高能电子辐照导致氢化非晶硅的微晶化

氢化非晶硅 (a -Si:H)是无序硅网络中嵌入一定量H原子的非晶态硅—氢合金膜 ,结构上存在许多不稳定的弱Si-Si键及各种畸变键 ,在光、电老化过程中 ,它们会断裂或变形 ,导致缺陷态的增加 ,使材料性能变坏。a -Si:H微晶化后 ,这些缺点将得到有效的克服。结果发现 ,用 0 .3- 0 .5MeV、注入束流密度 1.3× 10 19cm- 2 s- 1的高能电子辐照 10 - 6 0 0s,a -Si:H膜会出现微晶化现象 ,晶粒大小为 10 - 2 0nm ,晶化层厚度为 2 5- 2

一种确定双原子分子基电子态的新方法(英文)

针对某些双原子分子基电子态与激发态势能曲线存在相交 ,从而引起利用从头计算确定分子基电子态时因初始输入不同而确定出的基态不同的情况 ,提出了一种将势能曲线计算和优化计算相结合确定基电子态的方法 ,并运用它确定B+ 2 分子的基电子态。解释了文献中对于它的基电子态的计算出现不同结果的原因。

B_4^+分子的稳定构型和电子结构特征

在QCISD/6 3 1 1G 水平上研究了B+ 4 分子的各种稳定构型 .首先通过从头计算优化出可能的稳定构型 ,再通过振动频率的计算判断所得构型是局部极小或鞍点 .同时讨论了Jahn Teller效应 .通过比较发现从头计算得到的各种构型与群论的结果一致 ,并得出一些文献中报道的构型实际上是鞍点 .

计算机辅助物理实验教学的研究

对计算机在物理实验教学中,辅助仪器装调、模拟物理实验现象、实验数据处理与管理、物理量三维显示、计算机辅助自动测量系统等五个方面作了分析与介绍.

高离化类锂离子(Z=72～75)的态-态双电子复合

基于相对论多组态ＨＦ程序，采用畸变波理论和独立共振近似，计算了０．１～９．０ｋｅＶ温度范围的类锂高电荷离子Ｈｆ６９＋，Ｔａ７０＋，Ｗ７１＋和Ｒｅ７２＋对应于原子实Δｎ＝０，１激发的态－态双电子复合速率系数。讨论了复合速率系数随电子温度，原子序数，复合类型以及双激发态中俘获电子的主量子数的变化关系。计算结果表明，不同复合通道的速率系数存在很大差异。

内层电子相关对NaH分子特征的影响

采用从头计算多参考组态CI方法 (MRCI)研究了NaH分子的基电子态的内层电子相关对其分子特征的影响。计算了不同内层电子数目相关情况下的势能曲线 ,通过解析势能函数拟合 ,计算出了光谱常数。利用求解分子核运动薜定谔方程的方法 ,得出了振动能级。通过分析Na原子内层电子与价电子相互作用受H原子核影响的变化 ,对NaH分子的势能曲线、光谱常数和振动能级等特征量随相关电子数目的变化作了合理的解释。

EWB软件在电子线路实验课程中的应用

介绍了 Electronics Workbench (EWB)软件的功能和特点 ,结合实例 ,说明了

从头计算研究NiI分子的基态和低电子激发态

采用多参考组态方法和相对论有效势基函数组研究了NiI分子的基态和低激发态的势能曲线、光谱项、势动能级和光谱常数，在15000cm^-1的能量内发现了6个2重自旋电子态，其中3个为△对称性，另外三个为Ⅱ对称件．最低的△电子态证实为基态，而最低的Ⅱ态高出它2174．56cm^-1．

求和或积分号内求导方法在物理学中的应用

总结归纳了在物理学中求和或积分号内的求导方法,并给出了主要应用实例.

高师原子物理学课程教学改革初探

一、原子物理学课程特点 物理学是研究物质运动的最一般规律和物质结构的科学,原子物理学作为物理学的一个分支,主要研究物质结构的一个层次,介于分子和原子核两层次之间.原子物理学是20世纪初,随着量子力学的发展而不断深入发展的.目前原子物理学的很多问题仍然是物理学研究的前沿,它反映了20世纪物理学的发展,仅在1999年的96项诺贝尔物理学奖中就有66项是与原子物理学相关的.这些工作不仅是物理学发展过程中的重大突破,而且是前辈物理学家们创造性研究工作的典范.学习这些诺贝尔物理学奖获得者的工作精神,有助于学生深入理解原子物理学的基本原理,也有助于培养学生的创造能力.

HPCI-1型物理实验微机辅助系统教学实践及探索

以“HPCI- 1型物理实验微机辅助教学系统”为例 ,结合教学实践 ,对基于微机辅助实验系统的教学改革及其应用进行了探讨 .

微通道板电子透射膜的工作特性

利用静电贴膜技术在MCP输入面制备了 4nm厚Al2 O3非晶态电子透射膜 ,此工艺不造成MCP通道壁内表面碳污染 .探讨了贴膜与气体辉光放电的关系 ,测量了MCP电子透射膜的电子透过特性和离子阻挡特性 .实验表明 ,4nm厚Al2 O3非晶态电子透射膜能有效地透过电子 。

微通道板电子透射膜工艺的AES研究

用冷基底溅射方法和静电贴膜方法分别在微通道板表面制备了电子透射膜 ,采用俄歇电子能谱 (AES)研究了两种工艺制备的微通道板电子透射膜的薄膜成分 ,微通道板电子透射膜工艺失败微通道板通道表面的成分和通道内壁的成分随深度的变化 .结果表明 ,冷基底溅射方法制膜工艺的失败对MCP造成了严重的碳污染 ,污染的MCP不可回收 ;静电贴膜方法制膜工艺的失败对MCP通道表面没有明显影响 ,MCP可回收利用 .

多电子原子中自旋和轨道相互作用能

在中心场近似下,引入有效单体自旋-轨道相互作用势代替原子中各种自旋-轨道相互作用势,再引入双张量算符表示自旋-轨道相互作用算符,把计算纳入角动量理论的框架,从而推出了自旋-轨道相互作用算符的矩阵元的普遍表示式,并应用此表示式算出了几个组态能量表示式。

无碳污染微通道板电子透射膜的工作特性

利用静电贴膜技术在MCP输入面制备了4nm厚Al2O3非晶态电子透射膜,此工艺不造成MCP通道壁内表面碳污染。探讨了贴膜与气体辉光放电的关系,测量了MCP电子透射膜的电子透过特性和离子阻挡特性。实验表明,4nm厚Al2O3非晶态电子透射膜能有效地透过电子,阻止反馈离子。

电子透射膜的生成及其对微通道板性能的影响

研究采用有机衬底掩膜技术和冷基底直流溅射在多孔微通道板输入面制备非晶态Al2O3电子透射膜的可行性,讨论在微通道板输入面形成连续电子透射膜与气体辉光放电的关系,测量带膜微通道板的电特性。结果表明,微通道板带膜后电子增益下降、体电阻增加、暗电流降低。

相似理论与物理教学

根据思维科学中关于相似论的概念，分析了人类认识物理现象中的相似性思维，以及物理学理论之间相互贯通的相似性关系。提出物理教学应该遵从人的思维规律。

MCP电子透射膜的制备及半视场特性

介绍了微通道板(MCP)电子透射膜在成像器件中的功能,分析了冷基底溅射制膜技术和有机膜涂覆及焙烧的方法制备MCP电子透射膜的工艺缺陷,提出了一种新的MCP输入面电子透射膜的制作方法。在一块MCP输入面的半圆上制作了4nm厚电子透射膜,研究了相同条件下MCP带膜半圆和不带膜半圆的光学反射表面显微形貌、输出电流密度特性和半视场亮度特性。

He_2^+团簇结构和解析势能函数的从头计算研究

采用从头计算的耦合簇方法CCSD(T)和He原子Dunning’s相关调和基函数组对He+2 团簇的结构参数、势能曲线进行计算。利用Murrell Sorbie函数和最小二乘法拟合出了解析势能函数 ,并以此为基础计算出光谱常数。通过比较发现 :分子结构和光谱常数计算结果均与实验值符合良好 ,优于文献报道的结果。说明本文所得势能函数解析表达式准确反映了分子中原子间相互作用 。