糖基化扫描方法分析KvAP通道电压感受器S3-S4在膜中所处位置

目的探讨分析KvAP通道电压感受器S3-S4在膜中所处的位置。方法采用膜拓扑结构分析和糖基化扫描方法,对KvAP通道的电压感受器S3-S4在膜中所处位置进行分析。结果 KvAP通道中,S3以Ncyt/Cexo方式插入到膜中,其C端终止于G4,S4以Ncyt/Cexo方式插入到膜中,其N端终止于G40。G4及G40均位于人工插入的G-loop中。结论 KvAP通道S3片段的C端与S4片段的N端位于膜内,电压感受器S3-S4可能为非跨膜片段,S3位于膜的中间;此结果与电压门控机制中的KvAP模型一致。

Shaker通道电压感受器S3-S4片段末端氨基酸分析

目的探讨分析传统Shaker通道电压感受器S3-S4在膜中所处的位置。方法采用膜拓扑结构分析和糖基化扫描方法,对传统Shaker通道的电压感受器S3-S4在膜中所处位置进行分析。结果 Shaker通道中,S3以Nexo/Ccyt方式插入到膜中,其C端终止于T329,S4以Nexo/Ccyt方式插入到膜中,其N端终止于L358。结论 Shaker通道电压感受器S3-S4为跨膜片段,与电压门控机制中传统的Shaker模型一致。