国外微电子组装用导电胶的研究进展

介绍导电胶的组成、分类、较之于传统共晶锡铅焊料的优点以及导电胶的研究现状。重点阐述国外在导电胶导电机理研究、可靠性研究及新型高性能导电胶研制方面的现状和进展。

集成化单电子器件研究进展

传统 MOSFET结构正以较快的发展速度接近其物理极限 ,而单电子器件将成为新型的高性能集成化器件结构。本文采用量子点及其库伦阻塞效应等概念对单电子器件的工作原理进行了系统分析 ,并介绍了单电子器件在存储器和高灵敏度静电计方面的应用 。

2H-SiC体材料电子输运特性的EMC研究

目的 对2H SiC体材料的电子输运特性进行研究。方法 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果 计算表明:低场下,温度一定时,2H SiC纵向电子迁移率比4H SiC和6H SiC都高,横向迁移率则较为接近。296K时,由EMC方法得到的纵向电子饱和漂移速度为2.2×107cm/s,横向电子饱和漂移速度为2.0×107cm/s。当电场条件相同时,2H SiC同4H SiC以及6H SiC中的纵向电子平均能量相差较大。在阶跃电场强度为1000kV/cm时,其横向瞬态速度峰值可达到3.2×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级。结论 可以被用来设计SiC器件和电路。

衬底热电子增强的薄SiO_2层击穿特性研究

本文通过衬底热电子SHE(Substratehotelectron)注入技术 ,对SHE增强的薄SiO2 层击穿特性进行了研究 .实验发现氧化层中的平均电子能量与衬底电压有很大的关系 .通过能量守恒方程计算注入到氧化层中的平均电子能量 ,根据计算出的电子能量可以解释SHE注入和F N隧穿注入的根本不同 .本文提出了衬底热电子增强的TDDB(Timedependentdielectricbreakdown)模型 .

电子回旋共振CF_4+O_2等离子体中Si_3N_4刻蚀工艺研究

在一台自行研制的电子回旋共振 (ECR)刻蚀系统中用CF4、O2 气体实现了Si3 N4材料的微细图形刻蚀。获得了气体流量、气体混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响。结果表明刻蚀速率在O2 含量为 0 %时最慢 ,然后随着气体混合比的增加而增大 ,当气体中O2 含量为 2 0 %时达到最大 ,然后随着气体混合比的增加而缓慢降低。保持气体混合比为 2 0 % ,刻蚀速率随气体流量增加而增大 ;同时 ,微波功率越大 ,刻蚀速率也越高。

基于虚拟仪器的电子器件低频噪声测试分析系统

低频噪声已经作为一个重要的参量用于军用电子元器件的可靠性筛选和评估。介绍了一种基于虚拟仪器的电子器件低频噪声测试分析系统。与传统以通用仪器组建的噪声测试系统相比,不仅成本低,而且实现了电子器件低频噪声的实时、快速测量,并可对其各个表征参量进行准确的分析和提取。

永磁电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统

研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学气相沉积氧化硅和氮化硅薄膜工艺的研究。6英寸片内膜厚均匀性优于 95 % ,沉积速率高于 10 0nm/min ,FTIR光谱分析表明薄膜中H含量很低。

电子回旋共振等离子体源的朗谬尔探针诊断

电子回旋共振 (ECR)等离子体以其密度高、工作气压低、均匀性好、参数易于控制等优点在超大规模集成电路工艺中获得了广泛的应用。利用朗谬尔探针对ECR等离子体进行了初步的诊断研究 ,测量了等离子体的单探针伏安特性并计算出电子温度 ,电子密度和等离子体电势等参量。实验证明 ,ECR等离子体源能够稳定地产生电子温度较低的高密度等离子体。

电子器件低频噪声谱成分的全参数优化分析

本文提出的梯度寻优-线性展开算法,可从电子器件低频噪声频谱中提取得到1/f噪声、g-r噪声和白噪声的全部6个谱成分参数值。将该方法成功地用于半导体器件低频噪声谱成分分析,表明其具有广泛的收敛性和较高的拟合精度。

纤锌矿GaN低场电子迁移率解析模型

在GaAs低场电子迁移率解析模型的基础上得到了纤锌矿GaN低场电子迁移率的解析模型 ,该模型考虑了杂质浓度、温度和杂质补偿率对低场电子迁移率的影响 .模拟结果和测量数据的比较表明该模型在 10 16～ 10 2 0 cm-3的电子浓度、30～ 80 0K的温度和 0～ 0 9的杂质补偿率范围内具有较好的一致性 .该电子迁移率解析模型对于GaN器件的数值模拟和器件仿真设计具有很强的实用意义 .

基于蓝宝石衬底的高性能AlGaN/GaN二维电子气材料与HEMT器件

利用低压 MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了高性能的 Al Ga N/Ga N二维电子气 (2 DEG)材料 ,室温和 77K温度下的电子迁移率分别为 94 6和 2 5 78cm2 /(V· s) ,室温和 77K温度下 2 DEG面密度分别为 1.3× 10 1 3和 1.2 7×10 1 3cm- 2 .并利用 Al Ga N/Ga N二维电子气材料制造出了高性能的 HEMT器件 ,栅长为 1μm,源漏间距为 4 μm,最大电流密度为 4 85 m A/mm(VG=1V) ,最大非本征跨导为 170 m S/mm(VG=0 V) ,截止频率和最高振荡频率分别为6 .7和 2 4

铟量子点实现单电子晶体管方法

研究了一种新型的铟量子点单电子晶体管,它是利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长方法得到的.实现了在纳米电极间隙上生长铟量子点.该结构由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了多岛结构的单电子晶体管.

n型4H-SiC电子霍耳迁移率解析模型

采用解析模型,对n型4H SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算.结果表明:低温区,掺杂浓度较高时,中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大;高温区,电子霍耳迁移率则主要受谷间声子散射控制.此外,霍耳散射因子并不恒定为1,随着温度有一定的变化.研究还表明,施主浓度一定时,补偿率的变化对电子霍耳迁移率影响较大.

电子回旋共振等离子体的刻蚀技术

用电子回旋共振等离子体进行了硅基材料的刻蚀技术研究,进行了沟槽刻蚀实验,得到了较为陡直的侧壁。制作了精细图形,等离子体损伤较低。

4H-SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研制

报道了在 4 H- Si C衬底上 Al Ga N/ Ga N高电子迁移率晶体管 (HEMT)的研制和室温特性测试结果 .器件采用栅长为 0 .7μm,夹断电压为 - 3.2 V,获得了最高跨导为 2 0 2 m S/ m m,最大漏源饱和电流密度为 915 m A/ m m的优良性能和结果 .

薄栅介质的电子俘获击穿机理及物理模型

氧化层的经时击穿是集成电路中一个非常重要的问题．从理论上分析了氧化层经时击穿的电子俘获击穿机理，给出了相关的物理模型，同时指出了一些物理模型中存在的问题，为进一步研究氧化层的经时击穿机理及氧化层经时击穿可靠性的建模提供了理论依据．

硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究

采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降．

光电耦合器件1/f噪声和g-r噪声的机理研究

对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件的gr噪声源为后级光敏三极管.理论分析表明光电耦合器件的1/f噪声主要为表面1/f噪声,gr噪声则源于光敏三极管发射结空间电荷区的深能级对载流子的俘获和发射.

SiC/Si异质生长的研究

在半导体材料中，ＳｉＣ比Ｓｉ具有更优越的物理特性、化学特性和半导体特性，在高温、高频和功率器件制造中有十分广阔的应用前景．但是它的材料制备很困难．文中在理论分析基础上，以Ｓｉ为衬底，用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）技术，在温度为１１００℃下，生长出ＳｉＣ多晶薄膜。

高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展

GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了白光LED的常用制备方法以及最新的研究成果。最后,提出了需要着重解决的问题。