非离子型Gemini表面活性剂研究进展及其在半导体湿电子材料中的应用

非离子型双子(Gemini)表面活性剂具备优异的表面活性和独特的分子结构,且不会引入金属离子杂质,在集成电路领域具有巨大的应用潜力。通过对Gemini非离子表面活性剂的部分基团的进行改性,能够显著提高其各项性能,应用于湿电子材料后能够匹配集成电路领域的高精细化发展要求。

浅谈公司内控自我评价报告披露质量与公司绩效的关系

本研究旨在通过分析内控自我评价报告的披露质量与公司绩效之间的关系,探讨公司内部控制机制对其经营业绩的影响。通过采用结构定量与定性相结合的研究方法,考察了一系列与公司内控自我评价报告披露质量和绩效相关的因素,并借助大量的公司数据进行了实证分析。研究结果表明,内控自我评价报告披露质量与公司绩效之间存在显著正向关系。具体而言,高质量的内控自我评价报告披露与良好的公司绩效密切相关,反之亦然。这一发现对于加强公司内部控制、提升公司绩效具有重要启示意义。

OLED用聚集性诱导延迟荧光材料研究进展

聚集性诱导延迟荧光(Aggregation-induced delayed fluorescence,AIDF)材料兼具聚集性诱导发光和热诱导延迟荧光双重性质,是目前最具应用前景的有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes,OLED)用发光材料。本文着重介绍OLED用发光材料及AIDF材料的研究进展。

十二碳炔基非离子Gemini表面活性剂的制备及性能

以2,5,8,11-四甲基-6-十二炔-5,8-二醇和环氧乙烷为原料,三乙胺为催化剂,合成了聚氧乙烯重复单元数分别为2,4,5和7的4种非离子Gemini表面活性剂(P1,P2,P3和P4).通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和1H核磁共振波谱(1H NMR)对P1~P4的结构进行了表征,利用表面张力仪和接触角测量仪等研究了不同聚氧乙烯链长度对表面张力、临界胶束浓度(cmc)、润湿性能、泡沫性能和乳化性能的影响.研究结果表明,随着聚氧乙烯链长度的增加,表面活性剂的cmc逐渐增加,cmc处的表面张力(γ_(cmc),mN/m)先减小后增大,P2的γ_(cmc)最小(27.19 mN/m).此类非离子Gemini表面活性剂均展现出优异的润湿性能,随着聚氧乙烯链长度增加,其发泡量和乳化能力逐渐增加.此类具有低表面张力和出色润湿性能的非离子Gemini表面活性剂在半导体显影和工业清洗等领域具有巨大的应用潜力.

危险化学品生产企业安全管理中存在的问题与建议对策

随着经济的发展和社会的进步,危险化学品在工业生产中扮演着不可或缺的角色,然而危险化学品的生产过程中存在着种种安全隐患和风险。危险化学品一旦泄漏或者发生事故,往往会造成严重的人员伤亡和环境污染,给社会带来极大的危害和损失。本文首先分析目前安全管理中存在的问题,然后提出一系列对策,旨在促进危险化学品生产企业安全管理水平的提升,确保生产经营活动的安全稳定进行。

废弃化学品处理处置标准化

随着中国经济的快速发展,废弃化学品的产生源及产生量急剧增加,其资源化、无害化处理处置已成为社会普遍关注的焦点问题。行业无序混乱处理处置行为的存在,需要通过标准化加以规范,以引领其健康有序地发展。阐述了废弃化学品的定义,介绍了废弃化学品的处理处置现状、处理处置方法和存在的问题,指出了废弃化学品处理处置标准化的必要性,对标准化的现状做了介绍,展望了行业标准化的发展趋势。通过创建废弃化学品处理处置标准化格局,推动科技进步与创新,提高废弃化学品二次资源的综合利用率,实现循环经济、绿色产业、资源综合利用的目的。

双氧水系铜刻蚀液各向异性刻蚀机理和方法研究进展

高精细芯片和显示集成电路主要采用铜制程,其光刻工艺中形成铜膜层结构所需用的铜刻蚀液中最主要的为双氧水系铜刻蚀液。然而双氧水系铜刻蚀液需添加控制刻蚀方向、刻蚀速率和延长刻蚀液使用寿命的相关添加剂,上述类型的添加剂研究随着铜制程的进一步推进而不断进行,研究和应用产生的问题亟待解决。

液晶显示面板铝刻蚀废液处理研究进展

液晶显示面板铝刻蚀废液采用常规法进行无害化处理不仅成本高,而且浪费资源。本文介绍了当前主流研究的铝刻蚀废液处理方法,并列举了实例。最后提出目前存在的问题及铝刻蚀废液处理的发展方向。

先进制程用光刻胶及TMAH显影液的改进

光刻是一种利用曝光、显影和刻蚀等工艺将光掩模上的图形转移到衬底材料上的工艺,是半导体器件制造工艺中的重要步骤。其中,在光刻胶层刻画图形时,主要涉及材料为光刻胶、显影液。在G线(436 nm)、I线(365 nm)光刻工艺中,光刻胶主要是酚醛树脂-重氮萘醌体系,显影液一般采用2.38 wt%的四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液;在193 nm、极紫外(EUV)光刻工艺中,光刻胶主要为含有酯基的聚合物-光致产酸剂(PAG)体系,此外由于接触的界面张力以及膨润问题,显影液中需要加入非离子表面活性剂。本文主要介绍几种先进光刻工艺中的光刻胶和显影液。

电气自动化设备故障预防及检修

在现代工业生产中,电气自动化设备起着至关重要的作用。它们不仅能提高生产效率,还能提升产品质量和工作安全性。然而,设备故障却是无法避免的问题,一旦发生故障,不仅会导致生产中断,还会造成巨大的损失。为了降低设备故障带来的影响,需要采取一系列的预防措施。定期进行设备维护和保养是非常重要的。通过定期检查设备的电路、传感器和执行器等部件,可以及时发现潜在问题并进行修复,从而避免故障的发生。因此,本文将深入讨论电气自动化设备故障预防及检修方法,希望提高故障预防与检修效果。

炭基负载钯催化剂的研究进展

介绍了作为钯催化剂载体之一的多孔炭材料的研究进展以及炭基负载钯催化剂的制备方法。根据钯金属粒子在载体的分布情况分为四种类型,可根据应用需求及使用环境进行选择,并简述了废钯炭催化剂的三种回收方法及其优缺点。

低泡型非离子Gemini表面活性剂的合成及性能研究

低泡型非离子双子(Gemini)表面活性剂在工业清洗、光刻胶显影等领域有着广泛的应用.以二叔戊基氢醌为母体在碱催化的条件下与环氧乙烷通过开环反应合成了3种(P1、P2和P3)不同聚氧乙烯链长度的非离子Gemini表面活性剂,通过表面张力仪、接触角测量仪等研究了不同聚氧乙烯链长度对表面张力、润湿性能、乳化性能、泡沫性能的影响.在相同浓度下,随着聚氧乙烯链长度的增加,表面张力和接触角增加,乳化能力逐渐增强,发泡体积逐渐增加.此外,3种非离子Gemini表面活性剂均具有优异的低泡性能,表面活性剂P1发泡量低于传统表面活性剂Tween-80的1%,在工业清洗、光刻胶显影等领域中具有巨大的应用潜力.

纳米金属氧簇EUV光刻胶及其性能影响因素

随着半导体行业的发展,先进电子技术亟需更高电子元件密度的集成电路(integrated circuit,亦称积体电路).在集成电路光刻技术(photolithography,亦称微影技术)中,图案化特征结构的尺寸主要取决于曝光光源的波长.为将图形化尺寸推到更小的极限,曝光光源的波长从紫外发展到极紫外.近年来,波长为13.5 nm的极紫外光(extreme ultraviolet,EUV)成为新一代光刻技术的光源,是实现10 nm及以下制程的关键因素.除光源和光刻机外,光刻胶(photoresist,亦称光阻)也是决定图案化特征尺寸的重要因素,其关键性能指标包括分辨率、灵敏度、线边缘粗糙度和线宽粗糙度等.目前适配于EUV光源的光刻胶主要有聚合物、分子玻璃和金属基材料等几类,其中,纳米金属氧簇EUV光刻胶具备高灵敏度、高分辨率和低粗糙度等性能,成为半导体集成电路行业的研究热点.本文主要介绍近年来纳米金属氧簇EUV光刻胶体系的组成、结构特征及其性能影响因素,采用多种表征手段,从分辨率、灵敏度和粗糙度等角度阐述光刻胶成分结构及环境因素对光刻过程及图案形成的影响,多层次了解其光刻机理及性能平衡策略.