“大班授课、小班研讨”教学模式在我国实施的困难与对策——以电子科技大学为例

本文根据国内外具体情况,结合自身经历,综述了"大班授课、小班研讨"教学在不同环境下的具体实施状况,并分析了造成不同结果的根本原因。最后提出了一种在国内推行"大班授课、小班研讨"教学模式切实可行的解决策略。

微电子教学实验室建设的探索与实践

为适应微电子产业的高速发展,高校的微电子实验室建设及实验教学对专业人才的培养发挥着极其重要的作用。微电子实验室建设主要包括微电子设计实验室和微电子工艺实验室。实验教学开设了集成电路设计综合实验和微电子工艺综合实验。学生在此完成集成电路芯片设计、制造的整个过程,并对制造的芯片进行测试和分析。微电子实验室的建设提供了优质的教学平台,将理论与实践结合、创新与实践结合,培养了学生分析问题、解决问题的能力。

微电子用光敏聚酰亚胺材料的分子设计研究

光敏聚酰亚胺(PSPI)具有高耐热性、良好的电绝缘性、优异的机械和感光性能等,被认为是极具应用前景的光电功能材料,已成为新型功能高分子材料的研究热点。从已得到商品化的PSPI材料出发,通过材料的分子结构设计,提出了合成新型PSPI的新思路,并根据有机合成的原理,简要论述了这几种新型PSPI的制备方法及提高PSPI性能的几条途径。

《微电子工艺》的理论教学与学生实践能力培养

就《微电子工艺》课程的理论与实验教学进行了探讨。结合笔者的教学实践,介绍了《微电子工艺》课程教学内容的选取、教学方式的改革与探索,强调了将教师的理论教学、实验教学与学生的自主学习相结合的教学方式,以激发学生的学习兴趣,培养动手能力,提高教学效果。

“微电子器件”课程的教学方法

本文针对我院专业基础课"微电子器件"的课堂教学,进行了教学方法的改进和创新。我们采用先定性再定量、抽象概念形象化及理论与工程实践相结合等灵活多样的教学形式,有效地提高了教学质量。其结果是有助于学生的专业素质、创新思维和动手能力的提高。

SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用

从Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难,到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性,论述了SiGe半导体在Si基微电子技术发展中的重要作用;特别强调了应变增强载流子迁移率—应变工程技术的重要作用。介绍了SiGe器件及其集成电路的发展概况。

磁性微电子机械系统(MMEMS)中的关键问题

磁性微电子机械系统(MMEMS)是在传统的微电子机械系统(MEMS)基础上发展的,它在科学研究及应用领域中有着巨大的潜力。磁性材料和MEMS技术的兼容性问题此前已作为一个重要的问题论述过。本文就磁性MEMS技术中的线圈制作、软磁膜制备及硬磁膜制备等关键性问题加以概述。

“微电子器件”课程三元教学法的研究

本文介绍在"微电子器件"的课堂教学中,将课堂讲授、实验测试和器件仿真三种教学方法有效地结合起来,形成"微电子器件"课程的三元教学新方法,使学生从被动学习变为主动的、创造性的学习,有效加深学生对器件物理机制的理解,提高教学质量。本文对"微电子器件"课程教学有一定的指导作用。

微电子工艺课程中TCAD技术应用的教学探讨

本文主要指出了在微电子工艺技术发展日新月异的形势下,在高校微电子工艺课程的教学中引入TCAD技术进行辅助教学的必要性,探讨了在微电子工艺的理论和实验教学中TCAD技术应用的方法和措施,从而提高专业教学质量、提高学生的实际工作能力和专业素质,适应当今社会对人才培养的需求。

微电子封装设备市场分析

微电子封装与测试产业的快速增长带动了微电子封装设备市场的增长。本文介绍了近年的微电子封装设备市场的发展情况。

磁性微电子机械系统(MMEMS)的应用

微电子机械系统(MEMS)技术结合磁性材料的特性,会产生许多新的功能,并在很多领域得到应用,如信息技术、汽车工业、生物医学、航空以及科学仪器等。本文阐述了在微米尺寸下,磁性MEMS相对于静电和压电执行器,在强度、偏振、执行距离等方面具有的优势,并就磁性MEMS现有及潜在的应用加以概述。

XRF基本参数法测量和计算电子材料的组成

本文主要探讨用ＸＲＦ基本参数法测定电子陶瓷材料的成分含量，计算所需的基本参数都通过数学计算处理，用Ｃ语言设计编成测试软件。该法也适用于定量分析合金材料成分，稳定性和重现性好，高含量时的测试误差小于３％。

α-Al_2O_3(0001)表面弛豫及其对表面电子态的影响

在周期边界条件下的κ空间中 ,采用基于密度泛函理论的局域密度近似平面波超软赝势法 ,对最外表面终止层为单层Al的α Al2 O3 超晶胞 (2× 2 ) (0 0 0 1)表面结构进行了弛豫与电子结构计算研究 .结果表明 ,最外表面Al-O层有较大的弛豫 ,明显地影响了表面原子与电子结构 ,布居分析表明表面电子有更大的几率被定域在O原子的周围 ,表现出O的表面态 .进一步分析了表面弛豫前后表面电子密度、态密度变化 ,表面能级分裂主要来自于O的 2 p轨道电子态变化 .通过对比弛豫前后的表面电子局域函数 (ELF)图 ,分析了表面成键特性 .

无铅铁电陶瓷电子发射性能

铁电阴极材料,作为一种新型的功能材料,以其高的发射电流密度等优点而受到重视。鉴于目前研究的铁电阴极材料多局限于锆钛酸铅等含铅材料,作者采用无铅铁电陶瓷Na1/2Bi1/2TiO3 BaTiO3(BNBT),进行了电子发射实验,获得发射电流密度达20A/cm2。初步实验结果表明,与锆钛酸铅相比,钛酸铋钠发射电流密度略低但性能稳定性较好。作为无铅铁电阴极,BNBT仍然具有良好的研究开发价值。

电子焊料的无铅化及可靠性问题

随着环境保护意识的增强,人们更清楚意识到铅的剧毒性给人类健康、生活环境带来的严重危害,全球范围已相继立法规定了使用含铅电子焊料的最后期限,无铅封装,无铅焊料成为了近年来的研究热点问题。本文主要叙述了研究无铅焊料的驱动力,以及无铅焊料须满足的基本要求、常用无铅焊料的优缺点和改进方法,同时介绍了无铅化焊接由于焊料的差异和工艺参数的调整,给焊点可靠性带来的相关问题。

三种铁电阴极材料电子发射性能试验研究

本文采用锆钛酸铅、钛酸铋钠和钛酸钡三种不同铁电阴极材料,进行了电子发射试验,测定了电子发射电流密度,并对其在电子发射试验时的波形进行了分析讨论。结果认为:锆钛酸铅材料的电子发射电流密度略优于其他两种材料,但从无铅化角度来讲,钛酸钡与钛酸铋钠材料将有望取代现有的锆钛酸铅铁电阴极材料。

用于特殊对象监测的电子传感器平台研究

从安全反恐和连续监测角度出发,对运输过程中特殊对象的监测方法和探测机理进行了研究,提出ESP的总体方案和设计思想,给出各传感器电路原理和电路设计。采取高可靠性的电子和机械工艺制作出ESP原型装置,通过初步测试,证明ESP方案和原理可行,传感器电路工作正常,可用于陆地运输过程中的敏感对象连续监测。

无铅阴极的相变致电子发射研究

研究了最新无铅阴极钛酸铋钠(Na_(1／2)Bi_(1／2)TiO_3，NBT)基铁电陶瓷的电子发射性能和电子发射的机理。采用常规陶瓷工艺制备了发射阴极样品，并在阴极上施加高达15 kV的激励脉冲，获得了20A／cm^2的最大发射电流密度。在施加激励电压的同时观察到3个发射电流脉冲峰值，该现象不同于其他的阴极。通过测试NBT基铁电陶瓷的相变性能，修正了得到公队的快极化反转致电子发射理论，提出相变致电子发射理论公式，合理解释了该新型无铅NBT基阴极的电子发射3个峰现象，说明了电子发射不仅可以由快极化反转产生，也可以由相变导致的极化变化产生。

钛原子位置对立方BaTiO_3电子结构的影响

本文基于密度泛函理论(DFT)的第一原理方法,计算了Ti原子位置对BaTiO3电子结构的影响.Ti的位置变化导致晶格畸变,使电子结构发生变化;从能带结构、能态密度(DOS)、电子密度、Mulliken布居等计算结果分析表明,导带和价带主要由Ti的3d电子和O的2p电子,Ti原子位置的变化,使Ti的3d电子能量分布上移,而O的2p电子能量下移;Ti位置变化,Ti的3d电子与的sp电子形成的杂化轨道更趋向离子化,以致于使OI出现了正电荷,表明发生了的2p电子向Ti的转移;O原子电子的转移使得Ti原子在导带的3d电子能量降低,与O原子在价带的2p电子能量重叠,禁带消失;随着畸变程度提高,转移逐渐增强,使禁带宽度逐渐减小,直至完全消失.