第一原理计算稀磁半导体(In_(1-x)Mn_x)As的晶格常数,磁性和电子结构

用紧束缚近似线性Muffin-tin轨道的方法计算了稀磁半导体(In1-xMnx)As(x=1/2,1/4和1/8)的晶格常数,磁性和电子结构.给出了Mn掺杂浓度的变化对(In1-xMnx)As的晶格常数,磁性和电子结构的影响.

第一性原理对GanNn(n=2～5)小团簇的结构及电子性质的研究

利用密度泛函理论的B3LYP方法在6-31G^＊的水平上对GanNn（n=2～5）团簇的结构进行优化，得到了GanNn（n=2～5）团簇的最稳定结构．并对最稳定结构的电子性质、成键特性和极化率进行分析．结果表明，团簇的最稳定结构为平面结构，且存在着N2和N3单元，说明N—N键在团簇的形成过程中起着决定性的作用；能隙间隔为1．776～3．563eV，表明GanNn（n=2～5）团簇已具有了半导体的性质．

第一性原理计算Li2BeN（N=1-10）团簇的最低能量结构及其电子性质

本文从第一性原理出发，利用密度泛函理论（DFT）计算了Li2BeN（N=1-10）团簇的最低能量结构及其电子性质，计算结果表明，Li2BeN（N=1-10）团簇最低能量结构的对称性与单一成分的铍团簇相比有所下降，能量二阶有限差分随团簇尺寸的增加出现了奇偶振荡现象。从结构稳定性上来看，N=9是Li2BeN（N=1-10）团簇的一个幻数，我们同时发现了团簇中从Be到Li的电荷转移以及小的Li2Ben（N≤6）团簇中类范德瓦尔斯相互作用和共价相互作用共存的现象。

激光电源的单片机控制系统

叙述了以80C51为核心的激光电源单片机控制系统,系统软件采用模块化结构,具有自检、显示、键盘控制、保护电路、温度控制、光功率反馈等功能。本系统将所有数据处理及功能实现集成于80C51和7128两个芯片内,大大提高了对激光电源的保护性控制和精密控制,提高了对弧光放电等高频扰动的抗干扰能力,整体设计简单、明了。

第一性原理计算MgBeN（N=1～7）团簇的最低能量结构及其电子性质

本文从第一性原理出发，利用密度泛函理论（DFT）计算了MgBeN（N=1—7）团簇的最低能量结构及其电子性质．计算结果表明，MgBeN（N=1—7）团簇最低能量结构的对称性与单一组分的镀团簇相比有所降低，Mg-Be最近邻原子间距和能隙随团簇尺寸的增加出现了振荡现象，从结构稳定性上来看。N=3是MgBeN（N=1—7）团簇的一个幻数。

试论21世纪物理专业《光学》之教学改革

本文从《光学》的教材建设、教学内容和教学方法等方面阐述了 2 1世纪物理专业知识的培养对《光学》教学改革的要求。

21世纪物理专业知识的培养对《原子物理学》教学的要求

本文从原子物理学的教学内容和教学方法等方面的改革阐述了 2 1世纪物理专业人才能力。

稀磁半导体(Ga_(1-x)Fe_x)As的电子结构,磁性及其稳定性的第一性原理研究

采用基于第一性原理的紧束缚近似线性muffin-tin轨道(TB-LMTO-ASA)的方法,在原子球近似的基础上计算了均匀掺杂的稀磁半导体(Ga1-xFex)As在各掺杂浓度下(x=1,1/2,1/4和1/8)的总能量,由能量最低原理得到其在各稳定点的晶格常数,磁性及相应态密度.计算结果表明了(Ga1-xFex)As的晶格常数随掺杂浓度的增大而减小,在各掺杂浓度下(除x=1)样品都是反铁磁态的,Fe 3d和As 4p之间杂化是引起样品电子结构和磁性变化的主要原因.

紫细菌外周捕光天线LH2中的超快光物理

采用飞秒泵浦-探测技术研究了紫细菌外周捕光天线LH2中的超快光物理过程,在天然LH2中,B800到B850分子之间的能量传递时间在0.65ps左右;在B800主吸收带的兰侧激发时,观察到一个约400fs的超快弛豫过程,可归属于B800分子之间的能量分布过程;在848nm激发时观察到150fs的超快相归属于位于B850的激发能向其近邻分子的离域过程,几个皮秒的快相归属于激发能在次最低激子态和最低激子态间的分布过程.

纳米SnO_2与α-Fe_2O_3复合氧化物光电特性研究

用Sol gel法制备了SnO2与α Fe2O3复合氧化物纳米粒子,并用XRD、紫外可见吸收光谱(UV)、表面光电压谱(SPS)以及场诱导表面光电压谱(FISPS)进行了分析和表征.XRD结果证实所制备为两种材料的复合氧化物的纳米粒子;紫外可见吸收表明吸收随两种氧化物复合比例的改变有较大的变化;FISPS发现复合材料的光伏响应强度随所加正电场的增加而增加,最大强度可增加50～60倍,随所加负电场的增加而大大减弱.

运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究

对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述,系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质.研究了半导体能带隙所表现出的特有性质.

谈电子技术课教学中对学生创造性思维的培养

在电子技术课教学中通过思疑联想，求异变通等方法加强学生发散性思维的训练及通过抽象，比较等方法加强聚合性思维的训练是培养其创造性思维的关键。

高等院校物理专业教育技术应用的现状与对策研究

在对高等院校物理专业教育技术应用现状进行调查研究的基础上,指出目前高等院校物理专业教育技术存在资料陈旧,缺乏层次,应用中目的性差,软、硬件设施落后等问题,有针对性地对高校物理专业教育技术的应用和提高提出对策和建议.

现代防伪印刷技术中的物理方法

对现代防伪印刷技术中的物理方法进行了初步的分类和总结,介绍了多种新型防伪技术。

现代防伪技术中的数字信息编码

本文对数字信息编码进行了分类,探讨了固定编码及随机编码的特点及应用。

光聚物材料中布喇格偏移的动态分析

对光致聚合全息存储材料光化学反应过程和引起布喇格偏移的因素进行了分析,通过理论推导,得到了曝光时间与布喇格偏移量的关系·实验曲线表明,材料的布喇格偏移先是随着曝光量的增加而增加,最后达到饱和值·实验的结果与理论分析进行比较,两者符合较好,说明对于布喇格偏移随时间变化动态过程的分析比较合理·

维生素K_3的表面增强拉曼光谱研究

首次报道了维生素K3 (VK3 )分子的常规拉曼光谱 (NRS)及该分子在活性衬底银镜上的表面增强拉曼散射 (SERS) ,并对它的拉曼特征谱带进行了初步的指认和归属。通过对比VK3 的常规拉曼光谱和SERS谱 ,发现VK3 分子吸附在银表面后拉曼散射强度被大大增强了。另外 ,VK3 的羰基与银粒子发生电荷转移后形成负离子自由基 ,碳氧双键打开。受VK3 分子吸附在银镜表面的影响 ,萘环结构发生了很大的扰动 ,导致一些拉曼特征峰产生位移 ,环变形振动对应的拉曼散射强度得到了增强。这些研究结果为SERS技术今后对VK3进行药物检测以及痕量分析方面的应用提供了依据。

高分辨率蓝光光学显微测量系统

本系统用波长为405nm的超亮度蓝色发光二极管作为光学显微镜的照明光源,结合CCD图像传感技术和图像采集技术,实现了对显微图像的实时观察和存取的计算机化。观察到的DVD盘片的清晰显微图像表明,其光学分辨率优于400nm。运用自编的图像分析软件对采集到的CD-RW光盘图像进行分析和标定,测定其道间距为1.6μm。因此,本系统在显微观测领域,特别是对观测和分析接近普通光学显微镜分辨极限尺寸的微结构,有重要的实用价值。

一种半导体激光器驱动电源的设计

根据半导体激光器的光功率与电流的关系,通过慢启动电路,纹波调零电路,功率稳恒电路等解决了使用中在工作温度范围内其输出功率不稳定的问题。本文设计的电路稳定度达到4×10-4。

一种核黄素敏化的宽带全息记录材料

制备了一种核黄素敏化的以聚乙烯醇为基质的新型全息存储材料,并研究了材料的全息特性.用Ar+激光器激发的488 nm的蓝光对材料曝光,结果表明该材料具有较高的衍射效率和曝光灵敏度,衍射效率高达53 %,灵敏度为3 .3 cm2/J ,折射率调制度为4 .5×10-4.研究了材料的透过率与随时间和入射角度变化的关系,说明在曝光记录过程中有噪音光栅生成.在存储介质膜中存储了全息图像,再现图像较为清晰,说明该材料适合用作高密度全息存储介质.