乙烯对纳米硅碳薄膜晶化的影响

在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷加乙烯法制备了ｎｃ－ＳｉＣｘ∶Ｈ薄膜。系统研究了Ｃ２Ｈ４／（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）（Ｘｃ）气体流量比对ｎｃ－ＳｉＧｘ∶Ｈ薄膜的晶化和其它光电性能的影响。Ｘｃ从０．１增加为０．４时，薄膜的晶态率从４５％下降为１０％，平均晶粒尺寸从１０ｎｍ下降为５．５ｎｍ，对应薄膜中的Ｃ含量从０．０３增加为０．１２。当Ｘｃ≥０．５，生成薄膜为非晶硅碳（ａ－ＳｉＣｘ∶Ｈ）薄膜。随着Ｘｃ从０．１增加为０．８，薄膜的暗电导率从８．５×１０－７（Ωｃｍ）－１下降为９×１０－１２（Ωｃｍ）－１，薄膜的光学能隙随Ｘｃ的增加而增加。

化学汽相沉积法生长微晶过程中的旋涡现象

本文报道了用高分辨电子显微术(HREM)观察辉光放电汽相淀积制备的Si:H薄膜,和热化学气相合成法制备的超细SiC粉末时发现的原子密排面呈旋涡状排列的旋涡现象,描述了这种旋涡现象的结构特点,分析了旋涡结构的形成原因,及其能保留下来的条件,讨论了这种旋涡现象与微晶形核生长过程的联系。