自举二极管的集成开发

IPM 即智能功率模块,其内部以IGBT或MOS作为功率开关,集成高压栅驱动电路,相比于分离方案,IPM既可以极大地缩小PCB尺寸,同时又能良好地保证系统的可靠性和稳定性,目前已经成为白色家电变频控制的理想功能单元。目前IPM的供应基本被国外厂商垄断,即使像国内头部家电企业自建IPM生产线,实际也是采用进口的器件和相对落后的封装技术实现。

功率晶体管热阻测试条件确定方法

以B2-01C(TO-3)型金属封装的3DK109E型功率开关晶体管为实验对象,研究了双极型功率晶体管热阻测试条件的确定方法。以图解的形式着重介绍了测试电流(IM)及基极-发射极电压温度系数(M)、加热脉冲持续时间(tp)、加热功率条件(VCB、IE)、测量延迟时间(td)等热阻测试条件的确定过程。

粗骨料对混凝土性能影响的研究现状及存在的问题

粗骨料作为混凝土的重要组成材料之一,其性能将对混凝土性能产生不可忽略的影响。本文通过对国内外相关研究成果的整理、分析,概括总结粗骨料对混凝土性能影响的研究现状,并提出了存在的问题,为进一步改善混凝土性能提供参考和依据。

新型片状磷平面扩散源的应用研究

分析了新型片状固态磷平面扩散源(PDS)的掺杂机理,并与液态POCl3源扩散进行了比较,指出可用片状固态磷PDS来替代POCl3实现磷扩散工艺的预沉积。基于PDS预沉积的实验结果,分析了影响方块电阻大小及其均匀性的关键因素,给出了工艺方案,并通过实际产品的电学参数测量结果验证了工艺方案的可行性,可供新型片状磷PDS在大直径硅扩散工艺中的推广使用参考。

采用SOC芯片的便携式无线心电监护系统

针对传统心电监护装置电路结构复杂、体积大、携带不便等问题,设计一种高度集成的便携式无线心电监护系统。系统采用模拟前端SOC(System On Chip)芯片ADS1298作为心电信号(ECG:Electro Cardio Gram)测量的核心芯片,结合高速、低功耗的单片机STC12LE5A60S2以及无线传输模块,再将ECG数据传输给上位机,由Lab VIEW软件编写的程序完成ECG信号处理。测试结果表明,该系统具有电路结构简单、体积小,抗干扰能力强、便携式、高精度等优点,有利于对心血管疾病的院前发现、防治和远程诊治,同时降低了心源性猝死的发生率。

三层金属磁控溅射复合膜的XRD应力分析

用磁控溅射方法沉积制备的Ag/Ti-W/Ni-Cr三层复合电极薄膜上的Ag膜在工艺中容易脱落,而SiO2衬底上的Ag膜则具有良好的粘附性能。X射线衍射方法常用来检测薄膜中的应力,用X射线衍射技术(XRD)衍射峰位置的移动可判断膜中出现的是压应力还是张应力。实验中,用XRD对三层复合薄膜作了薄膜的应力分析,确定在160℃溅射沉积后,Ag膜中存在压应力,该应力使Ag膜(111)晶面间距(d)比SiO2衬底上的Ag膜晶面间距小约0.35%。采用500℃,15 min N2热退火的方法,可使三层复合膜中Ag膜的XRD峰位回复到与SiO2衬底上Ag膜相同的谱峰位置,说明采用热退火的方法可有效消除复合膜的应力,防止Ag膜的脱落。

高压Trench IGBT的研制

介绍了当前绝缘栅双极晶体管(IGBT)的几种结构及沟槽型IGBT的发展现况,分析了高电压沟槽型非穿通(NPT)IGBT的结构及工艺特点。通过理论分析计算出初步器件的相关参数,再利用ISE仿真软件模拟器件的结构及击穿和导通特性,结合现有沟槽型DMOS工艺流程,确定了器件采用多分压环加多晶场板的复合终端、条状元胞、6μm深度左右沟槽、低浓度背面掺杂分布与小于180μm厚度的器件结构,可以很好地平衡击穿特性与导通特性对器件结构的要求。成功研制出1 200 V沟槽型NPT系列产品,并通过可靠性考核,经过电磁炉应用电路实验,结果表明IGBT器件可稳定工作,满足应用要求。该设计可适合国内半导体生产线商业化生产。

硅片翘曲对光刻条宽均匀性的分析

通过对硅片翘曲情况及AZ603-14cp正性光刻胶的测试,在步进光刻机的聚焦曝光原理基础上分析了硅片翘曲对条宽均匀性的影响。从而得到了在集成电路,尤其是小尺寸集成电路的制造中硅片平整度的重要性。

中测引起误测的原因分析及预防

针对中测过程中的误测问题,分析了引起误测的各种原因:测试设备的因素、环境因素、测试人员的因素以及前面3种因素的混合。结合具体的误测现象提出相应的解决方法,大大减少了中测过程中的误测问题。

SMVSC-PI最大功率跟踪策略在光伏系统中的应用

通过详细分析光伏电池的特性,设计了基于Boost电路的滑模变结构控制(SMVSC)策略来实现光伏系统最大功率点的跟踪,并在此基础上提出了可变阈值切换的SMVSC+PI控制策略实现最大功率跟踪的平稳控制。仿真实验验证了SMVSC+PI控制策略的良好特性。

标准片质量对炉管污染的影响分析

本文主要就标准晶圆片质量对炉管污检结果的影响进行了各项试验研究。重点讨论了标准片材料电阻、氧化层厚度以及前处理清洗方式这三个方面。我们发现,标准片氧化层厚度的影响几乎没有,影响最大的是标准片的前处理清洗,通过优化该作业后,我们的标准片质量得到了很大的提高,污检通过率也增加了一倍。

IC封装装键缺陷检测系统的升级

近年来,微电子制造业得到了快速发展,对集成电路(Integrated Circuit)的需求也逐日提升,IC封装表面质量的优劣将决定芯片品质,因此制造企业对IC封装表面质量检测要求也越加重视。但碍于国内相关技术发展起步晚,大多数企业对于IC封装表面的检测还停留在人工和半自动检测阶段,这些方式存在检测效率低下、检测结果不稳定等问题,难以满足自动化生产需求。机器视觉技术能够有效解决上述问题,但是这项技术还未广泛应用于IC封装检测行业,因此,基于HALCON软件平台的IC封装自动目检系统研究具有重要应用研究价值。HALCON是德国MVtec公司开发的一套完善的标准的机器视觉算法包。它拥有应用广泛的机器视觉集成开发环境,它节约了产品成本,缩短了软件开发周期———HALCON灵活的架构便于机器视觉和图像分析应用的快速开发。在欧洲以及日本的工业界已经是公认具有最佳效能的机器视觉软件。MVtec公司是一家全球领先的机器视觉软件制造商,其产品可用于所有要求苛刻的成像领域,如半导体行业、表面检测、自动化光学检测系统等领域。

基于VLD终端的光刻对准标记工艺设计

采用VLD终端的半导体器件,在工艺流程上首先需要进行终端制备,然后进行有源区的制备,这就需要在终端制备工艺结束之后,留下后续工艺制造所需要的光刻对版标记,本文设计了一种可以实现套刻的光刻对版标记的工艺,并给出了工艺实现的条件。

低翘曲BGA封装用环氧塑封料开发与应用

随着半导体封装密度的提高,FBGA等单面封装形式被广泛采用。在这些封装中,由于其非对称结构容易发生翘曲,且大面积封装基板也越来越薄,降低翘曲的要求也越来越高。为了减少单面封装的翘曲,有报道称,通过提高玻璃化转变温度(T_(g))和降低封装材料的线膨胀系数来降低成型收缩率是有效的。然而,要保持环氧塑封料的高流动性并大幅降低成型收缩率是很困难的。将固化收缩率引入热粘弹性分析技术,明确了BGA封装翘曲的发生机制,采用降低高温弯曲模量的方法可以设计出具有低粘度、高流动性和低翘曲的环氧塑封料。

双栅调控的硅量子线中的库仑振荡效应

基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子晶体管,通过背栅和侧栅对量子线的电子输运特性进行调制.实验发现,在硅量子线中分别观察到背栅和侧栅调制的单电子效应和库仑振荡现象.从微分电导的二维灰度轮廓图,清楚地观察到了库仑阻塞区,说明由于栅压导致在硅量子线中形成了库仑岛.