具有局部Kelvin Voigt型阻尼的波动方程的全局吸引子问题

局部KelvinV oigt阻尼的特点为仅在边界的一部分上存在有效结构性阻尼且该阻尼是无界的,这致使很难使用经典的无穷维动力系统理论来研究具有局部KelvinV oigt型阻尼的波动方程的长时间行为。文章基于一致稳定性估计通过验证解半群的拟稳定性质来证明有限维全局吸引子的存在性。

基于DEA-Malmquist的河南省科技创新效率研究

基于2014-2019年科技创新投入与产出面板数据,利用DEA-Malmquist方法对河南省18个地级市的科技创新效率进行量化评价,分析其影响因素。研究发现:科技创新产出呈现分化特征,其中专利产出和科技成果转化平稳增长,论文数量呈V型态势;区域科技创新综合效率不高,2017年后地区间静态效率分化明显,大多处于非效率状态;样本期间技术效率是支撑TFP增长的核心因素,部分地区达到效率状态。对比分析发现动态测算效果优于静态测算。最后提出了相应的对策建议。

超声表面滚压对氢化钛烧结纯钛显微组织及性能的影响

采用超声表面滚压技术对氢化钛烧结纯钛进行表面强化,并借助X射线衍射、电子背散射衍射、扫描电镜和透射电镜分析滚压后纯钛的微观组织演化及性能影响。结果表明,滚压后组织呈梯度变化,最外表面晶粒为等轴纳米晶,尺寸约100 nm;随距表面距离增大,晶体组织依次为块状晶、层片状组织及等轴粗晶,塑性变形层厚度可达400μm。滚压后表面硬度提高了36%,表面粗糙度显著降低,滚压后引发的晶粒细化和残余应力有助于产生致密的钝化膜,提高了耐腐蚀性能。滚压后抗拉强度和屈服强度为640 MPa、485 MPa,分别提高了32%和27%,但延伸率有所下降,断口形貌总体仍表现为韧性断裂。

铁基粉末冶金材料表面滚压致密化效果及组织演变

采用不同滚压压力对不同密度的Fe–2Cu–0.6C粉末冶金材料进行表面滚压加工,研究材料密度和滚压压力对致密化效果的影响。结果表明:滚压压力和材料密度是影响表面致密化效果的主要因素。随着滚压压力的增加,致密层厚度和表面硬度显著增加。材料密度对表面致密化效果的影响随着滚压压力的增加而减弱。当滚压压力较小时,致密层厚度和表面硬度随着材料密度的增加而增加;当滚压压力较大时,不同密度材料表面硬度和致密层厚度接近。滚压后表面层珠光体沿滚压方向弯曲,靠近表面的层片间距变小,部分区域层片发生扭折,出现波浪形,甚至部分渗碳体破碎断裂;铁素体细化,沿着滚压方向弯曲,在铁素体晶粒边界存在大量位错纠缠和位错墙。铁素体细化和珠光体变形为表面强化提供了有利的条件。

关于R-融合框架丢失问题

给定一个Hilbert空间中的R-融合框架,考虑移除一组元素后所产生的序列在什么条件仍是R-融合框架,即R-融合框架丢失问题。特别地,利用一个特殊的有界线性算子等价地刻画了一个给定的R-融合框架,并应用该结果给出了丢失后所产生的R-融合框架的框架界。

由弱H-Hopf模代数构造Rota-Baxter代数

给出弱H-Hopf模代数的定义及其构造定理,进而由弱H-Hopf模代数出发构造Rota-Baxter代数并提供具体的例子。

具有时滞反馈的FitzHugh–Nagumo模型的Hopf分岔分析

采用时滞微分方程的定性理论,对具有时滞反馈的Fitz Hugh–Nagumo神经元模型进行了理论分析,给出了时滞引起平衡点Hopf分岔的存在性以及局部稳定性条件,并采用中心流形约化和规范型方法给出了Hopf分岔出周期解的稳定性,该结果给出了时滞调控Fitz Hugh–Nagumo神经元不同动力学行为的参数范围,为认识时滞反馈调控神经元电活动的作用提供理论依据。

电解质盐LiPF6制备工艺研究进展

六氟磷酸锂是现有锂离子电池电解质中综合性能最好的一种电解质盐。介绍了国内外六氟磷酸锂主要制备工艺,并对这些工艺路线的优缺点进行了分析。综述了近年来传统HF法制备六氟磷酸锂生产技术的改进情况和新工艺的研究进展,最后对六氟磷酸锂今后的制备工艺的改进和创新进行了展望。

应用型本科院校大学物理课程思政教学设计及探索——以静电场中的导体为例

大学物理是一门理论性和实践性很强的学科,是工程技术的基础,可以成为高新产业快速发展的动力与源泉.将思想政治教育融入到大学物理的教学过程中,在传授课程知识的基础上引导学生将所学到的知识和技能转化为内在的德性和素养,注重将学生个人发展与社会发展、国家发展结合起来,激发学生为国家学习、为民族学习的热情和动力,帮助其在创造社会价值过程中明确自身价值和社会定位.

兴奋性和抑制性自反馈压制靠近Hopf分岔的神经电活动比较

突触输入刺激神经元产生的电活动,在神经编码中发挥着重要作用.通常认为,兴奋性输入增强电活动,抑制性输入压制电活动.本文选取可调节电流衰减速度的突触模型,研究了兴奋性自突触在亚临界Hopf分岔附近压制神经元电活动的反常作用,与抑制性自突触的压制作用进行了比较,并采用相位响应曲线和相平面分析解释了压制作用的机制.对于单稳的峰放电,快速和中速衰减的兴奋性自突触分别可以诱发频率降低的峰放电和混合振荡(峰放电与阈下振荡的交替),而中速和慢速衰减的抑制性自突触也可以分别诱发频率降低的峰放电和混合振荡.对于与静息共存的峰放电,除上述两种行为外,中速衰减的兴奋性和慢速衰减的抑制性自突触还可以诱发静息.兴奋性和抑制性自突触电流在不同的衰减速度下,分别作用在峰放电的不同相位,才能诱发同类压制行为.结果丰富了兴奋性突触压制电活动反常作用的实例,获得了兴奋性和抑制性自突触压制作用机制的不同,给出了调控神经放电的新手段.

高等数学课程思政教学案例探析

课程思政是目前我国高校思想政治工作的一种全新理念和模式,其要求是在向学生传授专业知识的同时,积极进行思政教育,实现润物无声的教育效果。课程思政的关键在于找准切入点。文章通过挖掘高等数学典型案例的思政元素,探索将思政教育与专业教育有机融合的方法和路径,以更好达到知识传授与价值引领齐头并进的效果。

基于MATLAB的随机性数学思维培养的探索与实践

随机性无处不在,揭示其背后隐藏的规律性并用来解决实际问题是概率论与数理统计的核心任务,已被成功应用于多个领域,如金融投资组合、智能优化算法等。在概率论与数理统计课程的授课过程中有效融入MATLAB实验,让学生在折腾中探索规律,在真实情景中感受知识的落地,势必会激起他们的好奇心和创新意识,对培养其随机性数学思维能力无疑是一条行之有效的途径。

R软件在概率论与数理统计课程教学中的应用

概率论与数理统计是高校计算机专业的一门重要专业基础必修课程,但其大量抽象难懂的理论概念让不少学生望而却步。为了激发学生的学习兴趣,在概率论与数理统计课堂教学中引入了R软件,并基于该软件给出计算圆周率近似值的实验设计。实践证明:引入实验教学可以提高学生学习的积极性,让学生认识到概率论与数理统计知识的实际应用意义,同时也提升了学生的创新能力和分析问题、解决问题的能力。

基于第一性原理对β-ThSi_(2)力学和电子性质的研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对β-ThSi_(2)晶体的晶格结构、弹性性质和电子能带结构进行了研究。通过对其弹性常数和弹性模量的计算,分析了晶格结构稳定性、相关的力学性质以及弹性各向异性;通过电子结构的计算,研究了电学性质和成键特性。

工科类地方院校大学物理多元化课堂教学改革

大学物理教学对工科学生综合素养以及科技创新能力的提高起着重要作用.结合工科类地方院校大学物理授课现状,分析了物理教学中存在的问题,并结合教学实践,从4个方面深入地探讨了物理课堂教学模式和方法改革,达到了提高学生自主参与物理课堂的积极主动性,对工科院校大学物理教学质量的提升具有借鉴意义.

非广延气体中分子碰撞频率和平均自由程的研究

从非广延统计力学出发,给出非广延气体双粒子分布函数的形式,并推导出相对速率的分布公式。又分析了分子的碰撞频率和平均速率,得到了在非广延理论框架下的数学结果,进而给出了平均自由程的表达式。数值计算表明,当非广延参数大于1时,分子碰撞频率随着参数增加而急剧增加,平均自由程则快速趋于零。这是由分子间吸引力导致的正向关联。当非广延参数小于1时,碰撞频率随着参数减小而明显下降,同时平均自由程明显增加。这是由分子间斥力导致的逆向关联。

大学物理虚拟仿真实验的内涵分析与课程定位研究

从物理学理论与实验的关联和应用发展角度挖掘大学物理虚拟仿真实验的内涵,指出其与普通物理实验的共有属性,即增强感性认识、培养动手能力、激发创新精神的属性,同时指出其作为仿真软件的特有属性,即低成本、易实现、单次开发属性.根据内涵分析,进一步研究虚拟仿真实验在大学物理实验课程体系中的地位,指出它在以应用型、创新型合格本科人才培养战略中的重要定位,及它在新型在线教育综合云平台搭建中的基础作用.

大学物理实验教学中课程思政教学实施

基于大学物理实验课程3个教学环节的教学实践,对实验课程思政建设的方法进行了探索,并以液体表面张力系数测量实验为实例展示具体实施细节.同时,也对课程思政建设中存在的一些问题进行了思考.以期为高校大学物理实验课程教学提供一定的借鉴.

能带调控对三元哈斯勒半金属材料TiIrBi结构和热电特性的影响

采用第一性原理的方法,系统研究了外力调控下TiIrBi的电子结构以及热电特性。结果表明,TiIrBi是一种直接带隙的半导体材料,对其施加外力,在应变从-4%到4%的过程中,带隙减小,电子结构得到调控。当压缩应变ε=-1%时,TiIrBi的电子结构由直接带隙变化为间接带隙。施加压缩应变时,热电性能明显提高,热电优值达到0.96,n型掺杂影响显著。因此,压缩应变调控了TiIrBi的电子结构,提高了TiIrBi的热电性能。

外力对三元哈斯勒半金属ZrIrSb电子结构和光学性质影响的第一性原理研究

采用密度泛函理论研究了应变对三元哈斯勒半金属材料ZrIrSb电子结构和光学性能的影响。计算结果表明,未加外力时,ZrIrSb的晶格常数与实验所测结果吻合较好。应变从-5%到5%的变化过程中,带隙逐渐减小,当拉伸应变ε=2%时,ZrIrSb的能带结构由间接带隙转变为直接带隙,并结合物理知识分析了带隙发生变化的原因。计算了材料在不同应力下的光学性质,讨论并分析了由于电子结构的变化而引起光吸收增强、吸收边发生红移的现象。应变影响了ZrIrSb的电子结构,提高了ZrIrSb的光学性能,为ZrIrSb在光电子器件实际应用中性能提高提供了理论依据。