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GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述
被引量:
1
1
作者
彭龙新
邹文静
+1 位作者
孔令峥
张占龙
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第2期121-135,共15页
综合论述了GaAs和GaN微波毫米波的收发多功能芯片、幅相多功能芯片和GaAs限幅放大器集成芯片的发展状况、电路结构和性能特性,简述了收发多功能中的功率放大器和低噪声放大器的设计方法、幅相多功能中数字移相器和衰减器的设计方法,给...
综合论述了GaAs和GaN微波毫米波的收发多功能芯片、幅相多功能芯片和GaAs限幅放大器集成芯片的发展状况、电路结构和性能特性,简述了收发多功能中的功率放大器和低噪声放大器的设计方法、幅相多功能中数字移相器和衰减器的设计方法,给出了限幅低噪声放大器中限幅器的设计参考。
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关键词
砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
氮化镓高电子迁移率晶体管
微波单片集成电路
多功能芯片
低噪声放大器
功率放大器
数控衰减器
数控移相器
开关
GaAs数字电路
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职称材料
题名
GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述
被引量:
1
1
作者
彭龙新
邹文静
孔令峥
张占龙
机构
南京
电子
器件研究所
杭州致善微电子科技有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第2期121-135,共15页
文摘
综合论述了GaAs和GaN微波毫米波的收发多功能芯片、幅相多功能芯片和GaAs限幅放大器集成芯片的发展状况、电路结构和性能特性,简述了收发多功能中的功率放大器和低噪声放大器的设计方法、幅相多功能中数字移相器和衰减器的设计方法,给出了限幅低噪声放大器中限幅器的设计参考。
关键词
砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
氮化镓高电子迁移率晶体管
微波单片集成电路
多功能芯片
低噪声放大器
功率放大器
数控衰减器
数控移相器
开关
GaAs数字电路
Keywords
GaAs pHEMT
GaN HEMT
MMIC
LNA
power amplifier
digital control attenuator
digital control phase shifter
switch
multifunctional chip
GaAs digital circuits
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
TN722.72 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述
彭龙新
邹文静
孔令峥
张占龙
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023
1
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职称材料
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参考文献
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