基于第一性原理的无铅无机钙钛矿Cs_(3)Bi_(2)X_(9)(X=Cl、Br、I)光电性能表面效应研究

用基于第一性原理的密度泛函理论方法,对Cs_(3)Bi_(2)X_(9)(X=Cl、Br、I)的光电特性进行理论计算,并系统阐述这3种晶体的表面效应对光电性能的影响。结果表明,3种材料的光学特性由铋原子和卤素原子最外层p轨道上的价电子主导。在可见光区中,材料的吸收峰会随卤素原子序数的增加呈现红移,其中一维结构的Cs_(3)Bi_(2)Cl_(9)表面结构在光吸收能力上尤为特别且敏感;二维结构的Cs_(3)Bi_(2)Br_(9)光吸收能力会受厚度影响;零维结构的Cs_(3)Bi_(2)I_(9)非常稳定,且几乎不受表面特性和晶体厚度的影响。

毫米波调频无线电引信干扰技术研究

针对毫米波调频引信的数字射频存储转发、正弦调幅扫频、噪声调幅和噪声调频,提出了干扰方法。采用滤波分离差频信号,并从差频信号中提取多普勒信号参数的方法,将毫米波调频引信信号的差频测距结果以及多普勒信号作为引信启动的联合判决条件。仿真结果表明,对该体制引信施加正弦调幅扫频干扰和间隔转发干扰的欺骗效果明显,覆盖接收机的大功率噪声信号均能有效压制回波信号。

大规模低轨卫星互联网传输层关键技术研究与展望

随着卫星技术的发展,低轨卫星网络因其低成本、高容量、低时延等优势正在被越来越多的组织采用,如One Web、Space X等。低轨卫星网络不仅能够提供全覆盖的服务,甚至还能在超远距离数据传输中实现比地面网络更低的延迟。随着卫星星座技术的逐渐成熟,大规模低轨卫星互联网有望为全球用户提供无缝高速互联网接入。在大规模低轨卫星互联网中,传输层协议对于提供高可靠、低延迟的通信服务至关重要。然而,大规模低轨卫星网络的高误码率、星地切换以及频繁的网络拓扑变化等特点,使得传统地面网络传输协议难以满足大规模卫星互联网服务质量要求。因此,开发适用于大规模低轨卫星互联网的新型传输协议机制势在必行。针对大规模低轨卫星互联网新特征与传输服务需求,从传输层协议、拥塞控制算法、传输层编码技术以及多路径传输协议等多个方面,探讨了大规模低轨卫星网络下传输层关键技术发展,分析了当前大规模低轨卫星互联网传输服务面临的主要挑战。将为大规模低轨卫星互联网传输层关键技术的研究提供一定的发展思路与技术参考。

无线传感器网络的关键技术及在物联网中的应用

随着物联网技术的不断发展,无线传感器网络作为其重要组成部分,正在逐渐成为各种领域中实现智能化、自动化的关键技术之一。无线传感器网络以其低成本、易部署、实时性强等优势,广泛应用于环境监测、工业生产、智能交通、农业领域等各个领域,并在物联网中发挥着越来越重要的作用。通过对无线传感器网络的关键技术和物联网应用的研究与分析,有助于更好地理解和把握无线传感器网络在物联网中的作用和发展前景,推动其在各领域中的广泛应用和创新发展。

基于OBE理念的电子线路实验教学探索

作为培养学生实践能力与创新能力的重要环节,实验教学对新工科人才培养的意义重大,但现有的电子线路实验教学仍有种种弊端。本文基于OBE教育理念,以学生的学习成果为导向设计电子线路实验教学思路,通过多层次教学内容、多元化教学方法和多维度评价机制对电子线路实验教学进行改革探索,满足了学生对实验课程不同层次的学习需要,强化了理论教学与实验操作的联系,促进了实验教学的持续改进,对于提高学生创新能力和工程素养有重要意义。

GaAs光电阴极制备过程中多信息量测试技术研究

研制了一套基于现场总线技术的GaAs光电阴极多信息量测试系统，该系统可在线测试和保存阴极制备过程中的大部分信息量，如激活系统的真空度、阴极光电流、光谱响应曲线、Cs源和O源电流等。实验测试了GaAs光电阴极加热净化过程中真空度随温度的变化曲线，分析发现，高温净化时有几个真空度下降较快的区域，为160℃～280℃、400℃～500℃、570℃～600℃，分别是由于．AsO的脱附和水分的蒸发、As2O3分解和Ga2O脱附、GaAs和Ga2O3的分解所致，低温净化真空度在370℃后下降较快，这是由于吸附在阴极表面的Cs脱附速度加快造成的。实验还测试了激活过程中多种信息量的变化，发现了真空度和光电流随Cs源和O源电流的变化规律，这些大大方便了对激活工艺进行深入细致的分析研究。

负电子亲和势GaN光电阴极铯吸附机理研究

为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆盖度之间的函数关系式.分析了铯的吸附机理,得到激活过程中铯的吸附过程与GaN材料有效电子亲和势下降之间的关系.实验表明:负电子亲和势GaN光电阴极材料在铯激活时光电流随着铯覆盖度的增加而从本底值增为极大值,激活过程中GaN电子能量分布曲线低动能截止点的位置决定于铯的覆盖度.当铯的覆盖度从0、1/2、2/3到1个单层变化时,低动能截止点依次向左移动,当覆盖度从0增加到1个单层时,低动能截止点向左移动了约3eV的距离.研究表明,低动能截止点左移本质上是由于对电子逸出起促进作用的有效偶极子[GaN(Mg):Cs]数量的增多造成的,有效偶极子数量的增多带来了材料表面真空能级的下降.