集成电路凸点技术及其在微电子封装中的应用

本文介绍了集成电路引线点Au凸点制造技术、IC芯片倒焊技术，凸点芯片在LCD、TAB、MCM中的应用，比较了各种IC封装的特点。

21世纪的硅微电子技术展望

本文以发达国家的中长期重点研究课题和其雄心勃勃的各种振兴微电子产业。规划及国际电子器件会议上的最新报道为前提，对21世纪以硅集成电路为核心的硅微电子技术的发展前景进行了展望。

（Ge）_n／（Si）_n应变层超晶格的电子结构

本文用ＬＣＡＯ－Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了应变层超晶格（ＳＬＳ）（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ（ｎ＝１，２）的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ｇｅ、Ｓｉ的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的ｎ对（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎＳＬＳ电子结构的影响。我们发现超晶格表面存在表面态，表面退杂化。电子在超晶格界面处发生转移，并随ｎ的不同，转移量不同。

N型杂质对(Ge)n/(Si)n应变层超晶格电子结构的影响

本文用LCAO—Recursion方法研究了n型（磷）杂质对（Ge）n／（St）n应变层超晶格（SI。S）电子结构的影响，计算了杂质及其近邻和次近邻原子的局域（LDOS）和分波态密度（PDOS）；计算了纯净和掺杂超晶格的总态密度，得出了带隙和费米能级。另外还计算了P杂质代替超晶格表面原子时的LDOS和PDOS。我们发现：P的掺杂使超晶格的赛米能级上升；杂质带形成带尾进入禁带从而使带隙变窄；表面P杂质影响表面态的来源及大小。

电子汽车衡管理系统的设计与实现

对电子汽车衡计算机管理系统的结构和特点进行了详细的介绍，阐述了本系统的设计方案和系统软、硬件的实现。

微米、亚微米及深亚微米CMOS工艺技术研究

对微米、亚微米及深亚微米CMOS工艺技术，包括原始硅材料、设计规则、典型器件结构、典型工艺流程和关键工艺技术等，作出全面地概括地分析与研究。

SOI技术进入工业开发时代

本文叙述了SOI衬底材料的加工和检测技术，特别着重介绍了已取得惊人进展的SIMOX（separationbyimplantationofoxygen）和BESOI（BondingandetchbackSOI）技术。论述了SOI衬底在抗辐射电路、ULSI、高温器件、双极和BICMOS器件、微波器件、高电压及功率器件、智能传感器、光电子器件的应用。最后讨论了SOI衬底材料和器件在工业开发阶段存在的问题，并展望SOI技术的前景。

抗辐射体硅CMOS工艺技术研究

论述和分析了在抗辐射体硅CMOSI艺制造过程中，栅介质种类、栅氧化层厚度的选择以及氧化层的厚度与半导体器件抗辐射能力的关系。

Si/Si_(1-x)Ge_x 异质结双极晶体管的研究概述

本文介绍了 Si_(1-x)Ge_x 基区异质结双极晶体管(HBT)的特点;Si_(1-x)Ge_x 合金层的生长方法;两种 Si_(1-x)Ge_x 基区 npn 器件的结构和特性以及对 Si_(1-x)Ge_x 合金层质量估价和异质结特性的检测方法。

80C196 16位单片机CAT技术研究

介绍并分析了80C19616位单片机的基本结构与指令，从软件和硬件方面详细阐述了生成其测试码点的技巧与方法。

多晶硅栅MNOS结构的抗辐射的研究

本文介绍了多晶硅栅MNOS结构抗辐射的性能；验证了它能有效地抑制MOS器件阈电压的漂移，是一种优越的抗辐射加固材料。

磁控溅射Cr-Si薄膜的工艺研究

本文对微电子固体薄膜结构，以及影响薄膜电阻导电性和稳定性的因素进行了研究和分析。实验数据和电路应用实例表明：Cr－Si薄膜电阻是一种良好的材料，它具有高电阻率、低温度漂移系数、高稳定性、无寄生效应、高匹配精度等特性。

MCM─D工艺技术的研究

MCM－D是近年来发展起来的高密度多芯片组装技术，其制做工艺同IC工艺相兼容，因此在IC生产厂家发展得很快。本文主要介绍用IC加工工艺和设备制备MCM－D技术以及MCM—D的芯片安装技术。

双端口2.5μm硅栅CMOS静态RAM(L68HC34)的工艺研究

介绍了双端口2．5μm硅栅CMOS静态RAM（L68HC34）的研制过程、工艺设计和工艺控制；分析了控制VT及降低R多的各种方法；并阐述了对发展IC的重要意义。

双层金属布线2μm CMOS万门门阵列(LC4750)工艺研究

介绍了双层金属布线2μm硅栅CMOS万门门阵列（LC4750）的研制过程、工艺设计和工艺控制，讨论了关键工艺的各种方法、条件及试验结果，并对新工艺线的工艺能力做了认真分析。

CMOS外延本征吸杂技术研究

本文介绍了一种采用Ar、N为保护气体的三步退火工艺及外延后吸杂工艺。实验中使用CZ单晶片。实验证明:经本征吸杂的硅片,外延层少子寿命可提高1个数量级以上,将吸杂片用于CMOS器件制作中,成品率提高15％以上,各项性能指标达到设计要求。

黑陶瓷封装工艺研究

通过对黑陶瓷封装工艺的研究，得到了理想的封装工艺条件，并建立了一条稳定性好、成品率高的封装工艺线。同时成功地封装了一些型号的电路，性能优异，通过了高可靠封装质量考核。

LDD MOSFET工艺研究

一、引言为了提高 MOS 集成电路的工作速度和集成密度,以往多采用等比例缩小方法。然而当 MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后,会出现一系列问题,如阈值电压降低、漏源穿通电压下降,热电子效应引起的阈值电压不稳定,二次碰撞电离产生的衬底电流等。降低氧化层厚度和减小结深,虽然可以使阈值电压和源漏穿通电压降低问题得到改善。

磁控溅射铝硅合金膜的工艺研究

通过对Varian3180磁控溅射台溅射的Al-Sil％合金膜工艺的研究，得到了满足工艺线要求的工艺条件，完成了大规模集成电路的金属化要求，从而提高了集成电路的高可靠性。

LPCVDLTO的工艺研究

本文以热力学与统计物理的理论为基础，对LPCVDLTO（低温氧化）工艺出现的问题进行了数理分析，从而确定了分子热运动的平均自由程与流量比及淀积压力之间的关系，并用其指导实际工作，从根本上解决反应气流不稳定这一技术难题。