清华大学魏少军、刘雷波团队的CPU硬件安全技术入选第五届世界互联网大会15项全球领先科技成果

2018年11月7日,第五届世界互联网大会“世界互联网领先科技成果发布活动”在浙江乌镇举行。这是世界互联网大会第三次面向全球发布领先科技成果。在大会主会场,清华大学微电子所所长魏少军教授发布了“CPU硬件安全动态检测管控技术”。这一全新的集成电路硬件安全技术入选本届世界互联网大会15项全球领先科技成果。自2016年以来,世界互联网大会每年都发布由数十位国内外权威专家从全球近千个申报项目中评选出的约15项领先科技成果,这些成果通常被认为代表了当时互联网和信息技术相关领域的最高水平。

微电子封装业和微电子封装设备

介绍了国际和国内半导体封装业的发展情况及几种新颖封装,指出中国即将成为国际半导体封装产业的重要基地之一,这为我国发展半导体封装设备提供了良好的市场前景,例举了有关半导体封装工艺、检测、试验及支撑所需的设备。

一种新颖的微电子封装:圆片级封装

本文介绍了一种当前正在快速发展的微电子器件的新颖封装—圆片级封装(WLP)的定义、主要优缺点、焊盘再分布和植球等主要工艺过程等。

微电子封装的发展及封装标准

分析了当前微电子封装的发展趋势,简要介绍了2002年国际电工委员会年会(北京)47D分组会上讨论和通过的半导体器件封装标准的情况。

微电子封装业在我国的发展

我国应积极发展微电子封装业 微电子器件是由芯片和封装通过封装工艺组合而成,因此封装是微电子器件的两个基本组成部分之一.封装为芯片提供信号和电源的互连,提供散热通路和机械、环境保护.随着微电子技术的发展,微电子器件的高频性能、热能性、可靠性和成本等越来越受封装性能的制约.

浅谈后摩尔定律时期微电子技术的发展

根据理论研究和国际半导体技术发展路线图(ITRS),传统的硅基CMOS正在接近其极限。为了使微电子技术得以继续发展,最近提出了许多基于多种不同机制的新兴器件,它们可能作为下一代的微电子技术的支柱。但是,作为经典的、二能级开关,这些新兴器件也都受到量子力学和热力学的限制。为了克服这两个基本限制,更大的提高ULSI系统的性能,需要发展功能比二值开关更高的器件或者提出新型的、不同于传统的信息处理系统模型。本文将从器件功耗延迟积的角度来讨论这个问题。

微电子封装的发展及封装标准

分析了当前微电子封装的发展趋势，简要介绍了2002年国际电工委员会年会(北京）47D分组合上讨论和通过的半导体器件封装标准的情况。

我国微电子集成电路人才培养基地之一

集成电路产业的发展,创新产品的开发都离不开人才。也需要企业,研究机构,高等院校的紧密结合。本刊将陆续介绍国内外,有关研究机构,高等院校的情况。本期介绍的是我国微电子集成电路人才培养基地之一——清华大学微电子与纳电子系的办学宗旨,教学理念,课程设置以及教学方法等方面的情况。本刊衷心期望其他学校。

磁电子学研究概述

简要介绍了磁电子学的基本概念、研究对象和几种重要效应 ,以及基于这些效应的几种新型器件的工作原理 ,提出了磁电子学研究中的几个前瞻性课题 。

AlGaN/GaN异质结极化行为与二维电子气

AlGaN/GaN异质结及其相关器件因其优越的电学特性成为近几年的研究热点。2DEG作为其特征与材料本身的极化现象关系密切。本文主要从晶体微观结构角度介绍AlGaN/GaN异质结极化现象的产生、机理和方向性,着重讨论极化对异质结界面处诱生的二维电子气的影响。极化不仅可提高2DEG的浓度,而且还能使其迁移率得到提高。

AlGaN/GaN一维模型自洽求解和二维电子气特性研究

实现了一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解,在此基础上求出了AlGaN/GaN异质结导带结构和二维电子气分布。计算结果表明极化效应是形成高浓度电子面密度的主要因素。研究了AlGaN/GaN系统中隔离层厚度对二维电子气浓度的影响,并对计算结果进行了分析。

自旋电子学和自旋电子器件

自旋电子学是近年来发展起来的微电子学和磁学的交叉学科,主要研究自旋极化电流的注入、控制和检测。本文介绍了自旋电子学和器件的研究进展,着重讨论了自旋注入和检测的问题,分析了自旋电子器件研究的核心问题和难点。自旋电子学的研究有着重要的理论意义,自旋器件在信息科学领域也具有十分广阔的应用前景。

金锡焊料及其在电子器件封装领域中的应用

本文介绍了Au80%Sn20%焊料的基本物理性能。同时介绍了这种焊料在微电子、光电子封装中的应用。

基于听觉场景分析的电子听诊器降噪算法研究

针对在医院和救护车等噪声环境下使用的电子听诊器,提出了一种与噪声的类型无关的、基于人耳听觉场景分析的心肺音降噪CASA算法。该算法利用双通道采集到的信号和噪声的能量的不同,模仿人耳提取双通道之间强度差(IID)特征,以此为依据来辨别信号和噪声。再利用声学掩蔽效应,对噪声进行掩蔽,实现目标心肺音的增强。与自适应NLMS滤波相比,CASA的效果要好16 dB以上。

Mn掺杂BST薄膜的制备与表征

采用醋酸水溶液体系溶胶 -凝胶法制备了未掺杂和掺 Mn( )钛酸锶钡 (BST)薄膜。用这种方法 ,可在BST体系中容易地加入任何浓度的金属离子 ,并可在室温下长期保存。根据 X-射线衍射图 (XRD)和表面形貌 ,薄膜的晶化温度取为 6 5 0～ 75 0°C。根据掺 Mn BST的 Mn2 p3/2 X-射线光电子能谱 (XPS)图中 Mn2 p3/2 的峰位置 ,显示出薄膜中 Mn的价态与加入的 Mn( )离子价态相同。根据结合能的峰移 ,可以得到掺 Mn BST的费密能级降低0 .7e V。 I- V特性和介电特性测试表明 ,掺 Mn( ) BST的漏电流明显降低 ,相对的介电常数增加 ,损耗角正切降低0 .0 1。根据漏电性质、介电常数和损耗的关系 ,2 % (摩尔分数 )的 Mn掺杂的 BST薄膜适合于低频小信号 (2 V以下 ,约 5 0 0 k Hz)应用 ,而高浓度的 Mn掺杂适合于大信号较高频率 (1MHz以上 )应用。

CMOS带隙基准源研究现状

带隙基准源是集成电路中的重要单元,输出不随温度、电源电压变化的基准电压或电流。简单介绍了CMOS带隙基准源的基本工作原理;指出了限制其性能的主要因素;分析了低电源电压、低功耗、高精度和高PSRR四种类型的CMOS带隙基准源。

先进的MEMS封装技术

从特殊的信号界面、立体结构、外壳、钝化和可靠性五个方面总结了MEMS封装的特殊性。介绍了几种当前先进的MEMS封装技术:倒装焊MEMS、多芯片 (MCP)和模块式封装(MOMEMS)。最后强调,必须加强MEMS封装的研究。

心电基线漂移去除方法的比较研究

基线漂移可严重影响心电信号的分析与处理。滤波法和拟合基漂法是去除心电基线漂移的两类主要算法。本文讨论了形态滤波、中值滤波、线性相位FIR滤波、小波变换、形态和小波相结合、中值滤波和小波相结合等去除基漂的滤波方法,并与导数法与坐标法这两类基漂拟合方法进行了对比。实验结果表明,滤波法实现简单,但精度较低;分段拟合法去除基漂的效果更好,有自适应的特性而且失真较小。无论是实时性还是准确性,基漂拟合法都比滤波法更有优势;但某些场合下,基漂拟合点的提取十分困难,此时只能使用滤波法。本文比较了基漂去除的常用方法,从而为基漂去除方法的选择提供参考。