用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路 (MMIC)中用多孔硅 /氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜 .研究了厚度为 70μm的多孔硅 /氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成 ,这层厚膜增加了衬底的电阻率 ,减少了微波的有效介质损耗 .通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性 ,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线 (CPW)

1,4-二氯甲基-2,5-二甲基苯与1,4-二氯甲基-2-甲氧基-5-辛氧基苯的共聚研究

用1,4-二氯甲基-2,5-二甲基苯和1,4-二氯甲基-2-甲氧基-5-辛氧基苯共聚合成了一种可溶的聚对苯乙炔的衍生物,对共聚物结构进行了红外光谱。

气相苯加氢低Ni/改性Al_2O_3催化剂性能评价

通过对γ－Ａｌ２Ｏ３载体进行化学改性处理，把Ｎｉ的含量降低（在５％以内）制得气相苯加氢低Ｎｉ／改性Ａｌ２Ｏ３催化剂。考察反应条件对其催化活性影响，并对催化剂的活性稳定性、耐热性、抗毒物能力进行评价。

PMMA胶体晶体模板法制备有序大孔SiO_2材料

以自制的单分散的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微球作为胶体模板,用正硅酸乙酯、水、乙醇、盐酸等配成溶胶,填充在微球间空隙,暴露在空气中24h凝胶、陈化。溶胶的配比为正硅酸乙酯∶水∶乙醇∶盐酸=6∶3∶4∶1(体积比)。然后通过程序升温焙烧去掉单分散的(PMMA)微球,可得有序SiO2大孔材料。程序升温控制的条件是以2℃/min的升温速率升到300℃,恒定5h,再以2℃/min的升温速率升到550℃,恒定10h,再以10℃/min的降温速率降到室温。

高电容比射频/微波MEMS膜开关的理论分析和数值模拟

建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型。由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响 ,因而能较为正确地反映开关的电容特性。用数值方法计算了影响开关电容比的因素 ,并对计算结果进行了分析和讨论。提出了使用脉冲电压作为偏置电压可以使介质膜 gj 的厚度减少到 5 0nm ,从而使开关的电容比增加到 380 0。最后 。

制备条件对低Ni/Al_2O_3催化活性的影响

用含Ｐ、Ｍｏ的改性剂处理工业γ－Ａｌ２Ｏ３载体，制备了一种性能很好的低Ｎｉ／Ａｌ２Ｏ３催化剂，并考察了制备条件对其催化活性的影响，得到最佳的制备条件。

刚柔嵌段共聚物聚苯基喹啉-b-聚乙二醇的合成及荧光性质

以聚乙二醇单甲醚、丁二酸酐、4-氨基苯乙酮、5-乙酰基-2-氨基二苯甲酮为原料合成了以聚苯基喹啉(PPQ)为刚性链、聚乙二醇(PEG)为柔性链的“刚棒-线团”两嵌段共聚物 PPQ-b-PEC。通过 IR、~1HNMR 对其结构进行了表征,并对 PPQ_(3000)-b-PEG_(2000)在三氟乙酸/二氯甲烷稀溶液的荧光性质进行了初步研究。结果表明:1mg·ml^(-1)的PPQ_(3000)-b-PEG_(2000)(1:1氟乙酸/二氯甲烷,v/v)在459nm 作监控波长下测量的激发光谱,在430nm 处有最大发射波长,相对强度为509,PPQ_(3000)-b-PEG_(2000)可实现可见光的激发。它的最大发射波长随溶液浓度的增大发生红移,与混合溶剂的配比无关。

射频/微波MEMS Shunt开关的开启时间研究

本文描述了射频 /微波MEMSshunt开关的理论模型和数值结论 .把可动薄膜的运动近似地模拟为作用在可动薄膜上的变静电力、弹力及空气阻力的单自由度阻尼振动 .给出了典型MEMSshunt开关开启时间的数学表达式及数值计算值 .根据可动膜厚、材料和几何结构参数不同 ,得到了典型的MEMSshunt开关的开启时间大约为 1～ 40μs.其计算值同文献 [4 ]的值相符得很好 .本文还讨论了该理论模型和数值计算的局限性 .

刚柔嵌段共聚物聚苯基喹啉-b-聚苯乙烯的合成及荧光性质

利用原子转移自由基聚合合成了端羧基聚苯乙烯,然后与4氨基苯乙酮反应,生成末端为乙酰基的聚合物,以P2O5为催化剂,将功能化的聚合物与5乙酰基2氨基二苯甲酮共聚,合成出刚柔嵌段共聚物聚苯基喹啉b聚苯乙烯(PPQ-b-PS)。用IR、1HNMR对其结构进行了表征,并对PPQ-b-PS在三氟乙酸/二氯甲烷稀溶液中的荧光性质进行了初步研究。结果表明:1mg·ml-1的PPQ-b-PS(1∶1氟乙酸/二氯甲烷,v/v)在459nm作监控波长下测量的激发光谱,430nm处有最大发射波长,相对强度为509,PPQbPS可实现可见光的激发。最大发射波长随着溶液浓度的升高而变大,即发生了红移,与混合溶剂的配比无关。

超声合成三乙基硼的研究

用超声波通过有机金属路线一步合成三乙基硼，产率高达７９．２％，反应时间大大缩短。超声合成是一种理想的合成方法。

偏置电压对射频/微波MEMS电容开关寿命的影响

理论分析了影响射频/微波MEMS电容开关寿命的因素:介质内的电场强度和可动薄膜对介质膜的冲击速度。用三种不同的偏置电压,对介质内电场强度和可动薄膜对介质膜的冲击速度进行了数值分析和比较。提出了在脉冲电压作用下,可得到可动薄膜对介质膜最小的冲击速度和介质内的最小电场强度,从而极大地提高MEMS电容开关运行的可靠性和寿命。实验验证了上述结论。

PPQ-b-PEG刚柔嵌段共聚物的合成及热稳定性

以聚乙二醇单甲醚、丁二酸酐、4-氨基苯乙酮、5-乙酰基-2-氨基二苯甲酮为原料合成了以聚苯基喹啉(PPQ)为硬段、聚乙二醇(PEG)为软段的"刚棒—线团"两嵌段共聚物PPQ b PEG,通过IR、1HNMR对其结构进行了表征,并对PPQ b PEG嵌段共聚物的热稳定性进行研究,结果表明:PPQ b PEG(d)的热稳定性高,PPQ b PEG起始的分解温度为250℃,在250～400℃失重很少,其失重率小于5%,在400～600℃才迅速失重,到620℃时彻底分解。

靖安油田ZJ2区延9油藏生化二元驱技术研究与应用

靖安油田ZJ2区延9油藏目前已进入高含水期,导致含水上升矛盾日趋突出,产量递减呈加大趋势,开发难度加大,为此开展了生化二元驱室内研究。研究表明,将缓释营养剂和微生物驱剂交替注入油藏后,建立新的微生物生态系统。室内试验在67株菌种中筛选出产生物聚合物菌最优的LY#1菌与缓释营养剂复配后得到CQ-CYJⅠ,通过物模调堵试验测得堵塞率可以达到79.04%;将产生物表面活性剂菌最优的LY#4菌与激活剂CQ-3复配后得到CQ-CYJⅡ,该体系各项指标最优。生化二元驱技术应用于柳29-47、柳27-47和柳28-48这3个井组,现场试验后发现措施后油水井累计增油5400t,投入产出比为1∶1.62,优选的配方体系具有较好的适用性。

五里湾长6油藏表面活性剂复合调驱技术研究及试验

经研究得出表面表活性剂体系的最佳配方,研究证明表面活性剂复合调驱可较大幅度提高原油采油率,在低渗透油藏中的注水开发部分具有很好的应用前景。

活性水降压增注及驱油技术研究

开展了低渗透油田的表面活性剂降压增注技术研究,通过油房庄长_1吴旗长_2油藏基本概况、储层特性、油水性质、储层伤害机理、以往改造措施等进行了广泛深入的调研和研究,开发的活性剂体系配方具有很好的耐温性、耐盐性和抑制粘土膨胀,同时压率可达到20%～30%以上,具有很好的现场使用前景。

五里湾长6油藏表面活性剂复合调驱技术研究及试验

针对五里湾长_6油藏已经进入中含水期,相渗逐步发生变化,水驱油效率降低,为延缓含水上升速度,提高最终采收率,开展了以调剖和驱油技术以及复合调驱技术提高采收率的研究,并针对调驱技术及其应用中存在的问题和难点,借助系统的理论分析和多种实验技术,重点突破,探索出长庆油田采油三厂注水开发油田提高采收率的有效方法和途径,在五里湾一区开展了一口井的现场试验,试验效果良好。

PPQ-b-PS刚柔嵌段共聚物的合成及热稳定性

利用原子转移自由基聚舍方法舍成了端羧基聚苯乙烯，然后与4-氨基苯乙酮反应，生成末端为乙酰基的聚合物．以P2O5为催化剂，将功能化乙酰基的聚合物与5-乙酰基-2-氨基二苯甲酮共聚．合成出刚柔嵌段共聚物聚苯基喹啉-b-聚苯乙烯（PPQ-b-PS），用IR、^1H-NMR对其结构进行了表征，并对PPQ-b-PS嵌段共聚物的热稳定性进行研究．结果表明．PPQ-b-PS在空气中的失重有两个明显的过程．PPQ-b-PS在空气中的起始分解温度为275℃．但在275℃～400℃失重很少．在400℃时．其质量百分比为87．5％．在500℃～600℃迅速失重．到625℃时彻底分解．PPQ-b-PS在氩气中的起始分解温度为325℃．PPQ-b-PS的热稳定性高。

低Ni/改性Al_2O_3催化剂表面性质表征

本文用氧吸附法和程序升温脱附（ＴＰＤ）法分别考察低Ｎｉ／改性Ａｌ２Ｏ３催化剂的分散度，环已烷和苯的吸附脱附性能。结果表明：该催化剂分散性好，表面至少存在两种吸附中心。苯、环已烷在该催化剂的表面上属于一级可逆吸附脱附过程，催化剂表面能量分布不均匀。

刚柔嵌段共聚物聚苯基喹啉-b-聚乙二醇的合成与自组装

以聚乙二醇单甲醚、丁二酸酐、4-氨基苯乙酮、5-乙酰基-2-氨基二苯甲酮为原料合成了以聚苯基喹啉(PPQ)为硬段、聚乙二醇(PEG)为软段的“刚棒-线团”两嵌段共聚物PPQ-b-PEG,通过IR1、HNMR对其结构进行了表征。并对1mg/ml的PPQ-b-PEG在三氟乙酸/二氯甲烷稀溶液(1∶1 TFA∶DCM,v/v)的自组装进行了初步研究。结果表明:PPQ-b-PEG能自组装形成直径为4.

多孔硅薄膜的微结构及其XRD研究

使用扫描电子显微镜、原子力显微镜和X射线衍射研究了多孔硅薄膜的微结构.SEM图像显示：多孔硅膜表面的微结构比较均匀；沿纵向方向薄膜内部空腔呈流线型分布；孔和孔之间的间距为10～20 nm.AFM形貌表明：其表面在1×1μm范围内的均方根粗糙度为4.75 nm.XRD结果说明：多孔硅薄膜晶体晶格常数随深度增加而变大,多孔硅薄膜孔壁上Si？H键的比例将减少.