继电器类单机加速贮存试验测试系统的设计与实现

继电器类单机是导弹、火箭等武器装备的重要组成部分,对其开展贮存可靠性研究具有重要意义。在分析单机贮存环境应力剖面的基础上,通过Simulink仿真确定了其贮存退化的敏感参数为接触电阻、动作时间。随后,设计并研制了具有针对性的加速贮存试验测试系统,可在开展单机加速贮存试验的过程中准确监测敏感参数的贮存退化过程。以Agilent34401A数字万用表和AgilentDSOX34401A数字示波器为基准对系统的测试精度进行了评估,结果表明系统的精度能够满足单机加速贮存试验的需求。

基于FPGA的固态功率控制器反时限过流保护技术

固态功率控制器集成了继电器、断路器等传统配电器件的功能,是全电化航天器配电系统的核心器件。反时限过流保护技术是固态功率控制器的关键技术,与配电系统的可靠性密切相关。简要介绍反时限过流保护曲线的分类以及反时限过流保护算法的原理,并基于FPGA多线程并行运行和频率高的优点,结合I2t曲线与"热记忆"算法实现了较为精确的反时限过流保护技术。仿真与实测验证了方法的有效性。

SiC MOSFET SPICE模型的建立与仿真分析

SiC MOSFET与Si MOSFET相比,具有耐高压、耐高温、频率快等诸多优点,得到了越来越广泛的应用。SPICE模型作为含SiC MOSFET电路仿真分析的基础,对其进行研究十分必要。以SPICE 1模型为例,介绍了基于LTspice的SiC MOSFET建模流程,通过MOS、体二极管、PCB寄生参数等建模过程,完成了SiC MOSFET SPICE 1模型的建立,并通过仿真分析验证了所建立模型的正确性。

基于性能渐变仿真的继电器结构退化故障模拟与验证

利用实测数据分析结构退化对继电器性能的影响,需要在线监测故障数据,耗费大量的人力、物力。应用虚拟样机技术模拟结构退化故障,可大大节约研究的经济和时间成本。以虚拟样机仿真技术为基础,对电磁继电器的退化故障进行模拟重现,获取故障特征数据,并以实物模拟的方式进行验证,可为分析继电器的故障模式、失效机理的研究奠定基础。