聚丙烯酸法合成锂离子电池正极材料Li_xMn_2O_4

以聚丙烯酸为载体通过溶胶凝胶法合成纳米级尖晶石结构的锂离子电池正极材料LixMn2 O4(1<x <1.12 )。讨论锂锰摩尔比、烧结温度对产物结构的影响。此外 ,改进了传统烧结方法 ,对烧结产物进行回火处理。实验结果表明 ,烧结温度为5 5 0℃时晶化完全 ,结构完整 ;当锂锰比为 1.0 8∶2时性能较佳 ,初始容量为 12 5mAh/g ;回火可改善LixMn2

单层吸波材料设计的一般方程及其可能解

研究了正入射条件下，金属基单层电磁波吸收材料设计中所遵循的一般方程式．并给出了对应的最佳电磁参数和匹配厚度的可能解和理论设计曲线．

多薄层涂覆吸波材料计算设计方法研究

介绍了多薄层吸波材料的计算设计理论及优化方法 ,给出了单层、双层、多层吸波材料的计算设计结果 ,并预报了多层吸波材料对入射波的能量衰减和吸收带宽。采用表面涂覆技术制备了多薄层涂覆吸波材料的平板试样 ,并测试了其吸收带宽、吸收峰位及功率衰减等技术指标。理论计算与实验比较研究表明 ,采用第一性原理计算和计算机辅助优化设计结果与实验基本吻合。

CNTs/Polyester复合材料的微波吸收特性研究

研究了添加不同质量分数CNTs的聚酯基复合材料的电磁波吸收性能,初步分析了CNTs的螺旋结构和手征性质导致8～40GHz波段良好的吸收。其中厚度为1.40mm±0.05mm的CNTs/Polyester复合材料在25GHz有较强的吸收峰。

结构型隐身复合材料吸波及动/静态力学性能研究

在纤维增强树脂基复合材料中添加代号分别为S-5,S-1A,HT,XF-4b,SM,TX,XF-2微米级颗粒吸收剂,在保证良好隐身性能的前提下,赋予了材料一定的力学性能。对应于10dB隐身水平,平板试样的有效吸收频带宽度大约在10GHz。非标准试样的动态力学性能测试结果表明:本结构型隐身材料具有良好的抗冲击性能,然而,标准试样的静态拉、压、弯、剪等指标低于传统结构材料。

雷达吸波材料设计理论与方法研究进展

综述了近10年来雷达吸波材料(RAM)计算设计理论、方法及优化技术的发展,并简要评价了现有的设计技术。此外,提出了雷达吸波材料设计存在的技术问题,并预测了吸波材料设计的发展方向。

层板复合材料动态断裂韧性测试的SHPB技术研究

为测试层板复合材料的断裂韧性,对传统的Hopkinson压杆测试系统进行了改进,建立了应力波载荷作用下材料动态断裂韧性的测试方法.该方法采用三点弯曲试样进行动态断裂试验,应用动态断裂韧性测试系统ANSYSED5 4确定动态应力强度因子的响应曲线,进而测试材料动态断裂韧性.对层板复合材料试验结果的分析表明,设计的测试装置有效,建立的测试方法是对层板复合材料断裂韧性测试的有益尝试,有较大的参考价值.

25SiC_w/LD2复合材料超塑变形过程中位错的分布规律

采用挤压铸造法制成复合材料并热挤压成板材 ,然后对其进行了超塑拉伸实验。当拉伸温度为5 70℃ ,应变速率为 2 .0× 10 -3s-1时获得了 2 80 %的延伸率 ,用TEM观察了超塑变形过程中位错的变化分布规律。结果表明 ,位错的密度及分布与变形温度及应变速率有一定关系。在最佳变形条件下 ,变形初期位错主要集中在晶界处分布 ,随着变形量的加大 ,位错向晶粒中间扩展 ,并发现有层错及孪晶出现 ,这对协调变形具有一定作用。

化学镀制备Ni包覆纳米SiC核壳颗粒及其介电响应

采用简单的化学镀方法,在相对低的温度下制备了具有核-壳结构的SiC-Ni纳米复合颗粒．XRD和TEM分析结果表明,纳米Ni晶吸附在SiC颗粒表面,可以形成一层连续且致密的Ni包覆层．基于化学镀和催化理论,初步分析了化学镀核壳结构形成机理．利用波导法研究了纳米SiC颗粒和复合颗粒在8—12GHz的微波介电特性．研究结果表明,复合颗粒的介电常数实部(ε’)和介电损耗角正切值(tanδ=ε”／ε’)都明显增强,并给出相应的理论模型．

溶胶-凝胶法制备纳米PZT粉体及结构表征

采用改进的溶胶-凝胶法，以乙二醇为溶剂，硝酸锆为锆源，制备了纳米Pb（Zr0.52Ti0.48）O3粉体。通过溶胶的红外光谱分析给出了溶胶、凝胶形成的机理。通过IR，TG-DTA，XRD，SEM，TEM分析对PZT纳米晶的生长过程及性能进行了表征。实验证明：在650℃热处理2h，获得较完整钙钛矿型PZT，粒径约为50～100nm。

碳纳米管应用于聚合物抗静电纤维的研究

基于聚合物与抗静电载体混纺而形成的“海岛”型内部结构 ,通过极化放电而消除静电的抗静电原理 ,将碳纳米管应用于聚合物抗静电纤维。摩擦静电荷测试结果显示 ,碳纳米管由于具有优异的导电性 ,强化抗静电载体周围的电场 ,从而显著地提高了聚合物纤维的抗静电能力。经过改性处理的碳纳米管 ,如空气活化和酸处理等 ,抗静电效果更加显著 ,尤其是金属沉积处理的碳纳米管 ,抗静电效果最为显著。说明碳纳米管在抗静电聚合物纤维领域是很有应用前途。

用于压电悬臂梁的PZT厚膜的溶胶-凝胶制备及表征

研究了一种用于制备硅基压电悬臂梁的PZT厚膜溶胶-凝胶工艺.该工艺通过采用交替旋涂法,将PZT溶胶与PZT纳米粉混合形成浆料,再和澄清PZT溶胶交替涂覆在Au/Cr/SiO2/Si的硅基悬臂梁结构上,当达到所需的厚度后再进行热处理.实验证明,热处理温度在650℃,处理时间15 min时,XRD结构表征显示PZT厚膜获得钙钛矿相结构,SEM中厚膜断面清晰,表面紧密、均匀、平整.铁电性能测试表明矫顽场为50kV/cm,饱和极化强度为54μC/cm2,剩余极化强度为30μC/cm2.同时,硅基悬臂梁结构采用典型的半导体光刻工艺,利用BHF/HCl溶液成功地刻蚀了PZT厚膜,并运用微机械加工技术刻蚀出硅悬臂梁结构.

溶胶-凝胶法合成掺钴锂锰氧化物LiCo_(0.1)Mn_(1.9)O_4

用溶胶 凝胶法合成锂离子正极材料掺钴锂锰氧化物LiCo0 1Mn1 9O4,研究聚丙烯酸 (PAA)量、烧结温度对其结构和性能的影响。此外 ,改进传统烧结方法 ,对烧结产物进行回火处理。结果表明 ,PAA与金属离子摩尔比为 1 4∶1时结晶性较好 ;烧结温度为 6 0 0℃时晶化完全 ,结构完整 ;

PZT薄膜在MEMS器件中的研究进展

主要介绍在MEMS器件中PZT薄膜制备的方法、制备过程中需要解决的问题、PZT薄膜与MEMS的集成以及PZT在MEMS中的应用的研究进展,并展望了PZT薄膜的应用前景。

(SiC)_P表面低成本化学改性的研究

为解决裸(SiC)P在应用中存在的不足,提出(SiC)P表面低成本化学改性的思路。采用简单的化学镀技术,改进氧化、亲水、敏化和活化的前处理工艺,对(SiC)P进行表面化学改性。确定了最佳的试验工艺,获得了镀层连续、无光滑(SiC)P裸露的较高质量的碳化硅复合粉体[简写为(Ni/SiC)P],通过SEM、EDS、XRD、TEM等测试,结果表明:改性后的(Ni/SiC)P较改性前的(SiC)P导电性有所提高,形貌、组成发生改变。同时分析了热处理对(Ni/SiC)P的影响,结果表明:随着温度的升高,(Ni/SiC)P表面改性层中的镍由非晶态转化为晶态。

PZT纳米晶的改进型溶胶-凝胶法制备及其生长过程研究

以乙二醇为溶剂，硝酸锆为锆源，采用改进的溶胶-凝胶法，通过优化工艺参数制备了纳米Pb（Zr0.52Ti0．48）O3（PZT）。通过对工艺条件研究，揭示了体系的凝胶化可通过升高温度和增加pH值来实现。通过对溶胶的红外光谱分析给出了溶胶、凝胶形成的机理。通过TG-DTA、XRD、SEM、TEM等手段对从凝胶到PZT纳米晶的生长过程及性能进行了表征。实验证明，改进后工艺简单易行，溶胶稳定，干凝胶在650℃热处理2h，获得较完整的钙钛矿型PZT，粒径约为50-100nm。

化学镀制备Ni包覆SiC核壳纳米颗粒及其介电响应

采用简单的化学镀方法,在相对低的温度下制备了具有核-壳结构的SiC-Ni纳米复合颗粒。XRD和TEM分析结果表明,纳米Ni晶吸附在SiC颗粒表面,可以形成一层连续且致密的Ni包覆层。基于化学镀和催化理论,初步分析了化学镀核壳结构形成机理。利用波导法研究了纳米SiC颗粒和复合颗粒在8～12 GHz的微波介电特性。研究结果表明,复合颗粒的介电常数实部(ε′)和介电损耗角正切值(tanδ=ε″/ε′)都明显增强,并给出相应的理论模型。

铁氮化物纳米粉末的改性研究

通过对化学气相法合成的多相铁氮化合物纳 米粉末改性工艺的研究。获得了一种均匀、高纯、链 球状的单相－Ｆｅ４Ｎ纳米粉末。测试结果表明。改 性后的铁氮化物粉末在物相、成份、形貌、粒径以及比饱和磁化率和矫顽力Ｈｃ性能指标等方面均得到 了实质性的改善。

MEMS集成应用的纳米结构PZT厚膜形成工艺研究

提出了制备PZT厚膜的一种新的旋转涂覆方法。采用0-3复合法将PZT溶胶与PZT纳米粉混合形成浆料，并与PZT溶胶交替涂覆在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上，使PZT厚度达2μm，并且使PZT表面质量得到了改善。利用XRD和SEM对PzT厚膜的组织和结构进行了表征。得到的薄膜无裂纹，结晶和表面平整度良好，可用于MEMS中微型传感器和微型驱动器的制作。

钕掺杂锆钛酸铅纳米粉体的溶胶-凝胶法合成研究

以乙二醇为溶剂,硝酸钕为钕源,采用改进的溶胶-凝胶法制备了钕掺杂锆钛酸铅纳米粉体Pb1-3x/2NdxZr0.52Ti0.48O3(PNZT)。通过FTIR、XRD、TG-DTA讨论了溶胶经热处理制备纳米粉体的反应机理,PNZT的热处理温度较PZT高50~100℃。采用XRD、SEM、TEM对纳米粉体进行表征。研究表明,钕掺杂增加了晶格畸变程度。与PZT相比,随着钕掺杂量增加晶格参数a和V下降,而参数c和c/a则不同,少量钕掺杂导致参数c和c/a增加,随着钕掺杂量增加逐渐下降。当钕掺杂量≤9%(摩尔分数)时可生成粒径约为20~50nm的钙钛矿型粉体,Nd3+离子取代Pb2+离子与Ti4+离子、O2+离子形成稳定的钙钛矿型结构。