CMOS带隙基准源研究现状

带隙基准源是集成电路中的重要单元,输出不随温度、电源电压变化的基准电压或电流。简单介绍了CMOS带隙基准源的基本工作原理;指出了限制其性能的主要因素;分析了低电源电压、低功耗、高精度和高PSRR四种类型的CMOS带隙基准源。

AlGaN/GaN异质结极化行为与二维电子气

AlGaN/GaN异质结及其相关器件因其优越的电学特性成为近几年的研究热点。2DEG作为其特征与材料本身的极化现象关系密切。本文主要从晶体微观结构角度介绍AlGaN/GaN异质结极化现象的产生、机理和方向性,着重讨论极化对异质结界面处诱生的二维电子气的影响。极化不仅可提高2DEG的浓度,而且还能使其迁移率得到提高。

自旋电子学和自旋电子器件

自旋电子学是近年来发展起来的微电子学和磁学的交叉学科,主要研究自旋极化电流的注入、控制和检测。本文介绍了自旋电子学和器件的研究进展,着重讨论了自旋注入和检测的问题,分析了自旋电子器件研究的核心问题和难点。自旋电子学的研究有着重要的理论意义,自旋器件在信息科学领域也具有十分广阔的应用前景。

分簇VLIW结构下利用数据依赖图优化调度的研究

应用的需求促使如今的处理器必须尽可能高地利用程序中所存在的指令级并行度,然而,高指令级并行的硬件和指令调度技术会给寄存器资源带来极大的压力.要在单一寄存器堆的情况下,既维持高的指令级并行度,又保持高的运行时钟频率是一件非常困难的事情,这是因为,当指令级并行度足够高时,在单一寄存器堆情况下,寄存器堆访问端口数目的限制会使得对寄存器堆的访问时间成为制约性能提高的关键因素.为了在利用高的指令级并行度的同时维持高的运行时钟频率,可以将寄存器堆和功能单元划分到不同的簇中.每一个簇中的功能单元可以直接访问簇内的寄存器堆,而簇间的数据交互则需要占用专用的资源来进行.因此,分簇结构下的编译器不仅要通过调度实现最大程序的指令级并行度,还应该对指令的分簇进行细致的安排以限制簇间的数据交互.该文致力于通过对数据依赖图(Data Dependence Graph)分析和划分,从而在最小化簇间的数据交互的同时,平衡各簇的利用情况,提高能够获得的指令级并行度,从而优化分簇式VLIW结构的调度性能.实验结果证明,该文所提出的方法可以极大地减少簇间的数据交互量,提高所能获得的指令级并行度,从而对调度结果的性能加以改善.

人工全膝关节置换术中智能关节内应力测量系统与传统软组织平衡评估方法的比较研究

目的探索新型智能应力测量系统与传统软组织平衡评估方法的相关性。方法采用一种新型的应力分布电子测量系统,在50例全膝关节置换术(TKA)中实时测量不同屈曲角度下关节内应力分布的变化,同时应用传统间隙测量和内外翻应力试验方法进行软组织平衡的评估。采用秩相关分析方法分别分析内外侧应力差值与内外侧关节间隙宽度差值以及内外翻应力试验差值间的相关关系。结果膝关节在屈曲0°及90°位,内外侧应力分布差值与内外侧关节间隙测量差值的相关系数r_1=-0.727;在屈曲0°,30°,45°,60°,90°位,内外侧应力分布差值与内外翻应力试验差值的相关系数r_2=-0.671。结论关节内应力分布电子测量系统所测得的应力分布与传统软组织平衡的衡量方法相关性较好,并具有较后者更精确和测量状态更接近TKA术后膝关节真实生物力学环境等优势。

Si(Ge)MOSFET器件微结构的研究

采用横断面的透射电子显微术、扫描电子显微术和高分辨电子显微学方法，研究了ＧｅＳｉ沟道ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的微结构。观察表明，器件是由Ｓｉ基片／ＳｉＯ２非晶层／ＳＯＩＳｉ层／ＧｅＳｉ沟道层／超薄ＳｉＯ２非晶层／Ｓｉ细晶层／ＳｉＯ２非晶层／Ａｌ电极层等组成的；ＳＯＩＳｉ层工作区单晶性良好，很难找到缺陷，缺陷能有效地被限制在工作区两侧的缺陷聚集区；在ＳＯＩＳｉ层和ＧｅＳｉ沟道层之间存在着一些瓣状衬度，它可能是在分子束外延（ＭＢＥ）方法生长ＧｅＳｉ层时所引入的位错环，Ｓｉ细晶层是由无择优取向的、柱状生长的细晶粒组成；

P－MOSFET的TEM研究

Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的ＴＥＭ研究＊刘安生安生邵贝羚王敬付军钱佩信（北京有色金属研究总院，１０００８８北京）（清华大学微电子研究所，１０００８４北京）空穴的迁移率远低于电子迁移率，与Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ相比Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的最大缺点就是电流驱动能力弱。为此，人...

新型微波SiGe HBT集成电路研究概况

本文扼要阐述了SiGe材料、SiGe HBT器件及电路的研究发展情况。展示了SiGe HBT的良好商业前景。对我所的SiGe技术发展水平作了简要介绍。

流延硅基PZT厚膜工艺研究

研究了基于流延技术制备硅基锆钛酸铅 (PZT)厚膜的工艺。考虑衬底特性对厚膜品质的影响 ,在不同的种子层上分别制备了 PZT厚膜 ,测试工艺结果 ,证实了种子层的作用。分析了高温烧结时间对流延 PZT厚膜品质的影响 ,确定了最优高温烧结时间。文章提出的硅基

基于WN_x的金属化系统研究

报道了扩散阻挡层材料氮化钨的结构特性随组分变化的情况。以二极管反向特性为主要检测手段，考察了基于氮化钨的Ａｌ／ＷＮ＿ｘ和Ａｌ／ＷＮ＿ｘ／Ｔｉ系统的热稳定性，发现Ａ１／ＷＮ，系统可以承受５５０”Ｃ、３０ｍｉｎ的退火，氮化钨的阻挡特性得到验证，但接触电阻特性有待改善。Ａｌ／ＷＮ＿ｘ／Ｔｉ系统由于钛层的引入可以降低接触电阻，但稳定性有所下降。通过实验，提出了一种可能实现的改进方案。

具有漂移区场氧化层结构的射频LDMOS器件研究

介绍了一种改进型RF LDMOS器件。通过对传统RF LDMOS器件的工艺流程进行修改,并在漂移区上方引入场氧化层结构,改善了器件的准饱和现象。当工作在Vgs=5 V,Vds=10 V条件下时,与传统RF LDMOS器件相比,改进后RF LDMOS器件的跨导提高约81%,截止频率提高约89%,击穿电压提高约15%。

氮在砷化镓中行为的研究

在研究难熔金属氮化物／n－GaAs体系的势垒特性随退火温度的变化时，发现势垒特性随温度（700～850℃）提高而有所改善。深入研究发现，在负偏压预溅射氮离子后，难熔金属／n－GaAs的势垒特性仍有此变化。硅化物与砷化镓的接触本无此特性，但预溅射氮后出现此现象，因此，人们认为有可能N在GaAs表面形成或参与形成了一个p+层。为深入了解产生这一现象的原因，对两种砷化镓样品：半绝缘和n型GaAs（100）样片，分别注入N+或N+＋Si+，以研究N在GaAs中的行为。退火消除损伤后，对样品进行霍尔测量和深能级瞬态谱研究。分析所得结果，发现N在GaAs中引入一深能级，位置在Ec＝－0．38eV左右，并在退火后可使ELZ能级密度大大增加，但未发现氮在砷化镓中可形成p型层的迹象。如果不是由于实验条件不同的原因，又若确实存在p+层，则很可能是难熔金属或难熔金属与氮共同作用的结果。

CMOS电路抗Latchup性能研究

本文研究了ＣＭＯＳ电路中的Ｌａｔｃｈｕｐ效应．通过实验研究了ＣＭＯＳ电路不同版图尺寸和多种抗Ｌａｔｃｈｕｐ技术对维持点参数（维持电流和维持电压）的影响，得出了Ｌａｔｃｈｕｐｆｒｅｅ结构．本文同时使用ＰＩＳＣＥＳ对Ｌａｔｃｈｕｐ效应进行了二维模拟．

基于LaFeO3/YSZ/Pt结构的混成电势乙醇传感器研究

制备了以掺钇氧化锆(YSZ)为固态电解质,LaFeO3为敏感电极的混成电势乙醇气体传感器。LaFeO3通过溶胶-凝胶法制备并用XRD分析。利用场发射电子扫描显微镜对YSZ基底和敏感电极表面形貌进行了表征。测试结果表明制备的传感器在350℃的工作条件下对乙醇有良好的响应(400×10^-6乙醇时135 mV)和较快的响应时间(50×10^-6乙醇时14 s)。测试结果还表明此传感器有良好的可重复性和选择性。

一种适用于分组密码算法芯片的IP核设计研究

文章对一种适用于分组密码算法的循环移位器IP核的设计进行了研究,该IP核的可重构设计使其具有可复用性。文章在进行循环移位运算的算法和性能分析的基础上,对循环移位器IP软核与硬核的设计作了详细阐述。

层状钙钛矿铁电材料的畴结构研究

利用电子显微镜比较研究了SrBi_2Ta_2O_9(SBT),Bi_3TiTaO_9(BTT),Bi_4Ti_3O_12(BTO),Bi_3.25La_0.75Ti_4O_12(BLT),SrBi_4Ti_4O_15-Bi_4Ti_3O_12(SBTi-BT)和SrBi_4Ti_4O_15-Bi_3.25La_0.75Ti_3O_12(SBTi-BLT)各自的畴结构和形态,并讨论了可能的相关机制.研究结果发现:90°畴的形态和密度各不相同,均受材料本征的内应力影响;90°畴界密度较高的材料对应的疲劳性也较好.

两步退火形成钛硅化物和氮化物的研究

模拟自对准硅化物技术的两步退火工艺，对超高真空（UHV）下制备的Ti／Si样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针（AES）和X射线衍射（XRD）分析样品的组分及晶相。发现高温退火后，薄膜内同时生成了Ti的硅化物及氮化物，这对发展MOS器件工艺中自对准硅、氮化物技术很有意义。另外，还利用扫描电镜（SEM）观察了薄膜形貌，用VandePauw法测量了薄膜电阻。

人脸特征点检测算法及处理芯片研究进展

人脸对齐,即人脸特征点检测,作为人脸图像处理应用中的核心基础,其精度、鲁棒性及计算性能直接影响着终端人脸应用的用户体验。分别从算法及其处理芯片两个方面对人脸特征点检测方向的研究现状进行总结分析,并进一步针对当前的研究趋势及未来方向进行梳理和展望。

基于PicoBlaze的多软核网络处理结构研究

介绍一种基于多个8位CPU软核PicoBlaze的网络处理结构。该结构利用现场可编程门阵列(FPGA)的并行性和网络协议分层结构的特点,可以实现一些相对复杂的网络处理功能,并且易于扩展和开发。通过在FPGA上完整实现一个远程启动服务器端的设计实例,阐明具体的设计方法。

TiN/n-GaAs体系界面的研究

利用二次离子质谱（SIMS）和深能级瞬态谱（DLTS）研究了TiN／n－GaAs体系。SIMS结果表明，退火后Ti的浓度剖面向砷化镓衬底略有移动，N则基本未变；DLTS观察到在Ec=0．21eV处的Ti3+（3d1）／Ti2+（3d2）单受主中心，但其浓度较EL2要小得多。根据实验结果，探讨了退火后难熔金属氮化物／n-GaAs体系电学特性改善的原因。