1N4626型齐纳二极管的低噪声关键技术研究

分析了二极管的噪声机理和降低噪声的措施,探索了低噪声齐纳二极管的特殊制作工艺,包括Si平面结加保护环、掺氯缓慢升降温氧化、CVD表面钝化、凸点电镀等。用此组合降噪工艺研制的1N4626型齐纳二极管噪声谱密度典型值达到0.11μV/(Hz)^(1/2)(2kHz频率点),比设计指标4.0μV/(Hz)^(1/2)低一个数量级。

ZnO基透明导电薄膜制备方法研究进展

ZnO基透明导电薄膜与掺锡氧化铟薄膜(ITO)相比,不仅性能与其相似,还具有ITO很多无法比拟的优点.因此,制备ZnO基透明导电薄膜成为当今研究热点.综述了ZnO基透明导电薄膜制备方法的研究进展,并对各自的优缺点进行了讨论.

超薄膜生长的Monte Carlo模拟研究

利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明当基底温度从200K变化到260K时,岛的形貌经历了一个从分散生长逐渐过渡到分形生长的过程,并且在较低温度(200K)下,随入射粒子剩余能量的增加,岛的形貌也经历了同样的变化过程.进一步研究证明,随着基底温度的升高或入射粒子剩余能量的增加,沉积粒子的扩散能力显著增强,从而使岛的形貌发生了改变.

缓冲层对LBO晶体上1064nm,532nm增透膜附着力的影响

采用电子束蒸发方法在LBO晶体上制备了无缓冲层和具有不同缓冲层的1064 nm,532 nm二倍频增透膜。利用分光光度计、纳米力学综合测试系统以及调Q脉冲激光装置对样品的光学性能、附着力以及抗激光损伤性能进行了测试分析。结果表明:所有样品在1064 nm和532 nm波长的剩余反射率都分别小于0.1%和0.2%;与无缓冲层样品相比,预镀Al2O3缓冲层样品的附着力提高了43.1%,具有SiO2缓冲层样品的附着力显著提高,而MgF2缓冲层的插入却导致薄膜附着力降低。应用全塑性压痕理论和剪切理论对薄膜的附着力增强机制进行了分析。薄膜的抗激光损伤性能分析表明,SiO2缓冲层也有助于改进薄膜的激光损伤阈值。

缓冲层对LBO晶体上1064nm,532nm二倍频增透膜的激光损伤阈值的影响

采用电子束蒸发方法在LBO晶体上制备了无缓冲层和具有不同缓冲层的1064nm,532nm二倍频增透膜.利用Lambda900分光光度计和调Q脉冲激光装置对样品的光学性能和抗激光损伤性能进行了测试分析.结果表明,所有样品在1064nm和532nm波长的剩余反射率都分别小于0.1%和0.2%.与无缓冲层样品相比,采用SiO2和MgF2缓冲层薄膜的激光损伤阈值分别提高了23.1%和25.8%,而Al2O3缓冲层的插入却导致薄膜的激光损伤阈值降低.通过观察薄膜的激光损伤形貌,分析破斑的深度信息和电场分布,表明LBO晶体上1064nm,532nm二倍频增透膜的激光损伤破坏主要表现为膜层剥落,激光产生的热冲击应力使薄膜应力发生很大变化,超过膜层之间的结合而引起膜层之间的分离.采用SiO2或MgF2缓冲层可改进Al2O3膜层的质量,从而有利于提高薄膜的激光损伤阈值.

不同晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究

利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了四方和六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明,基底晶格结构对薄膜生长具有明显影响.当基底温度为300K、入射粒子剩余能量为0时,四方晶格基底上薄膜的生长已经呈现明显的凝聚生长,随着基底温度或入射粒子剩余能量的增加,岛的数目变少、岛的平均尺寸变大.对于六方晶格基底,当入射粒子剩余能量为0、温度从300K升高到350K时,岛的形貌从分散生长向分形生长转变;当基底温度为300K、入射粒子剩余射能量从0上升到0.05eV时,岛由分散生长向分形生长转变.

六方晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究

利用Monte Carlo(MC)方法,模拟研究了六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与薄膜覆盖度以及入射粒子沉积速率之间的关系.结果表明在基底温度为300K时,岛的形貌主要表现为分形生长,随着薄膜覆盖度的增加,岛的分形枝簇变大,岛的数目不断减少.在同样的温度下,随着入射粒子沉积速率的增大,薄膜表面的形貌逐步由少数聚集型岛核分布状态向众多各自独立的离散型岛核分布状态过渡.进一步研究得出,薄膜覆盖度和入射粒子沉积速率对粒子扩散能力的影响最终导致岛的形貌发生了改变.

基底显微结构对薄膜生长影响的Monte Carlo模拟研究

利用Monte Carlo方法研究了基底显微结构对薄膜生长的影响.对不同显微结构基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和尺寸与薄膜覆盖度和入射粒子沉积速率之间的关系进行了模拟和分析.模型中考虑了粒子沉积、吸附粒子扩散和蒸发等过程.结果表明,基底显微结构对薄膜生长具有明显影响.当沉积温度为300 K、沉积速率为0.005 ML/s(Mono1ayer/second,简称ML/s)、覆盖度为0.05 ML时,四方基底上薄膜生长呈现凝聚生长.随着覆盖度增加,岛的尺寸变大,岛的数目减少.而对于六方基底,当覆盖度从0.05 ML变化到0.25 ML时,薄膜生长经历了一个从分散生长过渡到分形生长的过程.无论是四方还是六方基底,随着沉积速率的增加,岛的形貌由少数聚集型岛核分布状态向众多各自独立的离散型岛核分布状态过渡.

蒙特卡罗方法模拟PVD薄膜生长的研究进展(综述)

综述了蒙特卡罗方法模拟物理气相沉积薄膜生长的研究进展.特别对基底的表面形貌、结构缺陷、沉积温度等因素对薄膜生长影响的蒙特卡罗方法模拟的研究进展进行了分析和归纳.最后对蒙特卡罗方法模拟薄膜生长的研究进行了展望.

Zn缺陷对ZnO薄膜光学特性的影响

采用射频磁控溅射方法在熔石英玻璃衬底上制备了ZnO薄膜.薄膜的X射线衍射(XRD)分析表明样品具有较好的结晶性和良好的c轴取向.光致发光(PL)性能分析发现,分别在398 nm和470 nm波长出现了较强的发光峰,与ZnO薄膜通常的发光峰位置明显不同.通过分析表明,398 nm波长的发光峰是由于导带电子跃迁到Zn空位引起,470 nm波长的发光峰是由于间隙Zn电子跃迁到Zn空位上而产生.

基于C8051f040的CAN与SMBus协议适配器

设计了一种基于高性能C8051f040单片机的CAN与SMBus协议适配器系统。介绍了C8051f040单片机内部CAN控制器与SMBus协议的特点及适配器的工作原理,并给出了软硬件的设计思想和具体实现方法。实际测试表明:上位机通过该适配器系统与焊机进行数据通信,对数据进行处理,很好地实现了对汽车生产线焊机智能控制的目的。该系统具有抗干扰性好,工作效率高,使用方便等优点。

单模压缩奇偶相干态的四次方压缩特性

用单模压缩算子作用在单模奇偶相干态上即可得到单模压缩奇偶相干态.本文研究了这类量子态的四次方压缩特性,结果表明单模压缩奇偶相干态存在很强的四次方压缩特性,并且压缩程度随着压缩参量r的增大而增强.

LBO晶体上1064nm,532nm二倍频增透膜的制备和性能

采用电子束蒸发方法在三硼酸锂(LBO)晶体上制备了1064 nm,532 nm二倍频增透膜。利用Lambda900分光光度计、MTS Nano Indenter纳米力学综合测试系统以及调Q脉冲激光装置对样品的光学性能、附着力和激光损伤阈值进行了分析测试。结果表明,通过多次实验,不断改进薄膜沉积工艺条件,在LBO晶体上获得了综合性能优异的二倍频增透膜。样品在1064 nm,532 nm波长的剩余反射率分别为0.07%和0.16%,薄膜粘附失效的临界附着力和激光损伤阈值分别为137.4 mN和15.14 J/cm2,薄膜激光损伤发生在Al2O3膜层。

纳米微晶结构氧化锌中激子发光的研究进展

由于ZnO具有大的激子束缚能,有利于在室温下获得高效稳定的紫外辐射。因此,对ZnO激子发光的研究极有希望解决半导体照明、紫外半导体激光器等多种技术面临的瓶颈问题。综述了ZnO中激子的典型光致发光谱、激子的结构及复合发光过程。重点介绍了温度、激发功率、量子限域效应以及激光辐照等因素对ZnO激子发光的影响。

p型ZnO薄膜制备和掺杂的研究进展

ZnO作为第三代半导体功能材料,一直受到国内外的广泛关注。高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。综述了获得p型ZnO薄膜的制备方法和掺杂技术的研究进展,讨论了目前生长高质量的p型ZnO薄膜存在的困难,并对不同方法制备的p型ZnO薄膜的特点进行了比较分析。