图像信息获取中的光电子技术

光电子和微电子技术是目前信息领域中两大核心技术 .信息技术的首要任务是完成信息的获取 ,特别是图像信息的获取 .本文介绍利用光电子技术获取图像信息的原理、特点及应用等 .

探讨光电子产业的创新改革

光电子是在传统的光学技术以及现代光电子科学的融合体。其对我国的发展和进步其中非常重要的作用。我国要对其进行不断创新与改革。在进行创新发展的时候,还要对企业产品的生命周期进行准确的估测,对知识产权给予足够的关注,不断的进行创新与改革,选择新的适合企业自身发展的管理经营模式等等。只有在光电子企业不断创新发展的基础上,我国的经济才会有更加快速的发展,才能持续提高我国的综合国力,才能不断提升我国在国际上的地位。

基于不同散热模式LED的光电热特性研究

本文分析了中小功率LED新型散热模式——垂直散热的潜在优点。与传统散热模式——水平散热相比,新型垂直散热LED具有亮度高、散热快、光衰小、稳定性高等优点。本文对不同散热模式LED的结构、散热方式、光衰及色坐标漂移进行了分析对比,并进行热特性模拟和实验测试分析。从散热、可靠性、稳定性及体积、成本等方面研究了基于垂直散热结构的LED光电热特性。认为垂直散热结构的中小功率LED是目前照明应用的优秀光源。

基于不同散热模式LED的光电热特性研究

本文分析了中小功率LED新型散热模式——垂直散热的潜在优点。与传统散热模式——水平散热相比．新型垂直散热LED具有亮度高、散热快、光衰小、稳定性高等优点。本文对不同散热模式LED的结构、散热方式、光衰及色坐标漂移进行了分析对比，并进行热特性模拟和实验测试分析。从散热、可靠稳定性及成本体积等各个方面研究了基于垂直散热结构的LED光电热特性。指出垂直散热结构中小功率LED是目前应用照明光源的发展趋势。

大功率LED的封装及其散热基板研究

从解决大功率发光二极管散热和材料热膨胀系数匹配的角度,介绍了几种典型的封装结构及金属芯线路板(MCPCB)的性能,并简要分析了其散热原理。最后介绍了等离子微弧氧化(MAO)工艺制作的铝芯金属线路板,低成本、低热阻、性能稳定、便于加工和进行多样结构的封装是其突出优点。对采用MAO工艺的MCPCB基板封装的瓦级单芯片LED进行了热场的有限元模拟,结果显示其热阻约为10 K/W;当微弧氧化膜热导率由2 W.m-1.K-1升高到5 W.m-1.K-1时,热阻将降至6 K/W。

一种发光二极管模型中无序光子晶体对光输出影响的研究(英文)

利用Order-N算法及超晶格技术讨论了位置无序及尺寸无序对石墨点阵柱状光子晶体光子带隙的影响·计算结果表明,对于电场偏振模,光子带隙对尺寸无序更加敏感·在此基础上,利用三维时域有限差分方法进一步讨论了无序光子晶体对石墨点阵柱状中心柱光子晶体GaN发光二极管模型光输出效率的影响·计算结果表明,无序对这种光子晶体发光二极管模型光输出效率的影响较小。

用于电子束参数测量的高速分幅相机

具有时间分辨能力的高能强流电子束束流参数测量需要高速的分幅相机,其幅间间隔时间要求达到10ns的水平,每幅曝光时间不大于5ns。针对这种难度较大的应用要求,结合快速电子技术、图像增强技术、光学分光技术等多门学科的成果,成功研制了一台可用于高能强流电子束束流参数的时间分辨测量的高速分幅相机,图像幅间间隔时间最快到达10ns,最小的曝光时间为3ns,一次可以拍摄8幅图像,图像分辨率为1376×1035,标准幅面可以达到Φ80mm,完全满足了目前的测量要求。

碳纳米管场发射特性研究

从Fowler Nordheims理论出发 ,对实验中测得的碳管场发射中ln(I/V2 )～ 1/V并不是严格的线性关系进行了分析 ,认为主要是碳管吸附态 (主要是水蒸气 )的改变引起有效功函数改变 ,同时随着发射电流的增大 ,个别较长碳管表面的突起在残余气体离子轰击下变得平滑甚至缩短 ,热熔化也可能造成碳管缩短 .另一方面 ,随着电场强度的增大 ,较短碳管的场发射对总发射电流的贡献也相对提升 这些因素都会造成场发射中F

纳米颗粒在穿透血脑屏障研究中的应用

阐述纳米颗粒在血脑屏障相关的脑部疾病研究中的进展,分析应用在血脑屏障研究中的几类纳米颗粒,分别对治疗、诊断/追踪及多功能纳米颗粒的材料组成、功能特点和应用现状进行评述.介绍在靶向纳米颗粒穿透血脑屏障可视化研究中的成果,指出纳米颗粒在血脑屏障研究中的发展方向.

硅微通道板电子倍增器的研制

阐述了新一代硅微通道板的主要性能。采用定向离子深度刻蚀技术在2和4硅片上刻蚀了四组不同直径的硅微通道板微孔阵列,分别采用PECVD技术和液体化学沉积两种方法制作了硅微通道板的连续打拿极,从而探索了研制新一代硅微通道板的途径。利用紫外光电法测试了硅微通道板的增益和增益均匀性。实验结果表明,如果进一步改进制备工艺,硅微通道板可以实现较传统微通道板更高的增益和更好的增益均匀性。

基于RBF神经网络的图像融合复原方法研究

提出了一种基于径向基函数(RBF)神经网络的多通道图像数据融合复原方法,研究了该方法在多光谱图像复原上的应用.将软竞争学习策略和自适应调整隐节点相结合对网络进行优化训练.利用多光谱卫星图像数据,对所提出的方法进行仿真实验.实验结果表明该融合复原方法提高了复原图像的质量;改进后的学习算法能够保证学习准确度和较短的训练时间;实验还表明RBF神经网络的多通道复原和单通道复原、传统的维纳滤波及最大后验概率方法相比,在改善图像像质上具有明显的优越性.

传感用光纤光栅写入技术的研究和发展

为克服目前传感应用领域借用传感性能并不优异的通信用光纤光栅的不足 ,在总结传感用光纤光栅制作技术的特点和要求基础上 ,对近年来传感用光纤光栅的制作技术进行了系统回顾 ,具体分析了耐高温、高机械强度、增敏 /去敏等常见传感用布喇格光纤光栅的写入技术以及紫外曝光、机械变形、红外激光逐点写入等传感用长周期光纤光栅的制作方法 ,最后对传感用光纤光栅制作技术的发展方向进行了预测。

栅极和阴极的相对高度对电子传输比的影响

用边界元法 (BEM)和MonteCarlo方法 ,对一种基于碳纳米管场发射大面积彩色平面型显示器的电子传输比进行了理论分析 ,通过模拟跟踪发射电子轨迹 ,证实改变阴极和栅极的相对高度 ,可以较大幅度地提高电子传输比 阳极上电子的分布证实 ,我们设计的显示器结构能够满足高分辨率、高亮度的显示的要求 ,而且驱动电压低 ,工艺简单 。

一种新型微束斑X射线源的研究

采用高效长寿命的LaB6 单晶阴极电子枪作为电子束发射系统、轻便的等径双圆筒静电系统作为聚焦系统等技术研究了一种新型台式微束斑X射线源 通过在综合测试仪上的初步实验研究 ,表明该微束斑X射线源不仅可以连续辐射 ,而且可以脉冲辐射X射线 ,输出X射线束斑小、亮度高 此外 ,该台式X射线源具有体积小、重量轻 ,使用寿命长、造价低 。

光学分子成像技术观察纳流芯片对DNA分子的研究(英文)

将λ-DNA与荧光染料YOYO-1结合,利用荧光显微技术对DNA分子在毛细现象作用下进入宽40 nm、深60 nm的纳米沟道内,并在其内部被拉伸以及沿沟道移动的情形进行了观察.讨论了DNA分子在沟道内的运动情况.结合光学分子成像技术与该尺寸范围的纳流芯片,将有助于研究生物分子的动力学和静力学性质.

用于晶体生长的氮化铝保温材料的研究

在不添加任何添加剂的情况下,采用氮化铝粉体作高温气相法生长氮化铝晶体的保温材料。实验结果表明:氮化铝保温材料具有耐高温、对钨坩埚材料没有损伤、使用寿命长、不易在晶体中引入杂质等优点,是一种优良的高温保温材料。与目前常用的石墨保温材料相比较,氮化铝存在热导率相对较高、在高温过程中会少量升华污染炉腔等缺点,在使用中要采取一定的对策,以消除其不利影响。

基于红外上转换原理的MCP-PMT位敏探测器组件研究

针对工作波长为1064nm、脉冲宽度为10～20ns的低占空比激光定向工程应用背景,提出了一种基于电子俘获材料红外上转换、S20光电阴极光电转换,双微通道板电子倍增、四阳极板接收的新型光电倍增管位敏探测器组件新方案.分析和研究了探测器组件原理样机研制过程中的高效能、短余辉红外上转换材料的优化选取、高性能组合光电阴极的设计和制作等关键技术,对原理样机进行了主要性能测试,取得了有效测试数据.对原理样机中存在的技术问题和改进途径进行了分析.

可见光在CsI:Na转换屏中传输的模拟研究

本文用 Monte Carlo方法模拟了 X射线与转换屏作用产生的可见光子在无晶柱和理想晶柱转换屏中的传输过程 ,给出了可见光子在转换屏中的点扩展函数 ,并计算了其 MTF.结果表明 ,晶柱结构的转换屏能有效地改善转换屏的空间分辨特性 .同时 ,本文还给出了转换屏的转换效率及传输效率与球管电压。

二维嵌套复式结构声子晶体的带隙研究

用小尺寸多圆柱阵列替代简单晶格中的每个单圆柱基元,构成一种全新的嵌套复式正方周期结构二维声子晶体。借助于平面波法计算了其带隙结构,得出了带隙分布图,讨论了基元阵列的内组合方式及总填充率对带隙范围和带隙数目的影响,并与简单晶格进行比较,从理论上验证了嵌套复式声子晶体利用小尺寸圆柱阵列展宽带隙及增加带隙数目的可行性。

S i基外延G aN中缺陷的腐蚀研究

本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高.