5G射频PA模组用LowLoss&LowCTE封装基板材料的开发

根据功放和封装一体化的需求,针对5G有源RF(射频)PA(功率放大器)模组市场,开发一款LoW Loss&LowCTE封装基板材料。搭配3313型E玻璃纤维布、芯厚0.254mm的芯板具备以下主要性能:Df(10GHzSPDR)<0.006、X/YCTE<15ppm/℃、Tg(DMA)>260℃;搭配HVLP2铜箔,Ps(200℃/10天+220℃/2h处理后)>0.53N/mm;不同条件下的Dk和损耗波动满足终端要求,具备优异的耐热老化性能。

高频高速应用挠性印制电路基材的研究进展

电子设备的高性能化、多功能化,特别是信号传输的高频化和高速化,对信号传输的质量要求越来越高,要求信号传输速度尽量快、信号传输损失尽量小。与信号传输有关的挠性印制电路板,被要求具有更低的介电常数和更低的介电损耗角正切。本文介绍了近年来应用于高频高速领域的挠性覆铜板、覆盖膜及胶膜等挠性印制电路基材的研究进展。

挠性电路基材用环氧胶粘剂的耐离子迁移性研究进展

挠性印制电路板的高密度化,线宽越来越细,线间距越来越窄,要求板材具有更高的绝缘可靠性,特别是耐离子迁移性。以聚酰亚胺为绝缘材料的二层法挠性覆铜板具有优秀的耐离子迁移性,而采用胶粘剂的三层法挠性覆铜板、覆盖膜、胶膜等在耐离子迁移性方面逊于二层法挠性覆铜板。本文介绍了挠性印制电路板的离子迁移现象,以及改善挠性电路基材用环氧胶粘剂耐离子迁移性的研究进展。

功能填料高填充聚合物基复合材料绝缘性能研究进展

综述了功能填料高填充聚合物基复合材料(HFPCs)在埋入式器件、高能存储、导热、封装等方面的应用情况,探讨了不同因素对HFPCs介电强度的影响及其研究进展,并对该材料的应用前景进行了展望。

无枝状结晶耐离子迁移覆盖膜的研究

挠性印制电路板(FPCB)的离子迁移主要受挠性覆铜板(FCCL)和覆盖膜胶层的影响,表现为线路间的枝状结晶。考察采用环氧胶、聚酰亚胺胶等胶黏剂制备覆盖膜的耐离子迁移性,观察耐离子迁移性测试后的试样形貌,发现不同类型胶黏剂制备的覆盖膜试样枝状结晶程度不一,其中普通环氧胶覆盖膜试样线路间枝状结晶严重。进一步通过胶黏剂配方研究,开发出一种无枝状结晶的环氧胶覆盖膜,性能满足IPC-4203标准要求。

厚铜多层PCB用基板材料的研究

随着厚铜多层PCB在电子产品上应用的不断增多,其可加工性及热可靠性倍受关注,文章针对厚铜多层PCB的使用特点,从其基板材料入手,分析与研究了影响板材热膨胀系数、层间粘合力及树脂填充等特性的因素,利用高填充及增韧手段,使板材获得低的热膨胀系数及高的粘合力,并在厚铜多层PCB应用中具备良好的适应性。

无卤无磷阻燃覆铜板基板材料的研究进展

综述了近年来覆铜板基板材料在无卤无磷阻燃方面的研究进展,重点介绍了含氮、含硅材料以及自熄性材料在无卤无磷阻燃覆铜板中的应用,并对其发展前景进行了展望。

ECWC13中的PCB基材技术

本文对第13届世界电子电路大会中收录的关于PCB基材技术方面的论文进行了综述:杜邦公司推出了基于高频高速、热量管理及设计方面的新型高频高速挠性板材料Du Pont TM Pyralux TK(TK)及Du Pont TM Pyralux JT(JT);台湾工研院对于环保材料在CCL的应用中有较深入的研究,并介绍了气相生长碳纤维材料应用于聚酰亚胺挠性板中的研究情况;广州兴森快捷公司对含有热致液晶材料的PCB板的生产参数进行摸索和考察,以验证其在电子电路行业的实际应用;EIPC主席Alun Morgan撰写的关于阻燃剂的论文,则对含卤阻燃剂在行业中的继续应用仍然抱有很大的信心;德国Nabaltec AG公司的Carsten W.IHmels的文章详细介绍了阻燃剂勃姆石在PCB材料中的应用。这些论文展示的一些研究结果,我们可以大概了解到当今PCB基材发展的大致趋势,及一些新型材料的在PCB基材中应用情况。

覆铜板基材在落锤冲击载荷下的实验研究

文章研究了覆铜板基材在落锤冲击载荷下产生的形变情况,这种不可恢复的形变在基材表面呈现为"十"字状的落痕,属于覆铜板基材特有。落痕的面积和长宽可以分别用软件和卡尺测量,其数据有较好的稳定性。用这两个指标来表征覆铜板基材的落锤冲击强度,并比较其与弯曲强度和层间粘合力的关系。

高介电聚合物基复合材料的研究进展

综述了高介电聚合物基复合材料(HDPCs)在埋容器件、高能存储等方面的应用,探讨了HDPCs的高介电机理、不同类型HDPCs的研究状况以及不同因素对HDPCs性能的影响,并展望了HDPCs的前景。

超支化环氧增韧环氧复合基材的研究

本文采用超支化环氧树脂(HBPE)增韧改性环氧复合基材。研究了HBPE含量对复合基材的力学性能和热性能的影响,结果显示,复合基材的机械强度和韧性随HBPE含量的增加而增加。在HBPE加入量为5%左右时,复合基材的冲击强度、弯曲强度和韧性分别提高12%、9.6%、25%。HBPE加入后,基材Td变化不大,说明HBPE对基材耐热性没有负面影响。

基于离子研磨技术的覆铜板结构观察研究

在覆铜板的生产质量控制及各类型失效分析的过程中,切片分析一直是业内最普遍、最实用的分析手段之一。文章通过介绍一种高精度的切片研磨方法及具体实例,从不同的角度对离子研磨在覆铜板缺陷及质量控制中的应用进行分析。

玻纤布基覆铜板基材冲孔特性及其测试方法的研究

本文设计了适合玻纤布基覆铜板基材冲孔性能的模具,在固定实验参数的情况下,根据冲孔不同间距是否泛白分层来表征冲孔性能。冲孔时,方形孔更易泛白分层,圆形孔次之,菱形孔再次之,这与纸基覆铜板不同,属于玻纤布基覆铜板特有。

毫米波段下谐振环测试基材介电常数的研究

文章根据实际使用谐振环对基材进行毫米波段介电常数(D_(k))测试时遇到的问题出发,结合具体实验考察,分析了三种不同形式谐振环在30 GHz以上频段的可行性,最终发现带边缘耦合形式谐振环可以较好地解决普通谐振环在毫米波段不出现谐振或者杂散干扰的影响。结论可供CCL材料厂商和PCB厂商在进行D_(k)评定和监控时参考。

三聚氰胺氰尿酸盐/磷系阻燃剂协效阻燃环氧树脂覆铜基板的研究

采用磷系阻燃剂DOPO及含磷环氧树脂(DOPO-EP)分别与氮系阻燃剂三聚氰胺氰尿酸盐(MCA)组成氮-磷协同体系阻燃环氧树脂覆铜基板。采用垂直燃烧、微型量热分析考察了体系的阻燃性能及燃烧性参数,研究了相同磷元素和MCA含量下两个体系的协同阻燃效果及阻燃机理。结果表明:DOPO-EP/MCA比DOPO/MCA具有更高的协同阻燃效率,表现出更优异的阻燃性能。

苯并噁嗪/含磷环氧/二氨基二苯砜三元体系阻燃性能的研究

分别制备了不同配比的双酚A型苯并噁嗪/含磷环氧树脂(BE)二元体系和双酚A型苯并噁嚓/含磷环氧树脂/二氨基二苯砜(BES)三元体系的浇铸体。用差示扫描量热(DSC)研究了各体系的固化反应,用垂直燃烧性能测试、锥形量热测试、热重分析(TGA)、热重-红外联用(TGA-FTIR)等手段,研究了该体系的热降解和阻燃性。结果表明,在双酚A型苯并噁嚓/含磷环氧树脂体系中加人10%的二氨基二苯砜,当含磷环氧树脂量大于50%,BES三元体系浇铸体样条可以达到UL94 V-0级。但在锥形量热测试中,BE二元体系的热释放速率(HRR)和总热释放量(THR)反而低于BES三元体系,显示更好的阻燃性。

耐电压高导热铝基覆铜板的研究

以氮化铝为导热填料对环氧树脂进行填充改性,制备铝基覆铜板。研究氮化铝的填充量对铝基板绝缘层耐电压、热导率以及剥离强度的影响。对氮化铝进行表面处理,并对处理后的氮化铝对铝基板绝缘层性能的影响进行分析。结果表明:绝缘层的热导率随氮化铝填充量的增加而增大,在填充量大于40%时呈现快速增长,而剥离强度随填充量的增加而降低,耐电压性能在高填充时急剧下降;对氮化铝进行表面处理能显著提高绝缘层在高填充下的耐电压性能,同时剥离强度也得到明显改善。

对枯烯基苯酚改性氰酸酯的研究

在90 ℃下使用对枯烯基苯酚对氰酸酯进行改性,并用对枯烯基苯酚改性氰酸酯与氰酸酯、环氧树脂复配制作覆铜箔层压板,并对其性能进行测试分析.结果表明：制得的覆铜板层压板在1 GHz测试条件下介电常数为3.78-3.87,介质损耗因数为0.007 5-0.009 3;其介电性能比采用未改性氰酸酯制作的覆铜箔层压板的更优.

苯并恶嗪/含磷环氧/二氨基二苯醚体系阻燃性能的研究

分别制备了不同配比的双酚A型苯并恶嗪/含磷环氧树脂二元体系和双酚A型苯并恶嗪/含磷环氧树脂/二氨基二苯醚三元体系的树脂,并进一步制备了浇铸体。通过差示扫描量热(DSC)研究了三元体系树脂的固化反应,通过垂直燃烧测试、锥形量热测试、热重分析(TGA)、热重-红外联用(TGA-FTIR)等手段研究了浇铸体的热降解和阻燃性。结果表明,在双酚A苯并恶嗪/含磷环氧树脂体系中加入10%4,4'-二氨基二苯醚,三元体系浇铸体样条阻燃性提高,达UL94 V-0级;但在锥形量热测试中,三元体系的热释放速率和总热释放量反而高于二元体系。

LED 3D封装基板用TPI/AlN纳米导热膜的制备与研究

通过原位聚合法制备了热塑性聚酰亚胺/氮化铝(TPI/Al N)纳米导热膜。研究了纳米Al N颗粒不同添加量对TPI/Al N纳米导热膜高压击穿(Hi-Pot)、热导率、剥离强度以及介电性能的影响。结果表明:TPI/Al N纳米导热膜的热导率随着纳米Al N填充量的增加而增大,并在质量分数为10%时达到最大值0.41 W/(m·K);而剥离强度随Al N填充量的增加先增大后减小;交收态的导热膜Hi-Pot在质量分数为3%时达到最大值2 k V(AC),继续添加纳米Al N到20%时,Hi-Pot值急剧下降;弯曲后的导热膜Hi-Pot在质量分数为0.5%时达到最大值1.34 k V(AC)。导热膜的介电常数(Dk)在低频范围时显著增大,在高频范围时变化不大,介质损耗(Df)随着频率的升高而显著增大。