山東大學教師對於资產階級教育思想的自我檢討(摘要)

自從與‘三反’相結合的思想改造運動在山東大學熱烈地展開以後,積極參加的教師們都首先進行‘挖心’工作,勇敢地向腐朽的資產階級教育思想開刀,並决心從加强政治學習,提高覺悟,提高思想水平下手,從頭做起,以期最後成為一個名副其實的人民教師,這種自我改造的精神是應該熱烈歡迎的,同時也大大給予少數尚未肯正视自已錯誤的教師們一些啟發的。本刊為了上述目的,特在山大校刊‘新山大’所發表過的許多文章中,摘綠一部份刊登於此。

按逆向而行的思路研究硫酸溶液中铁的电化学振荡

以发生电化学振荡为导向,设计可能引起振荡的化学与物理环境,由实验反向验证振荡机理,从而揭示金属电化学振荡的本质,这就是逆向而行的思路.本文通过改变Fe/H_2SO_4溶液界面附近溶液的pH,Fe^(2+)浓度等因素,人为地促进或阻碍Fe(OH)_2膜或Fe_3O_4膜的生成与溶解,创造可能发生电化学振荡的外界环境,验证了有关Fe/H_2SO_4体系电化学振荡主要归因于铁电极表面Fe(OH)_2膜或Fe_3O_4膜的周期性生成与溶解的机理.这表明用逆向而行的思路研究金属的电化学振荡是可行的.

高效毛细管电泳电化学检测器的研制

本文提出了一种用于高效毛细管电泳(HPCE)的新型安培电化学检测器(ED)设计;使用Nafion溶液制作的HPCE/ED接口,可有效地隔开两电化学系统的干扰,且不引入附加体积;经对有机酚类化合物的胶束电动毛细管色谱(MECC)分离与电化学检测知,该系统性能优良,对对苯二酚的检出限为30amol.

毛细管区带电泳电化学检测器

本文阐述了毛细管区带电泳探针式安培检测器的构造、工作原理、理论及其与电泳系统的联结技术;介绍了该检测器的应用情况。

化学破乳法乳状型液膜除酚的中试研究

本文讨论了乳状型液膜回收焦化厂实际废水中酚的工艺过程，对所采用的传质设备─机械搅拌塔的操作条件进行了细致的研究，并采用了新型化学破乳法。实验结果表明，中试技术指标优于目前焦化厂普遍采用的溶剂脱除法，运行稳定，该法具有较好的经济效益和环境效益以及大规模应用于工业生产的前景。

CO_2在TiO_2薄膜修饰p/p^+-Si电极上的光电化学还原

ＣＯ_２在ＴｉＯ_２薄膜修饰ｐ／ｐ~＋－Ｓｉ电极上的光电化学还原魏培海，祁学永淳于宝珠（山东教育学院化学系济南２５００１３）（山东大学化学系济南）关键词二氧化碳，ＴｉＯ_２薄膜，光电化学，ｐ／Ｐ~＋－Ｓｉ电极在半导体电极表面实现ＣＯ２的光电化学还原，可获?..

钯的萃取化学研究(Ⅱ)——N_(263)萃取Pd(Ⅱ)的动力学研究

采用离子选择电极作为分析手段,用恒界面搅拌法考察了多种因素对季铵盐N_(263)-正辛烷由氯化物介质中萃取钯(Ⅱ)动力学的影响,从实验结果推论出萃取过程为界面化学反应控制型机理。对酸度、添加剂的影响也作了讨论。

江苏盱眙凹凸棒石粘土含矿层的岩石地球化学研究

玄武岩岩石学、岩石地球化学研究表明，盱眙地区晚第三纪玄武岩为大陆碱性橄榄玄武岩，为具有相似的上地幔岩浆源区多期次喷发旋回的产物；玄武岩岩石化学成分表现出与区域相反的变化趋势，即由钙碱性向碱钙性方向演化。玄武岩的风化作用过程分两个阶段进行，风化作用晚期发生蒙脱石的凹凸律石粘土化转变。

金属修饰半导体硅组成光电化学电池的研究

本文以 n/n^+-Si 和 p/n^+-Si 为基底,通过铂、镍等金属膜表面修饰后组成光电化学电池,探讨了金属/n-Si 间的 Schottky 势垒对电池开路光电压的影响.研究了铂膜修饰电极的光电化学性能.用 p/n^+-Si 电极,在65mW·cm^(-2)的光照射下,最佳电池的输出参数是:开路光电压0.530 V,短路光电流47.6mA·cm^(-2),填充因子0.35,光电转换效率13.6%.连续照光75小时,电池性能基本稳定。

细孔分离柱液相色谱安培电化学检测器

本文对细孔分离柱液相色谱的安培型电化学检测器进行了分类,给出了各种检测池的设计示意图并进行了评价,综述了各种检测池的研究和应用情况,展望了该类检测器的发展。

CS_2、SO_2对亚稳态Co（a）的猝灭及化学发光

本文利用流动余辉技术测定了ＣＳ２、ＳＯ２对亚稳态分子ＣＯ（ａ）的电子态猝灭速率常数，实验中观察到ＣＳ２、ＳＯ２对ＣＯ（ａ）的猝灭产物ＣＳ（Ａ，ａ—Ｘ）、ＣＳ（Ａ—Ｘ）、ＳＯ（Ａ—Ｘ）的化学发光，讨论了猝灭和产物的形成机理，测得了产物的形成速率常数，获得了产物初生振动布居的信息，并用统计模型对态布居进行了分析。

He~*(2~3S)/CO_2与CS_2反应的化学发光

The reaction of He*（23S）/CO2 with CS2 has been studied in discharge fiowing-afterglow apparatus. The emission spectra from exited state products CS2+（A）、CS （A,a） have been observed. The formation mechbosm proposed is:

H在含杂过渡金属表面化学吸附的DV—X_α方法研究

本文把量子化学中的DV—X_α方法运用于掺杂过渡金属表面化学吸附的研究。用此方法计算了H在含杂W(100)面顶位吸附的电子结构、吸附体系的分子轨道能级和电子态密度以及杂质原子Re和Ta对化学吸附的影响。

光电化学刻蚀n^+-Si的电致发光

ｎ＋－Ｓｉ在ＨＦ水溶液中经光电化学刻蚀形成的微米级多孔硅（ＰＳ）具有较好的电致发光（ＥＬ）性能，其发光光谱的波长范围约在５００～８００ｎｍ之间，阴极ＥＬ的波长和强度均随调制电位可逆变化；在酸性溶液中，发光强度较大，光淬灭过程也较中性溶液为慢．与ｎ－－Ｓｉ的结果类似，ＰＳ的制备电位也决定性地影响着ＥＬ的强度．光淬灭前的伏安行为表明，除Ｓ２Ｏ２－３和Ｈ＋还原外，可能还涉及ＰＳ表面化合物的转化．对能带图进行了讨论．

光电化学刻蚀n^+-Si光致发光

光电化学刻蚀ｎ＋┐Ｓｉ光致发光①李国铮＊张承乾杨秀梅（山东大学化学系济南２５０１００）对ＰＳ的光致发光（ＰＬ），研究最早见于Ｃａｎｈａｍ１９９０年的报导［１］．高孔率的ＰＳ样品在室温下发出强的可见光，被认为是二维量子尺寸效应所致．这一解释很难从实验上...

异硫氰酸铬（Ⅲ）二（18－冠－6）铵配合物的合成、特征和光化学

本文报道了标题中所指的配合物固体和单晶的制备，测定了ＩＲ，ＵＶ－Ｖｉｓ光谱以及该配合物在ＣＨ３ＣＮ和ＤＭＦ中的光化学性质．采用单晶Ｘ射线衍射测定了该配合物的结构，它属于单斜晶系，空间群Ｐ２１／ｎ，测定了固体配合物在ＣＨ３ＣＮ和ＤＭＦ中的量子产率Φ（ＮＣＳ），并讨论了光反应机制．

二氧化碳在P^+/P-Si半导体电极上光电化学还原的研究

1870年,Royer使用Zn电极将CO2还原为HCOOH。近年来,人们对CO2在几十种金属电极上的电化学还原进行了深入的研究。但普遍存在的问题是CO2在金属电极上还原的过电位较大,导致耗电较多。而半导体电极能吸收光能降低CO2还原的过电位,所以人们对CO2在半导体电极上的光电还原进行了探讨,使用的光阴极材料有P-GaP,P-GaAs,P-InP,P-CdTe。半导体Si的禁带宽度Eg=1.12eV,

谷胱甘肽、溶菌酶和胸腺肽在微电极上的电化学响应

本文用线性扫描伏安法研究了谷胱甘肽、溶菌酶和胸腺肽在不同反应体系中的伏安特性。通过它们在不同缓冲体系中和不同微电极上的电化学响应,发现谷胱甘肽在酸性NaAc-HAc体系中金丝镀汞电极上有最大响应,同时,发现铜也是一种可资应用的电极材料。溶菌酶的最佳响应是在NaOH体系中的铜电极上产生的。在NaAc-HAc体系中,胸腺肽在金电极上有最佳响应,在铜电极上响应也很灵敏。

混杂[2,3,9,10,16,17,23,24-八(庚基)酞菁][四(4-吡啶基)卟啉]合钇(Ⅲ)二层配合物的合成及其谱学和电化学性质

用四(4-吡啶基)卟啉(H_2TP_yP)与乙酰丙酮钇(Ⅲ)[Y(acac)_3·H_2O]反应,生成单层配合物Y(TP_yP)(acae).将其与4,5-二(庚基)二氰基苯混和,后者在DBU催化下发生四聚反应,生成混杂[2,3,9,10,16,17,23,24-八(庚基)酞菁][四(4-吡啶基)卟啉]合钇(Ⅲ)二层配合物Y(TP_yP)[P_c(C_7H_(15))_8].该化合物用紫外-可见、近红外、红外及质谱等进行了表征,并用循环伏安法(CV)和差示脉冲法(DP)研究了其电化学性质.

Diels-Alder反应在硅橡胶工业及聚硅烷化学中的应用

本文总结了Diels—Alder反应在硅橡胶加工和聚硅烷合成方面的应用,其中包括:(一) 利用该反应合成了含多苯苯基或稠环的硅橡胶交联剂和耐热助剂;(二) 通过该反应建立了硅橡胶新型硫化体系,不外加催化剂;(三) 通过该反应合成了含多苯苯基或稠环的有机硅单体,进而制出许多新型聚硅烷;(四) 探讨了影响硅橡胶各种性能的因素及大芳基对聚硅烷性能的影响。